內(nèi)存價(jià)格從2016年起一路上揚(yáng)，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會(huì)MIC預(yù)測(cè)內(nèi)存價(jià)格將于2019開始下滑。

資策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場(chǎng)概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將成長10.1％，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)。

洪春暉進(jìn)一步指出，內(nèi)存受惠于市場(chǎng)價(jià)格上揚(yáng)，2018年全年***內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25％，產(chǎn)值達(dá)2,053億新臺(tái)幣。但自2018年第二季起，內(nèi)存價(jià)格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開出價(jià)格開始松動(dòng)，由其是在中國大陸，無論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開出；盡管目前尚未進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，但預(yù)期2018下半年內(nèi)存價(jià)格仍有下跌空間，在未來兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價(jià)格飆漲的狀況。

由于內(nèi)存供給有望增加，因此展望2019年，預(yù)計(jì)內(nèi)存成長趨緩，預(yù)期成長幅度為3.8％。觀測(cè)***產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體則因高階制程與內(nèi)存市場(chǎng)帶動(dòng)呈穩(wěn)定成長，預(yù)估2018年***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)2.46兆新臺(tái)幣，較2017年成長8.1％，成長動(dòng)力與全球平均水平相當(dāng)。但預(yù)期在2019年，DRAM制程將轉(zhuǎn)進(jìn)至1x和1y納米，F(xiàn)lash產(chǎn)能也持續(xù)增加，預(yù)計(jì)內(nèi)存價(jià)格下滑將對(duì)臺(tái)廠造成沖擊。