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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)即將連續(xù)3 年創(chuàng)下設(shè)備支出新高紀(jì)錄

kus1_iawbs2016 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-06-14 14:52 ? 次閱讀

SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)近日公布「全球晶圓廠預(yù)測報告」(World Fab Forecast)最新內(nèi)容指出,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)即將連續(xù)3 年創(chuàng)下設(shè)備支出新高紀(jì)錄,預(yù)料2018 年與2019 年將分別(較前一年)成長14% 和9%,寫下連續(xù)4 年成長的歷史紀(jì)錄。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)立71 年以來,只有在1990 年代中期曾出現(xiàn)設(shè)備支出連續(xù)4 年成長的盛況。

如上圖所示,三星(Samsung)稱霸全球的支出金額,中國領(lǐng)先全球的增長幅度,南韓與中國將引領(lǐng)這波成長態(tài)勢。SEMI ***區(qū)總裁曹世綸表示,「***半導(dǎo)體設(shè)備支出金額在缺乏記憶體新廠的暴發(fā)式投資下,成長幅度雖不及南韓及中國,但***晶圓代工廠商在先進制程及產(chǎn)能的持續(xù)投資下,未來整體支出仍將呈現(xiàn)穩(wěn)健成長態(tài)勢;加上***過去多年累積的投資,也使得我們成為全球半導(dǎo)體先進制程及量產(chǎn)的重鎮(zhèn),我們?nèi)詷酚^看待***未來在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。」

2018 年,三星的設(shè)備支出金額預(yù)期將減少,但該公司仍占南韓所有設(shè)備投資金額的70%。同時,SK 海力士(SK Hynix)則是增加在南韓的設(shè)備投資。

2018 年中國設(shè)備支出預(yù)期將增加65%,2019 年將再成長57%,但值得注意的是,2018 和2019 年年中國投資金額當(dāng)中分別有58% 和56% 都是來自外資公司,例如英特爾Intel)、SK 海力士、臺積電、三星和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)。在政府計畫的支持下,中國本土業(yè)者正在興建數(shù)量可觀的新晶圓廠,2018 年陸續(xù)開始設(shè)備裝機。2019 年這些公司的設(shè)備投資可望翻倍。

其他地區(qū)的投資金額也節(jié)節(jié)高升。2018 年日本投資金額增加60%,增加幅度最高的包括東芝、Sony、瑞薩(Renesas)和美光(Micron)。

2018 年歐洲和地中海地區(qū)投資金額將增加12%,貢獻最大的業(yè)者包括英特爾、格羅方德和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)。

2018 年東南亞地區(qū)投資金額將成長超過30%,不過受限于市場規(guī)模,整體支出也同比例地低于其他地區(qū)。貢獻最大的業(yè)者包括美光、英飛凌(Infineon)和格羅方德,但歐司朗(OSRAM)和奧地利微電子ams)等公司也持續(xù)增加投資金額。

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原文標(biāo)題:SEMI:中國半導(dǎo)體設(shè)備支出同比暴增65%

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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