半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2017年繳出令人喜出望外的成績(jī)單,整體營(yíng)收首度突破4,000億美元關(guān)卡,打破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已是成熟產(chǎn)業(yè)的看法。但這波景氣熱潮還沒結(jié)束,半導(dǎo)體營(yíng)收規(guī)模將繼續(xù)刷新歷史紀(jì)錄,只是成長(zhǎng)速度略為收斂,預(yù)估到2019年時(shí),全球半導(dǎo)體營(yíng)收將挑戰(zhàn)5,000億美元大關(guān)。
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收在2017年繳出高達(dá)20%年成長(zhǎng)的超亮眼成績(jī),不僅打破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)是成熟產(chǎn)業(yè),未來(lái)成長(zhǎng)空間有限的看法,同時(shí)營(yíng)收規(guī)模也一舉突破4,000億美元大關(guān)。這個(gè)數(shù)字令許多研究機(jī)構(gòu)和市場(chǎng)人士跌破眼鏡,因?yàn)榘雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)近10年來(lái),除金融海嘯壓低基期,導(dǎo)致2010年成長(zhǎng)率暴增到超過(guò)30%之外,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收年成長(zhǎng)率多半在10%以下,甚至一度出現(xiàn)1%的微幅衰退。因此,2017年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的經(jīng)營(yíng)表現(xiàn),確實(shí)是可圈可點(diǎn)。
記憶體市場(chǎng)回歸常態(tài)產(chǎn)業(yè)發(fā)展仍然健康
展望2018與2019兩年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將繼續(xù)成長(zhǎng),惟成長(zhǎng)率將放緩到8%與6%,回歸正常水準(zhǔn)。營(yíng)收規(guī)模則會(huì)繼續(xù)刷新歷史紀(jì)錄,2019年可望挑戰(zhàn)5,000億美元。不過(guò),也有研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為,2018年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(zhǎng)率仍將維持16%高檔,但SEMI認(rèn)為,考量到記憶體市場(chǎng)價(jià)格回落到正常水準(zhǔn),8%應(yīng)該是較為合理的預(yù)期。
記憶體是2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的火車頭,不論是DRAM或NAND Flash,報(bào)價(jià)均持續(xù)處于高檔,每家DRAM跟NAND Flash業(yè)者的營(yíng)收也跟著寫下歷史新高。三星電子(Samsung Electronics)更因此擠下英特爾(Intel),成為全球營(yíng)收規(guī)模最大的半導(dǎo)體業(yè)者。
不過(guò),隨著時(shí)序進(jìn)入2018年,目前NAND Flash價(jià)格已經(jīng)下滑,DRAM價(jià)格則很可能在2018年下半到2019年初因新產(chǎn)能大量開出而向下修正。這也意味著這波記憶體景氣循環(huán)的最高點(diǎn)已經(jīng)過(guò)去。
SEMI認(rèn)為,在記憶體價(jià)格修正的影響下,2018年與2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的成長(zhǎng)幅度將比較接近正常水準(zhǔn),不容易再出現(xiàn)超過(guò)10%的成長(zhǎng)幅度。但這并不表示記憶體產(chǎn)業(yè)的好日子已經(jīng)結(jié)束了。以NAND Flash來(lái)看,目前該產(chǎn)品價(jià)格下修,主要是反映制造成本下滑,而非業(yè)者之間的殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng);DRAM價(jià)格將出現(xiàn)松動(dòng),也是新產(chǎn)能加入后的必然結(jié)果。由于記憶體業(yè)者對(duì)產(chǎn)能的投資相當(dāng)理性,因此相關(guān)業(yè)者的利潤(rùn)空間還是能守住基本盤。
除了記憶體之外,光電、感測(cè)器、離散元件(Discrete)與類比元件在2017年也有不錯(cuò)的表現(xiàn),且在物聯(lián)網(wǎng)、5G、人工智能與汽車電子等應(yīng)用蓬勃發(fā)展的情況下,預(yù)期未來(lái)幾年都能有不錯(cuò)的表現(xiàn)。圖1為SEMI對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)與未來(lái)成長(zhǎng)引擎的分析匯整。
設(shè)備投資創(chuàng)歷史新高材料市場(chǎng)表現(xiàn)走強(qiáng)
SEMI于2017年歲末更新全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告內(nèi)容,指出2017年晶圓廠設(shè)備投資相關(guān)支出將上修至570億美元,寫下歷史新高。由于芯片需求強(qiáng)勁、記憶體定價(jià)居高不下、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈等因素持續(xù)帶動(dòng)晶圓廠投資向上攀升,許多業(yè)者都以前所未見的手筆投資新建晶圓廠與相關(guān)設(shè)備。歷年全球晶圓廠設(shè)備支出金額(圖2)。
