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高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

電子設計 ? 來源:郭婷 ? 作者:電子設計 ? 2019-06-13 08:19 ? 次閱讀

0 引言

流水線模數轉換器(pipeline ADC)是中高精度(10~14 bit)高速(10~500 MS/s)ADC的主流實現結構,被廣泛應用于通信系統、圖像設備、視頻處理等系統中。作為其前端最關鍵的模塊,采樣保持電路的性能直接決定了整個ADC的性能,在以上系統中對功耗的要求十分嚴格。本設計在實現高速高精度采樣保持功能的同時,還實現了MDAC功能,這樣既能降低ADC功耗又能減少芯片面積。

1 采樣保持電路結構

傳統流水線ADC的最前面為一級采樣保持電路其后接MDAC級。采樣保持電路能夠較好地減小由于MDAC和子ADC之間的采樣信號失配造成的孔徑誤差。由于采保電路位于整個ADC的最前端,對其精度要求最高,故該模塊需要消耗較大的功耗通常為整個ADC功耗的20%~30%,并且會降低ADC的動態范圍和線性度。流水ADC是在雙向非交疊時鐘的控制下工作,相鄰的采樣保持電路和第一級MDAC總是工作在不同的狀態,采樣或保持。每個模塊只是在保持狀態需要運放參與工作。這樣采樣保持和第一級MDAC可以分時復用同一個運放,達到降低功耗并減少面積的目的。

基于以下原因MDAC級選擇了1.5 bit/級。首先,每級有1 bit冗余位來進行數字冗余修正,大大減小比較器失調造成的影響;其次,1.5 bit/級結構的單級閉環增益為2,開關電容電路可以具有較小的負載電容和較大反饋因子,較小的單級分辨率可以獲得較高的速度。

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

圖1為本設計的采樣保持電路結構,圖2為其時序,加圈處為自舉開關。采樣保持電路在3相時鐘的控制下,工作于3種不同的狀態,采樣/放大、復位、保持。

具體工作原理如下:當PSA為高電平時電路工作于采樣/放大狀態,輸入信號被采樣至電容Cs上

Ql=Vin·Cs (1)

運算放大器和電容Cff,Cfs及子ADC構成MDAC結構,處于保持狀態;當PD為高電平時電路工作于復位狀態,Cs完成對輸入信號的采樣,輸入電荷存于Cs上。運放及Cff,Cfs處于復位狀態,運放輸入端短接,輸出端短接,電容兩端短接,消除電路的記憶效應,為下一狀態做準備。當PH為高電平時電路處于保持狀態,運算放大器呈ChargeTransferring型采保連接形式,輸出電平與采樣電平值接近,輸人電荷轉移到Cff,Cfs上

Q2=Q1 (2)

取Cff=Cfs=0.5 Cs,運放的輸出進入子ADC;當PSA為高電平時,Cfr跨接在運放兩端,Cfs與DAC的輸出模擬電平相連,電路呈現減法放大功能

Q3=Vout·Cff+Vdac(D)·Cfs (3)

由于PH和PSA兩個相位運算放大器的輸入始終處于虛地狀態,根據電荷守恒Q2=Q3,得到當Cff=Cfs時,就實現了1.5 bit/級MDAC的減法、放大功能。

與傳統的采樣保持電路相比,新型結構的優勢在于:在一個時鐘周期內,單級模塊在實現采樣保持功能的同時,還實現了一級MDAC功能;電容Cff,Cfs在保持相和減法放大相實現了復用,降低了功耗和面積;同一運放分時復用于保持相和減法放大相,降低了功耗和面積;與無采保結構的ADC相比,由于保持相的存在,消除了運放與比較器輸入端信號路徑延時不等的影響,在降低功耗的同時,動態性能沒有下降。

使用這種結構需要注意的幾個問題:①精度問題。由于PD相的存在,在本設計中PH的時間由傳統的兩相非交疊11.2 ns縮短為8.4 ns,保持相時間內運放是否能建立到要求的精度范圍。因為電容Cff,Cfs在PSA和PH相的復用減少了PH相時運放所帶的負載,在1.5 bit結構中運放的負載為

Cload=(1-β)Cfn+Csn+1 (5)

