在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

PowerInt SID1183K單路1700V IGBT和MOSFET驅動方案

電子工程師 ? 作者:工程師陳翠 ? 2018-07-22 07:09 ? 次閱讀

PowerInt公司的SID1183K是采用eSOP封裝的單路1700V IGBTMOSFET驅動器,柵極峰值驅動電流高達8A,集成的FluxLink?在初級和次級間提供電隔離,高達75kHz開關頻率,傳輸時延260ns,傳輸時延抖動±5 ns,工作溫度-40℃ 到125℃,主要用在通用和伺服驅動,UPS,太陽能,焊接逆變器和電能源。本文介紹了SID1183K產品亮點,功能框圖,應用電路以及采用scaLE?- iDriver SID1183K通用基板參考設計RDHP-1702主要特性,電路圖,材料清單和PCB設計圖。

The SID1183K is a single channel IGBT and MOSFET driver in an eSOP package. Galvanic isolation is provided by Power Integrations’ innovative solid insulator FluxLink technology. The up to 8 A peak output drive current enables the product to drive devices up to 600 A without requiring any additional active components. For gate drive requirements that exceed the stand-alone capability of the SID1183K, an external booster may be added. Stable positive and negative voltages for gate control are provided by one unipolar isolated voltage source.

Additional features are short-circuit protection (DESAT) with Advanced Soft Shut Down (ASSD), undervoltage lock-out (UVLO) for primary-side and secondary-side and rail-to-rail output with temperature and process compensated output impedance guarantee safe operation even in harsh conditions.

Controller (PWM and fault) signals are compatible with 5 V CMOS logic, which may also be adjusted to 15 V levels by using external resistor divider.

SID1183K產品亮點:

Highly Integrated, Compact Footprint

Split outputs providing up to 8 A peak drive current

Integrated FluxLink? technology providing galvanic isolation between primary-side and secondary-side

Rail-to-rail stabilized output voltage

Unipolar supply voltage for secondary-side

Suitable for 1700 V IGBT and MOSFET switches

Up to 75 kHz switching frequency

Low propagation delay time 260 ns

Propagation delay jitter ±5 ns

-40℃ to 125℃ operating ambient temperature

High common-mode transient immunity

eSOP package with 9.5 mm creepage and clearance distances

Advanced Protection / Safety Features

Undervoltage lock-out protection for primary and secondary-side (UVLO) and fault feedback

Short-circuit protection using VCE SAT monitoring and fault feedback

Advanced Soft Shut Down (ASSD)

Full Safety and Regulatory Compliance

100% production partial discharge test

100% production HIPOT compliance testing at 6 kV RMS 1 s

Basic insulation meets VDE 0884-10

Green Package

Halogen free and RoHS compliant

SID1183K應用:

General purpose and servo drives

UPS, solar, welding inverters and power supplies

PowerInt SID1183K單路1700V IGBT和MOSFET驅動方案

圖1.SID1183K功能框圖

PowerInt SID1183K單路1700V IGBT和MOSFET驅動方案

圖2.SID1183K典型應用電路圖

PowerInt SID1183K單路1700V IGBT和MOSFET驅動方案

圖3.SID1183K應用電路圖:采用電阻網絡去飽和檢測

PowerInt SID1183K單路1700V IGBT和MOSFET驅動方案

圖4.SID1183K應用電路圖:采用二極管去飽和檢測

采用SCALE?- iDriver SID1183K通用基板參考設計RDHP-1702

This application proposal provides a circuit design for a general purpose base board for driving various IGBTpower modules.

The design is proposed for the following application conditions:

? General purpose applications and IGBT power modules

? Adaptations such as adjustment of gate resistors can easily be done

? Up to 8 A peak gate current

? Up to 1 W per channel

通用基板參考設計RDHP-1702主要特性:

? Suitable for IGBT power modules in various housings such as 17 mm dual, 17 mm six-pack,

? 62 mm, PrimePACK?, etc. with a maximum blocking voltage of 1700 V

? Short-circuit detection with Advanced Soft Shut Down (ASSD)

? Electrical command inputs and status outputs

? 0 V / 5 V command input logic

? 0 V / 5 V status output logic

? Minimum pulse suppression

? Interlock of command inputs

? 5 V supply voltage

? Single PCB solution with soldered-in gate driver IC

Summary and Features

? Suitable for IGBT power modules in various housings

? Up to 1200 V DC-link voltage

? Electrical interfaces

? Basic Active Clamping

? Short-circuit detection with Advanced Soft Shut Down

圖5.通用基板參考設計RDHP-1702外形圖

PowerInt SID1183K單路1700V IGBT和MOSFET驅動方案

圖6.通用基板參考設計RDHP-1702電路形圖

通用基板參考設計RDHP-1702材料清單:

PowerInt SID1183K單路1700V IGBT和MOSFET驅動方案

PowerInt SID1183K單路1700V IGBT和MOSFET驅動方案

圖7.通用基板參考設計RDHP-1702PCB設計圖(頂層)

