中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠......

根據供應鏈傳出的消息指出，中國大陸最大的晶圓代工廠中芯國際，目前最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準。因此，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠了。

據了解，根據中芯國際最新的財報顯示，目前中芯國際最先進的制程為28納米。但是以2018年第1季的財報數字來看，28納米占其營收不過3.2%，相較聯電、英特爾等先進制程發展較慢的廠商來說，落后的一個世代以上，更罔論與先進制程開發進度較快的臺積電、格羅方德、三星等企業已經準備切入7納米制程相較，更是足足落后3個世代以上。

為了追趕這樣的落差，中芯國際不但在2017年底延攬三星電子及臺積電的前高層梁孟松來擔任聯席首席執行長的職務，主要就是希望藉由他過去的經驗，指導中芯國際在發展14納米FinFET制程上的進程，使中芯國際的14納米FinFET制程能在2019年達成量產的目標之外，還在2018年初宣布，將聯同兩大政府產業基金共同投資102.4億美元，以加快14納米及以下先進制程研發和量產計劃，最終達成每月量產3.5萬片的目標。如今，在中芯國際的14納米FinFET制程達到良率95%的情況下，等于是向目標又邁進了一大步。

事實上，隨著28納米Poly/SiON制程技術成功量產，再加上2018年2月成功試產客戶采用28納米High-K/Metal Gate（HKMG）制程技術的產品，試產良率高達98%之后，與中國***地區晶圓代工廠商聯電有著緊密合作關系的廈門聯芯，在28納米節點上的技術快速成熟。而這樣的消息對當前代表大陸晶圓代工龍頭的中芯來說，因為在28納米HKMG制程良率一直不如預期，而且在過去14納米FinFET制程上又無法突破的情況下，幾乎要拱手讓出大陸晶圓代工龍頭的位置。如今，在14納米FinFET制程技術上取得了突破，并向量產目標邁開腳步，才讓中芯國際再保住龍頭的位置。

此外，除了對內與聯芯的競爭外，中芯國際在14納米FinFET制程上的突破，也象征著拉近了與國際一線晶圓代工大廠的距離。除了臺積電、格羅方德、三星都在積極布局7納米制程，并且最快2018年底前就能有產品出現之外，包括聯電、英特爾都還在14納米節點的位置上。尤其是英特爾，在14納米制程上，預計還將使用到2019年后。在這方面來說，未來一旦中芯國際14納米FinFET制程正式進入量產，則大陸市場上目前交由海外代工的產品，就有可能由中芯國際進行代工。對中芯國際來說會是利多，但對其他的競爭對手而言就可能不是太好的消息。

根據業內消息人士指出，雖然過去曾有大基金擬向格羅方德購買技術，強化中芯國際14納米FinFET制程的消息。但是，這次似乎是梁孟松及其他所帶領的團隊發揮的作用，進一步將中芯國際的14納米制程拉上。只是，消息人士也指出，這事情光靠梁孟松一人并不可能辦到，而是梁孟松過去從***及韓國帶走的相關人員一起努力的結果。所以，中心國際線在已經達到了14納米研發成功的階段，下一階段就必須看14納米制程能為公司帶來多少效益了。

據悉，2017年下半年中芯國際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、臺積電技術高層梁孟松后，首次于線上法說會中現“聲”說法，他表示非常看好中芯在產業中的機會與位置，但也深具挑戰;針對外界最關心的高階制程進度，共同執行長趙海軍表示，先進制程14納米FinFET將于2019年量產，第二代28納米HKMG制程也會于2018年底問世，外界都睜大眼睛等著檢視成績單。

針對外界詢問梁孟松加入中芯國際的最大任務，眾所皆知是高階制程技術的進度。中芯表示，將在2019年量產14納米FinFET制程技術。意即，梁孟松要用兩年的時間，幫中芯國際把14納米FinFET制程世代追上來，業界認為，很挑戰，但不是不可能，因為已經準備很久了，很期待，也會持續關注。

除了先進制程的布局，隨著梁孟松的加入而大踩油門往前沖之外，中芯也表示，公司投入快閃存儲器NOR Flash、微控制器(MCU)、傳感器CMOS Sensor、高壓(HV)等制程技術平臺，這些都是用到既有成熟制程的fab filter產品，且95%的機臺是相容于邏輯制程，可以根據客戶對于需求來規劃，做產能調配。

展望未來，中芯國際表示，這兩年是進入了過渡期，為下一階段的成長把技術和產能備妥，而短期方面，看好的成長動力包括28納米制程、快閃存儲器、指紋辨識芯片、電源管理芯片等，會持續將資源聚焦在關鍵的技術平臺。