雖然英特爾(Intel)、美光(Micro)、東芝(Toshiba)與Western Digital、以及格羅方德(Globalfoundries)等許多公司都在2017、2018年增加晶圓廠投資,但晶圓廠設(shè)備支出增加最多的還是韓國(guó)三星(Samsung)及SK海力士(SK Hynix)這兩家業(yè)者。
SEMI數(shù)據(jù)顯示,2017年韓國(guó)整體投資金額激增主要是因?yàn)槿侵С龃蠓砷L(zhǎng),其成長(zhǎng)幅度可望達(dá)到128%,從80億美元增至180億美元。SK海力士的晶圓廠設(shè)備支出也增加約70%,達(dá)55億美元,創(chuàng)下該公司有史以來(lái)最高紀(jì)錄。三星與SK海力士支出雖多半花在韓國(guó)境內(nèi),但仍有一部分的投資在中國(guó)大陸與美國(guó),也因而帶動(dòng)這兩個(gè)地區(qū)支出金額的成長(zhǎng)。SEMI預(yù)測(cè)這兩家業(yè)者投資金額在2018年仍將持續(xù)居高不下。
2018年,中國(guó)大陸許多2017年完工的晶圓廠可望進(jìn)入設(shè)備裝機(jī)階段。不過(guò),中國(guó)大陸的晶圓廠投資仍大多來(lái)自外來(lái)廠商。在2018年中國(guó)大陸本土元件制造商的晶圓廠設(shè)備支出金額將有較大幅度的成長(zhǎng),達(dá)約45億美元,而外來(lái)廠商預(yù)計(jì)將投資64億美元。包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、華力、合肥長(zhǎng)鑫等許多新進(jìn)業(yè)者,都計(jì)畫在中國(guó)境內(nèi)大舉投資設(shè)廠。
至于在半導(dǎo)體材料方面,雖然新產(chǎn)能尚未大舉開出,但由于硅晶圓等材料業(yè)者過(guò)去幾年擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作并不積極,因此在半導(dǎo)體景氣大幅回暖的情況下,材料供不應(yīng)求的狀況十分明顯。半導(dǎo)體材料品項(xiàng)繁多,包含硅晶圓、氣體、化學(xué)品等,其中又以硅晶圓為最大宗。因此,硅晶圓產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn),對(duì)半導(dǎo)體材料整體的表現(xiàn)影響最大。
半導(dǎo)體硅晶圓的平均單價(jià)(ASP)長(zhǎng)期以來(lái)都處于緩步走跌狀態(tài),營(yíng)收成長(zhǎng)的動(dòng)力來(lái)自出貨量的提升。但自2017年的情況并非如此,由于硅晶圓供不應(yīng)求的關(guān)系,主要硅晶圓供應(yīng)商成功調(diào)漲報(bào)價(jià),也扭轉(zhuǎn)了ASP下滑的長(zhǎng)期趨勢(shì),再加上硅晶圓出貨面積持續(xù)打破歷史紀(jì)錄,因此2017年硅晶圓市場(chǎng)的規(guī)模較2016年大幅成長(zhǎng)17%,也帶動(dòng)整體半導(dǎo)體材料市場(chǎng)出現(xiàn)10%的年成長(zhǎng)(圖3)。
為了守住得來(lái)不易的好價(jià)格,展望未來(lái)幾年,硅晶圓業(yè)者的產(chǎn)能擴(kuò)張速度不會(huì)太快,以便盡可能創(chuàng)造與客戶談判的籌碼。但由于半導(dǎo)體硅晶圓的客戶議價(jià)能力較強(qiáng),因此硅晶圓均價(jià)未來(lái)的走勢(shì)還需要觀察。
SEMI預(yù)估,2018年與2019年全球半導(dǎo)體硅晶圓的產(chǎn)能將只會(huì)增加3.6%與3.2%。2018年整體半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的規(guī)模則預(yù)估將成長(zhǎng)4%。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今明兩年好光景
從SEMI目前掌握到的半導(dǎo)體設(shè)備與材料相關(guān)數(shù)據(jù)來(lái)看,2018年與2019年對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),仍可說(shuō)是大好年。雖然近期美中貿(mào)易戰(zhàn)升溫,恰逢中興遭美國(guó)禁運(yùn)制裁,使得貿(mào)易戰(zhàn)的戰(zhàn)火看似有延燒到科技產(chǎn)業(yè)的可能性,但這應(yīng)該只是獨(dú)立事件。畢竟,鋼鐵、農(nóng)產(chǎn)品等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),才是貿(mào)易戰(zhàn)的主戰(zhàn)場(chǎng)。
另一方面,中興遭到美國(guó)科技禁運(yùn)后,中國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)注更上一層樓,未來(lái)中國(guó)或?qū)⒓莱龈喟雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶植政策,試圖解決缺「芯」問題。目前還很難斷言中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資力道,究竟會(huì)因此增加多少。但對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,未來(lái)中國(guó)的一舉一動(dòng),勢(shì)必是得持續(xù)關(guān)注的重點(diǎn)。
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原文標(biāo)題:半導(dǎo)體未來(lái)走勢(shì)分析:中國(guó)是最大的X因素
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