正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結(jié)束，亮點(diǎn)頗多。

Keynote環(huán)節(jié)，倒數(shù)第二個(gè)出場（排在我國的長江存儲前）的是SK海力士，它在NAND市場的全球份額排名第五，DRAM份額全球第二。

首先是3D NAND的技術(shù)路線選擇，SK海力士稱，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P／E次數(shù)多）。

其實(shí)三星從2013年的第一代V－NAND 3D閃存就開始使用CTF了，東芝／西數(shù)（閃迪）的BiCS亦是如此。當(dāng)然，美光／Intel還是堅(jiān)持浮柵，不過這倒無所謂，畢竟他們有更厲害的3D Xpoint（基于相變內(nèi)存，還一說是ReRAM磁阻式內(nèi)存）。

接下來，SK海力士宣布推出了全球首款4D閃存。

從現(xiàn)場給出的技術(shù)演示來看，4D閃存和此前長江存儲的Xtacking十分相似，只不過外圍電路（PUC，Peri．Circuits）在存儲單元下方，好處有三點(diǎn)，一是芯片面積更小、二是處理工時(shí)縮短、三是成本降低。

參數(shù)方面，號稱業(yè)內(nèi)第一款4D閃存是V5 512Gb TLC，采用96層堆疊、I／O接口速度1．2Gbps（ONFi 4．1標(biāo)準(zhǔn)）、面積13平方毫米，今年第四季度出樣。

BGA封裝的可以做到1Tb（128GB），模組最大2TB，塞到2．5寸的U．2中更是可以做到64TB，2019年上半年出樣。

性能方面，V5 4D芯片面積相較于V4 3D減小20％、讀速提升30％、寫速提升25％。

另外，V5 4D也規(guī)劃了QLC閃存，通過96層堆疊，單Die最小1Tb，明年下半年出樣。

展望

SK海力士內(nèi)部的4D閃存已經(jīng)推進(jìn)到了128層堆疊，很快可以做到單芯片512GB，2025年做到單芯片8TB。目前，SK海力士的3D NAND是72層堆疊，單芯片最大512Gb（64GB），首款企業(yè)級產(chǎn)品PE4010已于今年6月份出貨給微軟Azure服務(wù)器。