圖8.通用基板參考設計RDHP-1702PCB設計圖(裝配圖)

PowerInt SID1183K單路1700V IGBT和MOSFET驅動方案

圖9.通用基板參考設計RDHP-1702PCB設計圖(元件裝配圖)

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET驅動器
    +關注

    關注

    4

    文章

    115

    瀏覽量

    25813
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    Microchip推出業界耐固性最強的碳化硅功率解決方案取代硅IGBT,現已提供1700V版本

    1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍
    發表于 07-28 14:47 ?1615次閱讀
    Microchip推出業界耐固性最強的碳化硅功率解決<b class='flag-5'>方案</b>取代硅<b class='flag-5'>IGBT</b>,現已提供<b class='flag-5'>1700V</b>版本

    IGBT模塊的選擇

    電壓(600V、1200V1700V)均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載,電網波動,開關過程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果
    發表于 05-10 10:06

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區別

    MOSFET 的單通道驅動核,可以驅動目前市面上大部分 1700V 以內的管碳化硅 MOSFET
    發表于 02-27 16:03

    驅動1700V IGBT的幾種高性能IC選型設計

    驅動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅動
    發表于 06-19 20:29 ?39次下載

    驅動1700V_IGBT的幾種高性能IC選型設計

    通過對幾種常用的1700V IGBT驅動專用集成電路進行詳細的分析,對M579系列和CONCEPT公司的2SD系列進行深入的討論,給出了電氣特性參數和內部功能框圖,設計了典型應用電路,討
    發表于 08-11 16:12 ?76次下載

    華潤上華成功開發600V1700V IGBT工藝平臺

    華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發完成600V1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Tre
    發表于 05-29 08:47 ?2211次閱讀

    Littelfuse公司推出首款1700V SiC器件

    Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的產品更加豐富。
    的頭像 發表于 09-26 11:32 ?3903次閱讀

    Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

    支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
    的頭像 發表于 11-03 11:02 ?5045次閱讀

    采用1700V SIC MOSFET反激式電源參考設計板介紹

    。 該板有三個輸出:+15V、-15V和+24V,輸出功率高達62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件(SMD)封裝的1700V CoolSiC
    的頭像 發表于 09-07 14:11 ?3015次閱讀
    采用<b class='flag-5'>1700V</b> SIC <b class='flag-5'>MOSFET</b>反激式電源參考設計板介紹

    東芝新推出的1200V1700V碳化硅MOSFET模塊

    ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極
    的頭像 發表于 02-01 20:22 ?5006次閱讀

    具有1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關?

    1700 伏組件也適用于工業市場,其中集成解決方案在可再生能源、工業電機驅動、電池存儲和計量等應用中取代了分立控制器加MOSFET 設計。
    的頭像 發表于 07-29 08:07 ?1618次閱讀
    具有<b class='flag-5'>1700V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的汽車級高壓開關?

    瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的

    相比于硅基高壓器件,碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件,為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單,成本更低的解決
    的頭像 發表于 08-01 14:18 ?3600次閱讀

    IFX 1700V SiC 62W輔源設計資料

    Infineon,最新1700V的SiC MOSFET產品。62W輔助電源參考設計
    發表于 08-28 11:17 ?8次下載

    1700V以下大功率IGBT智能驅動模塊使用手冊

    1700V以下大功率IGBT智能驅動模塊使用手冊 (采用100%國產化元器件設計) 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅動模塊是特別為
    發表于 02-16 15:01 ?14次下載
    <b class='flag-5'>1700V</b>以下大功率<b class='flag-5'>IGBT</b>智能<b class='flag-5'>驅動</b>模塊使用手冊

    瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

    11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
    的頭像 發表于 11-30 09:39 ?1750次閱讀
    瞻芯電子推出<b class='flag-5'>1700V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>助力高效輔助電源
    主站蜘蛛池模板: 国产做爰一区二区| 成人中文在线| 午夜视频在线网站| 特黄aaaaa日本大片免费看| 天堂最新版资源www在线| 日本在线观看一区| 中文字幕1页| 天天做天天摸| 啊用力太猛了啊好深视频免费| 又黄又湿又爽吸乳视频| 天天干天天夜| 国产精品亚洲精品日韩动图| 视频免费在线观看| 美欧毛片| 天堂成人| www.三级.com| 九九精品国产| 成人免费播放视频777777| 毛片视频网址| 日本在线黄| 国产无限资源| 午夜国产福利| 窝窝午夜在线观看免费观看| 欧美成人一区亚洲一区| 色综合一区二区三区| 激情在线播放免费视频高清| 在线天堂在线| 亚洲国产欧美在线人成aaa| 亚洲四虎| 欧美成人xxxx| 国产普通话一二三道| 人操人人| 在线亚洲免费| 天堂网2014| 午夜视频吧| 在线一区二区三区| 毛片免费高清免费| 天天摸天天干天天操| 国产精品免费一级在线观看| 国产普通话一二三道| 亚洲一区在线免费观看|