MOSFET是電子系統中的重要部件，需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。這些關鍵指標中，以靜態特性和動態特性更為重要，本文主要討論靜態特性。

本文選取Nexperia 最新推出的BUK7Y1R7-40H，以官方手冊中的數據和圖表，作為解讀依據。BUK7Y1R7-40H于2017年9月推出，基于最新工藝-Trench9制作，符合AEC-Q101認證?？梢詮V泛應用于12V汽車系統，如EPS，E-Pump等。

靜態特性表

VBR(DSS) （漏極 - 源極擊穿電壓）- 表示在整個MOSFET溫度范圍內，保證器件在關斷狀態下阻隔的漏極和源極之間的最大電壓。溫度范圍為-55°C至+175°C。在電壓和溫度范圍內，BUK7Y1R7-40H漏極和源極之間的電流保證低250μA。若器件溫度低于+25°C，則該范圍VBR(DSS)小于等于40V；若器件溫度為+25°C至+175°C，則該范圍VBR(DSS)小于等于40V。

關斷狀態下溫度對特性的影響有兩方面。漏電流隨溫度升高而增大，可使器件導通。與漏電流增大一樣，擊穿電壓也隨溫度升高而上升。

VGS(th)（柵極 - 源極閾值電壓）對決定MOSFET的導通和關斷狀態而言，非常重要。VGS(th)在VDS=VGS 時定義，有時候也會針對固定的VDS值（例如10 V）進行引述。

需要注意，當柵極和漏極短接在一起時，針對特定電流的閾值電壓定義與教科書中的示例有所不同。教科書中的參數描述了MOSFET的物理狀態變化，與MOSFET芯片尺寸無關。但是，數據手冊中使用的參數針對指定電流值，與芯片尺寸有關，因為電流與芯片面積成比例。

數據手冊中的閾值電壓，以最適合常規測量的方式定義，而不是以實際器件的通常使用方式為準。下圖中提供的圖形支持該參數。

圖1

圖2

第一張圖顯示了典型和限值器件在額定溫度范圍內的閾值電壓變化。所有MOSFET都保證在兩條線之間存在閾值電壓。

因此，就25°C的BUK7Y1R7-40H而言，若VDS和VGS同時低于2V，則所有同型號器件承受的電流均低于1mA。若VDS和VGS均大于4V，則所有器件承受的電流都超過1mA。175°C時，器件下限下降至1V，上限下降至2.5V。下限值通常更為重要，因為它決定器件何時應保證關斷，以及相關應用需要具有多少噪聲裕量。

第二張圖顯示了器件如何在此閾值電壓附近導通。對于BUK7Y1R7-40H而言，若柵極電壓增加不到1 V，則電流增加100,000倍。示例表示漏極 - 源極電壓固定為5V的情況。

IDSS（漏極漏電流）保證器件在其關斷狀態下的最大額定漏極 - 源極電壓時可傳輸的最大漏電流。務必要注意高溫時的IDSS高出多少，這是最壞的情況。

IGSS（柵極漏電流）保證最大泄漏電流通過MOSFET的柵極。計算保持器件導通所需的電流時，IGSS是非常重要的參數。由于該電流是通過絕緣體的漏電流，因此與IDSS不同的是，它與溫度無關。

RDS(on)（漏極 - 源極導通電阻）是最重要的參數之一。之前的參數確保器件關斷時如何工作、器件如何關斷以及預期有多少漏電流。當在電池應用中存在問題時，這些因素都很重要。

RDS(on) 是MOSFET導通時，其閉合開關的性能量度。它是決定含有MOSFET的電路功耗和效率的關鍵因素。導通電阻 RDS(on) × ID2表示MOSFET在完全導通情況下的功耗。功率MOSFET在導通狀態下可承受幾十甚至幾百安培的電流。

MOSFET中消耗的功率使芯片溫度上升至超過底座溫度。此外，當MOSFET芯片溫度升高時，其RDS(on) 也成比例地上升。建議的最大結點溫度為175°C（針對所有Nexperia封裝的 MOSFET 而言）。

以 BUK7Y1R7-40H 數據手冊為例：

結點（芯片）和底座之間每瓦的 Rth(j-mb) 溫度上升值為0.51 K/W (0.51°C/W)。

溫度上升150 K（Tmb = 25°C，Tj = 175°C）時，最大功耗

Pmax = 150/0.51 = 294 W(與手冊一致)。

芯片溫度(Tj)為175°C時的最大RDS(on) = 3.7mΩ。

MOSFET的RDS(on)取決于柵極-源極電壓，并且存在一個較低的數值，低于該值則該參數急劇上升。針對不同的柵極驅動器， RDS(on) 隨溫度上升的比例也不同。有關電阻如何隨溫度而上升的典型曲線，如下圖：

圖3

結語

功率MOSFET廣泛應用于工業、消費和汽車領域。特別地，在剎車系統、動力轉向系統、小功率電機驅動和引擎管理電路中，MOSFET的地位越來越重要。了解MOSFET的關鍵參數和電氣性能，對于工程師后期的設計，能夠起到事半功倍的效果。