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pSemi推出應用于固態LiDAR的GaN FET驅動器PE29101

MWol_gh_030b761 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-06-20 17:32 ? 次閱讀

據麥姆斯咨詢報道,Murata company(日本村田)旗下子公司pSemi? Corporation(曾用名Peregrine Semiconductor,以下簡稱pSemi)近日在INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM(IMS國際微波會議)上宣布推出應用于固態LiDAR(激光雷達)的GaN FET(氮化鎵場效應晶體管驅動器PE29101。PE29101具有業內最快的上升時間和更低的最小脈沖寬度。這款高速驅動器可幫助設計工程師充分利用GaN晶體管的全部性能和開關速度優勢。在固態LiDAR系統中,更快的開關速度意味著更高的LiDAR成像分辨率和精度。

PE29101 GaN FET驅動器

“隨著GaN逐步證明其在固態LiDAR等應用中的作用,設計工程師正利用pSemi的高速驅動器來最大化GaN的快速開關優勢,” pSemi首席技術官Jim Cable說,“憑借PE29101的上升和下降速度,可幫助LiDAR系統實現其可能達到的最高成像分辨率,而這正是產業所需要的,以發揮LiDAR系統最完整的潛在性能。”

LiDAR的運行原理與毫米波雷達類似,只是以脈沖激光來精確測繪周圍的環境,常常用于高分辨率測繪。LiDAR現在開始應用于汽車ADAS(先進駕駛輔助系統)系統,并被廣泛認為是全自動駕駛汽車的必要使能技術。此外,固態LiDAR則憑借其經濟性、可靠性和相比機械LiDAR更緊湊的尺寸,已經作為未來商業化LiDAR系統的領導者而逐漸興起。

在LiDAR系統中,脈沖激光器的開關速度和上升時間直接影響著LiDAR的測量精度。為了提高分辨率,電流需要盡可能快地切換通過激光器二極管。GaN技術憑借其極低的輸入電容,及其相比MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)顯著更快的開關速度,為LiDAR系統提供了更高的分辨率和更快的響應時間。

GaN FET必須由非常快的驅動器來控制,以最大化它們的快速開關潛力。更高的開關速度要求驅動器具有快速的上升時間和更低的最小輸出脈沖寬度。PE29101具備這些關鍵的性能參數,能夠幫助GaN技術提高LiDAR分辨率。

特性、封裝、價格和供貨

PE29101是一款控制GaN晶體管柵極的半橋FET驅動器。這款驅動器輸出能夠在高達40 MHz的開關應用中提供亞納秒范圍內的切換轉換速度。PE29101的上升/下降時間為1 ns,100 pF load,最小輸出脈沖寬度2 ns。其工作電壓范圍為4 V ~ 6.5 V,可支持80 V的高側浮動電源電壓。PE29101的輸出拉電流(source current)為2A,輸出灌電流(sink current)為4A。

PE29101提供倒裝芯片封裝,目前已可提供大規模量產的產品、樣品和評估套件。1000顆訂單量的單價為2.79美元。

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原文標題:高速GaN FET驅動器面世,大幅提升固態LiDAR分辨率

文章出處:【微信號:gh_030b7610d46c,微信公眾號:GaN世界】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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