雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問(wèn)題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場(chǎng)為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。據(jù)日本市調(diào)機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)（Fuji Keizai）最近指出，汽車電子等成為提振電源控制芯片需求的主要?jiǎng)恿ΓA(yù)計(jì)2030 年全球電源控制芯片市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)增至2807億人民幣，將較 2017 年大增 72.1%。其中，GaN和SiC勢(shì)不可擋，2030 年SiC電源控制芯片市場(chǎng)將增至 136億人民幣，將達(dá) 2017 年的 8.3 倍；GaN預(yù)估為 78 億人民幣，將達(dá) 2017 年的 72.2 倍。

日企大幅擴(kuò)產(chǎn)

看中這一市場(chǎng)走勢(shì)，在半導(dǎo)體材料先聲奪人的日本企業(yè)已高調(diào)擴(kuò)產(chǎn)。

據(jù)報(bào)道，因電動(dòng)車（EV）市場(chǎng)擴(kuò)大，吸引東芝（Toshiba）等日本大廠紛紛對(duì) EV 用半導(dǎo)體增產(chǎn)投資。日廠計(jì)劃增產(chǎn)的半導(dǎo)體為可讓 EV 達(dá)成節(jié)能化的電源控制芯片，東芝計(jì)劃在今后 3 年投資 300 億日元，2020 年度將電源控制芯片產(chǎn)能擴(kuò)增至 2017 年度的 1.5 倍。

三菱電機(jī)計(jì)劃在 2018 年度內(nèi)投資 100 億日元，目標(biāo)在 2020 年度結(jié)束前將以電源控制芯片為中心的“動(dòng)力元件事業(yè)”營(yíng)收擴(kuò)增至 2000 億日元。

另外，富士電機(jī)計(jì)劃在 2018 年度投資 200 億日元擴(kuò)增日本國(guó)內(nèi)工廠產(chǎn)能，且將在 2020 年度以后追加投資 300 億日元，目標(biāo)在 2023 年度將電源控制芯片事業(yè)營(yíng)收提高至 1500 億日元，將達(dá)現(xiàn)行的 1.5 倍。

而羅姆計(jì)劃在 2024 年度結(jié)束前合計(jì)投資 600 億日元，將使用SiC的電源控制芯片產(chǎn)能擴(kuò)增至 16 倍。

雖然過(guò)高的SiC單晶材料、Cree公司的技術(shù)壟斷導(dǎo)致SiC成本過(guò)高，在技術(shù)層面面臨可靠性、封裝等問(wèn)題，但這一輪擴(kuò)張潮明顯將為SiC鋪量。

8英寸GaN廠面世

GaN與SiC同為第三代半導(dǎo)體材料雙雄，并且并行不悖。有專家認(rèn)為，SiC主攻高壓器件，GaN是中壓，即100W~1200W則可選擇GaN，1200W以上則采用SiC。

GaN器件雖然具耐高電壓、耐高溫與適合在高頻操作的優(yōu)勢(shì)，諸如電動(dòng)汽車、激光雷達(dá)、無(wú)線充電和5G基站的功率放大器等應(yīng)用均可從GaN的效率受益，但其同樣面臨成本、封裝等挑戰(zhàn)。而最近的趨勢(shì)表明， GaN將從以往的6英寸開(kāi)始向8英寸進(jìn)發(fā)，有望緩解這一“痼疾”。

目前已有國(guó)際IDM大廠看好電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)前景，而預(yù)先包下世界先進(jìn)GaN產(chǎn)能，明年中世界先進(jìn)GaN產(chǎn)出將快速放量，成為全球首座8英寸GaN代工廠。

隨著GaN制造工藝在不斷進(jìn)步，將極大降低GaN的成本，進(jìn)一步助推其應(yīng)用，擠占以往砷化鎵（GaAs）市場(chǎng)。

國(guó)內(nèi)的機(jī)會(huì)

基于SiC、GaN功率器件的前景可期，已吸引眾多公司進(jìn)入這一市場(chǎng)，英飛凌、恩智浦、安森美、ST、德州儀器、羅姆、TDK、松下、東芝、等實(shí)力選手也紛紛加入戰(zhàn)局。在國(guó)內(nèi)電源管理IC廠商中，也有包括矽力杰、晶豐、士蘭微、芯朋微、東科、比亞迪等戰(zhàn)將，但顯然這一市場(chǎng)仍以日美歐廠商為主角。

在未來(lái)需要重新跑馬圈地的時(shí)代，一方面要注意，SiC、GaN市場(chǎng)的增長(zhǎng)將為模組廠商、材料供應(yīng)商、測(cè)試廠商、制造廠商等多種不同廠商提供市場(chǎng)機(jī)會(huì)，并在該領(lǐng)域價(jià)值鏈上尋找自己的位置。這將打破原有產(chǎn)業(yè)鏈，為不同廠商創(chuàng)造新的洗牌機(jī)會(huì)；另一方面，國(guó)內(nèi)廠商只在某些器件如 SiC二極管等實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)化，但并沒(méi)有形成完整產(chǎn)業(yè)鏈，與國(guó)外的產(chǎn)業(yè)規(guī)模相比仍有很大差距，在下一個(gè)趨勢(shì)到來(lái)之際，如何加速追趕亦成為頭等大事。

根據(jù)產(chǎn)業(yè)向限分析，每個(gè)企業(yè)都需要雙擎驅(qū)動(dòng)，即要有現(xiàn)金流的成熟產(chǎn)業(yè)和孵化未來(lái)產(chǎn)業(yè)的大筆投資。既然SiC、GaN的未來(lái)已來(lái)，國(guó)內(nèi)廠商在回歸到技術(shù)和產(chǎn)品性能競(jìng)爭(zhēng)的常規(guī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)“軌道”上，亦需要加緊備戰(zhàn)，在研發(fā)、制程、封裝等方面不斷投入和加碼，這樣才不會(huì)在浪潮到來(lái)之際再失良機(jī)。