受惠于市場需求強力推升，服務器存儲器供應持續(xù)吃緊，近來市場傳出，存儲器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現(xiàn)良率問題，應用于高階服務器產(chǎn)品遭到退貨，包括美國及大陸廠商已要求暫時停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調(diào)，但多家***地區(qū)業(yè)者近日仍紛紛接獲消息，業(yè)界預計最快1~2個月左右應可改善良率，但由于第3季DRAM價格預期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產(chǎn)出供不應求，將為下半年市場價格漲幅投下變量。

根據(jù)市場消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現(xiàn)質(zhì)量疑慮，并遭到數(shù)據(jù)中心客戶退貨，且在改善前將暫緩出貨，受到影響的業(yè)者包括亞馬遜及阿里巴巴、騰訊、華為等大廠，***地區(qū)業(yè)者也陸續(xù)于近1~2周內(nèi)獲得訊息。

雖然目前2家韓廠并未證實新制程的技術(shù)問題，但由于全球DRAM產(chǎn)業(yè)已呈現(xiàn)寡占結(jié)構(gòu)，三星、SK海力士與美光等前3大廠掌握95%市占率，在韓系大廠的良率未能穩(wěn)定改善前，預料數(shù)據(jù)中心的高階服務器產(chǎn)品供應緊缺恐將進一步擴大。

相關(guān)供應鏈業(yè)者表示，三星18nm制程并非第一次傳出質(zhì)量疑慮，先前已修改過2次設計，原本業(yè)界以為第3次改良將可安全過關(guān)，不過高階服務器產(chǎn)品應用于數(shù)據(jù)中心的要求較為嚴格，環(huán)境測試也較為嚴峻，在DRAM制程持續(xù)微縮下，導致符合規(guī)格的產(chǎn)品良率較難穩(wěn)定控制。

業(yè)者認為，這并不代表全部18nm制程都有問題，只是在高標準的服務器用DRAM產(chǎn)品遭到瓶頸，但未達高標的DRAM產(chǎn)品仍然可以用于其它消費性DRAM需求，如PC或NB等應用，而依照過去經(jīng)驗，韓系存儲器廠最快應可在1~2個月左右改善良率問題，加上目前三星的20nm制程也在穩(wěn)定生產(chǎn)出貨，供應至服務器市場足可應付，也預計應該不至于造成全面性的市場嚴重缺貨問題。

雖然NAND Flash近來價格下滑，但業(yè)界指出，2018年受到DRAM新增產(chǎn)能有限，整體市場供需的確處于吃緊，價格也相對穩(wěn)健，尤其是服務器存儲器需求最為強勁，其成長速度已超越DRAM主流的移動存儲器，主要受惠于云端儲存與物聯(lián)網(wǎng)的帶動，數(shù)據(jù)中心建設拉動了服務器存儲器的需求，業(yè)者初估，預期未來2~3年內(nèi)，服務器存儲器將可躍居DRAM市場主流，其中，2018年DRAM搭載量成長超過3成，已成為DRAM需求成長的主要動能，產(chǎn)品價格也最為昂貴。

據(jù)指出，以32Gb服務器存儲器為例，從過去156美元開始調(diào)漲，過了2年幾乎呈現(xiàn)翻倍，近期市場價格已經(jīng)來到300美元的歷史高價，原本市場認為，服務器存儲器的價格水位偏高，未來繼續(xù)上漲空間十分有限，但降價幅度也不會太明顯，不過隨著韓系大廠近日傳出在服務器/數(shù)據(jù)中心出現(xiàn)供貨不順，這也意味著18nm制程導入的良率穩(wěn)定仍有待提升，將使得高階的服務器存儲器的供應缺口擴大，未來市場價格漲勢可能將持續(xù)走揚。

業(yè)界指出，受到下半年進入傳統(tǒng)旺季，先前三星已釋出第3季移動及服務器DRAM價格續(xù)漲的訊息，如今18nm制程穩(wěn)定供應服務器/數(shù)據(jù)中心遭受亂流，下半年的價格漲幅是否擴大將有待觀察。此外，韓系存儲器廠在遭到客戶暫停出貨后，對于美光以及積極搶攻服務器市場并預計2018年第4季起小量出貨的南亞科，將有機會帶來切入的契機，市場版圖變化將值得關(guān)注。

另一方面，市場也傳出三星電子可望暫緩DRAM擴產(chǎn)計劃，由于三星制程轉(zhuǎn)進1ynm后，并無法有效降低單位生產(chǎn)成本，使得原本第3季將于韓國平澤廠(Pyeongtaek)東翼大樓(east wing)2樓擴增每月3萬片DRAM產(chǎn)能的計劃將暫緩，業(yè)者認為，在新增產(chǎn)能延遲開出下，未來DRAM位元需求量大于供給量的情況可能將繼續(xù)延長。