式中:β為反饋系數,縮減因子取為0.5;Cload=1.5Cfn。新結構中

Cload=(1-β)Cfn=0.5 Cfn (6)

負載減少了60%,時間只縮短了25%,所以可建立到指定精度。因該階段把采樣的電荷轉移到了Cff,Cfs,發生了一次運算,故輸出需達到12 bit的精度,輸出端誤差應滿足ε≤1/212。②功耗問題。由于負載減少的程度大于建立時間減少的程度,所以并不需要增加單個運放的功耗。③穩定性問題。在PH和PSA相時,運放需要工作在兩個不同的反饋環路中,對于本設計選擇的1.5 bit/級結構,每個環路中運放的反饋系數都為0.5,所以兩個狀態電路電路都容易達到穩定。當把本結構推廣到每級2.5 bit或以上結構時,在PSA相的反饋系數將小于0.5,運放的帶寬和極點位置就需仔細考慮,以確保電路的每個狀態都是穩定的。

2 改進的自舉開關設計

模數轉換器的設計中,由于模擬信號是先通過采樣開關,再進人ADC轉換電路的,因此,采樣保持電路中接輸入模擬信號的采樣開關的設計也十分重要。NMOS管的導通電阻可用式(7)表示,其大小與柵源電壓成反比。在低電壓電路中利用電荷泵提高時鐘電壓,可以減小電阻,但卻不能消除由于輸入電壓變化而引起的非線性失真。當柵源電壓超過電源電壓時,會導致器件可靠性不高。

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

為了減少主要來自于開關的導通電阻、寄生電容和溝道注入電荷與輸入信號的相關性引起的非線性失真,設計的采樣保持電路采用了改進的柵壓自舉開關,如圖3所示,在傳統的自舉開關的基礎上增加了M10,M11,MSP三個MOS管。自舉開關用在圖1加圈的開關處。

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

電路第一個改進是增加M11。MS左右兩邊并不對稱,當開關閉合時in和out兩邊泄漏的電荷并不相等,會影響采樣電容上的電荷。通過增加M11令其尺寸和Ml相同,改為對稱結構如圖所示可以解決這一問題。并且讓M1和M11的柵直接由CLK信號控制而不是像傳統結構中那樣與MS的柵相連,這使得他們比MS稍微提前一點關斷,會減少MS釋放的電荷數量,提高采樣的精度。增加M11帶來的另一個好處是提高了MS的可靠性。若沒有M11,在MS導通瞬間必須確保其漏端電壓比源端電壓高,使柵漏之間的電壓不大于VDD。增加M11后,電路變為對稱結構,源漏電壓相等,電路在滿幅度工作時,柵源柵漏電壓都不會大于VDD提高了可靠性。

電路第二個改進是增加M10。在傳統自舉開關中,M5和M6的作用是在CLKN為高時,給MS的柵電容提供一條放電的通路。M5是為了提高M6的可靠性而增加的器件,CLKN為高時可以減少M6的Vds和Vgs。在CLK相M5管處于導通狀態,M6管處于截止狀態,并且net3電壓很高為(VDD+Vin),因此沿M5和M6存在著電荷泄漏通路,影響MS的Vgs,導致噪聲。因此本設計對其做了改進,增加M10管,使得在CLK為高時,M5管處于可靠的關閉狀態。這樣帶來了兩點好處:第一是有效地減小了泄漏電流;第二是通過在CLK為高時關閉M7管,減小了M7的電容,從而減小了與C1相關的寄生電容,使MS能得到更高的Vgs,提高信噪比。

電路的第三個改進是增加了MSP管。MS的導通電阻,會受到體效應的影響而變化,影響采樣的精度。并聯尺寸很小的MSP管可以很明顯地減小導通電阻,減少輸入信號和體效應對其的影響,同時可以提高整個電路的線性度。采用改進結構后自舉開關在線性方面與傳統結構相比有8 dB的提高,后仿結果SFDR為86.83 dB,SNDR為75.229 dB,符合12 bit要求。

