集微網(wǎng)消息,7月5日,耐威科技發(fā)布公告,耐威科技與青島市即墨區(qū)人民政府(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“青島即墨”)、青島城市建設(shè)投資(集團(tuán))有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“青島城投”)在 2018 年國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)投資(青島)峰會(huì)上簽署《合作框架協(xié)議書(shū)》。
據(jù)悉,耐威科技將聚能晶源項(xiàng)目落地于青島市即墨區(qū),該項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)掌握了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)從材料生長(zhǎng)到器件設(shè)計(jì)、制造的完整高端工藝和豐富經(jīng)驗(yàn),擁有該亟待爆發(fā)行業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力,致力于為面向新一代功率與微波系統(tǒng)應(yīng)用,成為面對(duì)低成本,高頻大功率應(yīng)用的 8 寸硅基氮化鎵(GaN)晶圓材料供應(yīng)商,助力青島占領(lǐng)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)。
青島城投擬通過(guò)青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心(有限合伙)出資參與聚能晶源項(xiàng)目。青島即墨為青島市即墨區(qū)的行政主管單位。具體合作內(nèi)容如下:
(1)為幫助和盡快形成產(chǎn)能,占領(lǐng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)份額,青島即墨同意與聚能晶源另行簽署正式項(xiàng)目合作協(xié)議,為聚能晶源提供一系列項(xiàng)目支持,如設(shè)備補(bǔ)貼、裝修補(bǔ)貼、辦公場(chǎng)所與廠方支持、稅收獎(jiǎng)勵(lì)等。
(2)為支持聚能晶源吸納骨干尖端人才,各方互相協(xié)助使得聚能晶源為本項(xiàng)目引進(jìn)的優(yōu)秀人才切實(shí)享受到青島市、區(qū)等各項(xiàng)人才優(yōu)惠政策。
(3)聚能晶源預(yù)計(jì)本項(xiàng)目投資總額不少于約 2 億元人民幣:2018 年年底前投資總額不低于 5000 萬(wàn)元人民幣,2020 年底前投資總額不低于 1.5 億元人民幣。
(4)聚能晶源未來(lái)產(chǎn)品線將覆蓋功率與微波器件應(yīng)用,打造世界級(jí)氮化鎵(GaN)材料公司,項(xiàng)目主要產(chǎn)品有面向功率器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片,以及面向微波器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片等。
耐威科技表示,此次公司與青島即墨、青島城投就控股子公司聚能晶源相關(guān)項(xiàng)目的投資、落地情況達(dá)成緊密合作,有利于公司加快第三代半導(dǎo)體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)進(jìn)度,有利于公司把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇,盡快拓展相關(guān)材料在國(guó)防裝備、航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用,有利于公司以傳感為核心所進(jìn)行的“材料-芯片-器件-系統(tǒng)-應(yīng)用”的全面布局,提高公司的綜合競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力,將對(duì)公司的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展產(chǎn)生積極影響。
據(jù)耐威科技2018年5月24日公告披露,公司擬與袁理先生、青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心(有限合伙)、青島民芯投資中心(有限合伙)共同投資設(shè)立控股子公司青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司及控股子公司聚能晶源。
其中公司擬使用自有資金1,050萬(wàn)元(分期投入)投資聚能創(chuàng)芯,持有其35%的股權(quán);公司擬使用自有資金2,000萬(wàn)元(分期投入)投資聚能晶源,持有其40%的股權(quán)。
耐威科技表示,聚能晶源主要從事半導(dǎo)體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn),目的在于依托專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì),聯(lián)合產(chǎn)業(yè)資源,積極布局并把握寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料(即第三代半導(dǎo)體材料)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)遇,聚焦相關(guān)材料在航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用,完善并豐富公司產(chǎn)業(yè)鏈。
資料顯示,第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等,因其禁帶寬度(Eg)大于或等于 2.3 電子伏特(eV),又被成為寬禁帶半導(dǎo)體材料,與第一、二代相比,第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子速率等優(yōu)點(diǎn),可以滿(mǎn)足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
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