羅姆于2012年3月份于全球首家開始量產(chǎn)內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大，并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著新封裝的開發(fā)， 羅姆繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品陣容，如今已經(jīng)擁有覆蓋IGBT模塊市場主要額定電流范圍100A～600A的全SiC模塊產(chǎn)品。利用這些模塊，可大幅提升普通同等額定電流IGBT模塊應(yīng)用的效率，并可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。

開關(guān)損耗大幅降低，可進(jìn)一步提升大功率應(yīng)用的效率

羅姆利用獨(dú)有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)開發(fā)出新型封裝，從而開發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，Tj＝150℃時的開關(guān)損耗降低了64%（與市面上銷售的IGBT模塊產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書中的數(shù)據(jù)比較）。

高頻驅(qū)動，有利于外圍元器件的小型化

在PWM逆變器驅(qū)動時的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開關(guān)頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%，總體損耗顯著降低。在20kHz時，散熱器所需尺寸可比預(yù)期小88%。另外，通過高頻驅(qū)動，可使用更小體積的外圍無源器件，可進(jìn)步一實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化。

全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容

※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。

關(guān)于新產(chǎn)品的詳細(xì)信息，請聯(lián)系羅姆銷售部門或點(diǎn)擊這里。

ROHM還提供可輕松評估全SiC功率模塊柵極驅(qū)動器評估板。