3 運算放大器的設計

運算放大器是本設計的最核心部分。運算放大器采用帶增益提升的套筒式共源共柵結構,這是由于所需增益比較大(大于80 dB),單級放大器達不到所需的增益,而采用兩級結構會出現相位的補償問題,并且功耗也比較大,所以本設計選擇帶增益提升的套筒共源共柵運算放大器如圖4。由于本設計的運放在兩個時鐘狀態下都要工作,其開關共模反饋結構如圖5所示。整個ADC的設計要求信號輸出擺幅為2 V,套筒共源共柵運放也完全可以滿足要求。

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

pbooster和nbooster分別為增益增強的輔助運放,采用折疊式共源共柵結構,增益增強技術引入輔助放大器極大地提高了主放大器的增益如公式(8)所示,但是它也在放大器的傳輸函數中引入了一對零極點對(pole zero doublet),它會影響放大器的時域響應,在跨導運算放大器的設計過程中,使用Matlab分析發現運放的極點隨輔助運放帶寬的增加,會由A到B到C變化如圖6所示,仔細優化兩個輔助運算放大器的單位增益帶寬,把運放的極點推向較高的頻率如圖所示,可以減小增益自舉運算放大器中零極點對對大信號階躍響應的影響,使電路達到較快的穩定。對于12 bit 40 MS/s的要求,由公式(9)和(10)計算并留有一定的預度,運放需要84 dB增益、300 MHz的帶寬。公式(9)中A為放大倍數,β為反饋系數。公式(10)中fu為單位增益帶寬;Nr為有效位數;ts為半個時鐘周期。負載為2 pF時,運放的整個頻率響應如圖7所示,直流增益為131 dB,單位增益帶寬為783 MHz,相位裕度為75°,符合12 bit 40 MS/s的要求。

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

不同工藝轉角TT,FF,SS和溫度下,運放性能如表1所示。表中:G為增益;GBW為增益帶寬;PM為相位裕度;P為功耗;S為擺幅。

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

4 比較器

由于本設計要達到12 bit的精度要求,為了能夠抑制回程干擾,在鎖存器前面加了一級預放大器。為了消除預放大器自身的失調電壓,可在比較器的鎖存階段將預放大器接成單位增益負反饋的形式,達到失調消除的目的。蒙特卡羅分析表明,該比較器輸入失調電壓10 mV,滿足小于1/4 Vref,250 mV的失調范圍要求。比較器電路如圖8所示。

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

5 仿真結果

本設計的采樣保持電路采用TSMC 0.35μmCMOS標準工藝設計。使用Cadence和HSPICE進行仿真驗證,電路在0~125℃內,在各種Comer下均能正常工作。電路在40 MHz采樣頻率工作時功耗僅為14 mW。電路的版圖如圖9所示。

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

圖10為在輸入為直流0.4 V時,SMDAC模塊的輸出及所對應的時序,在PH相時輸出應為0.6 V,PD相時輸出應為0 V,PSA相時輸出應為

Vout=2×Vin-Vdac(D)=2×0.6-1=0.2 V,輸出值與計算值一致,驗證了電路功能的正確性。

在采樣頻率為40 MHz,輸入信號為19 MHz的滿幅度正弦信號(Vpp=2 V)對電路進行后仿真。對所得的輸出信號進行1024點快速傅里葉變換的頻譜如圖11所示,SNDR=73.22 dB,ENOB=11.87 bit,SFDR=89.34 dB。

高性能低功耗的采樣保持電路的設計與實現

6 結論

本文采用TSMC 0.35μm mix signal 3.3 V工藝沒計了一個高性能低功耗的采樣保持電路,可作為12 bit 40 MHz采樣頻率的流水線A/D轉換器的前端模塊。通過對運放的分時復用,一個電路模塊既實現了采樣保持功能,又實現了MDAC功能。而實現該指標的MDAC所需功耗為9 mW,與普通結構相比在達到同樣指標的情況下,可減少了9 mW。通過對傳統柵壓自舉開關改進,減少電路的非線性失真。通過優化輔助運放的寬帶,設計了高增益快速穩定的OTA。在40 MHz采樣頻率下,以奈奎斯特采樣頻率滿幅(Vpp=2 V)信號輸入,其SFDR=85 dB,SNDR=72 dB,ENOB=11.6 bit。整個電路消耗的動態功耗為14 Mw。

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