集微網消息，“NAND Flash存儲器的價格剛剛跌破了兩年前（2016年）的價格，現在NAND Flash價格下跌的還不是很離譜，僅僅跌破兩年前的價格而已。” 資深存儲行業人士日前向集微網記者表示，NAND Flash價格未來還有進一步下探的空間，即使其價格再跌20%，也不足為奇。

來源：中國閃存市場ChinaFlashMarket

今年以來，NAND Flash價格持續下滑的趨勢。據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據顯示，截止至2018年8月27日，NAND Flash價格指數已累計下滑超過40%，NAND Flash每GB價格下探至0.13美金，基本已回到了2016年漲價時期的價格水平。

為什么會跌破兩年前價格？

自2016年開始，全球各大閃存芯片廠商紛紛開始技術升級，由2D NAND轉向3D NAND技術工藝；但3D NAND因為是新技術，再加之生產設備緊缺，3D NAND實際量產的時間遲于預期時間。而在NAND技術轉換期，NAND Flash市場產能供不應求，NAND Flash價格出現了有史以來最大且持續最長的上漲周期。

據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據顯示，2017年上半年，受NAND Flash缺貨影響，SSD價格自2016年Q2開始漲價，主流120GB、240GB TLC SSD價格均累積年漲幅達46%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金；2017下半年eMMC TLC 32GB價格由8.9美金上漲至11美金，累計上漲23.6%；64GB價格則從16.8美金上漲至19.4美金，累計上漲15.5%。eMCP 8+8價格則從8.8美金上漲至10美金，上漲13.6%。

在NAND Flash市場，2017年由于市場供貨緊缺的狀況未完全緩解，閃存價格一直上漲。但到2018年，隨著3D NAND技術發展，三星已開始量產96層3D NAND，今年下半年東芝/西部數據將量產96層QLC，美光和英特爾也開始量產64層3D QLC以及96層3D NAND，NAND Flash價格大幅回落。

“NAND Flash的市場需求是不斷在增長，當供給超過需求的時候，價格肯定就不一樣。”深圳市得一微電子有限責任公司市場總監羅挺向集微網表示，剛開始3D NAND良率只有20-30%，當良率到80-90%時，供給不足的問題就可以解決，當然這還不包括大廠都在不斷的投建新產能。

再加之，3D NAND容量不斷的翻倍，原來是從24層到36層，現在是96層3D NAND都已經量產了，每次技術升級層數增加后，容量也在擴大，這幾方面因素結合起來的話，NAND Flash市場的供貨就很充足，甚至是超份額供給。

當然，需要指出的是，在2020年之前，國產的3D NAND不會對市場價格產生影響。現在NAND Flash降價是因為主流的存儲廠商充分供給，引發的主動降價，這跟國內廠商的3D NAND將要量產并無關聯，現在FLASH供給量正處于歷史高峰期。

羅挺表示，當FLASH供給充足的時候，整個市場就想做不一樣的產品，現在FLASH降價，誰也不敢把貨囤在手上，什么產品好賣就去做什么，如果只做一款產品，出貨量不大，風險就很大。

而為了降低風險，eMMC好賣存儲芯片設計廠商就做eMMC，UFS在移動終端市場發展快就去做UFS。所以在FLASH價格下滑的趨勢下，包括得一微電子在內的存儲芯片設計廠商都需要有差異化的商業模式。畢竟，光賣情懷是沒有用的，一定是要給客戶帶來實際的價值，才能長久地活下去。

目前，NAND Flash的價格剛跌破兩年前的價格，如果把時間拉長來看，未來閃存產品價格將會進一步下跌，但全球整個閃存市場營業額還會不斷上漲，只是產品單價會持續往下降。

資深存儲行業人士表示，1GB內存跌破1元人民幣是一個供給關鍵價位點。兩年前，1GB內存售價預計在6毛錢左右，現在已經跌破兩年前的價格，當然這個價格只是一個參考價，不同型號、不同廠家的產品都是有差異。

羅挺表示，從宏觀來看，現在NAND Flash的價格已經是歷史最低點，當然后面更低。受閃存芯片降價影響，SSD也呈現出大幅下降，其中消費類SATA SSD也跌回2年前價位，且創歷史新低。

決勝于新一輪周期回轉

NAND Flash的價格其實是像期貨一樣具有市場波動性，這是一個周期性的行業，像DRAM過去十年的發展都是這樣，現在三星在存儲市場能有這么大的產能，最重要的原因就是當存儲市場下跌非常大的時候，廠商一般會砍掉部分產線，三星正好恰恰相反，進行投資擴產，業界稱之為逆周期投資。

三星投資DRAM 內存時，DRAM 價格從1984年初的4 美元/片一路下滑到1985 年的30 美分/片。此時，三星的生產成本是1.3 美元/片。到1986 年年底，三星半導體累計虧損達3 億美元，股權資本完全虧空。DRAM 市場不景氣，Intel 等美國公司退出該市場，日本公司縮減投資規模和生產能力。但三星逆周期投資，繼續擴大產能，并開發更大容量的DRAM，數年后，行業出現轉折，DRAM價格開始回升。

2017年，在存儲芯片市場缺貨漲價的行情中，三星一年就賺回了過去十年的投資；三星也在2017年首次從英特爾手中奪走行業第一寶座，成為全球最大芯片制造商。

如今，正逢存儲芯片市場開始大跌，DRAM價格已經下跌20-30%，NAND Flash已經下跌到一個新的價位，這對于國內正加大投資以及即將迎來量產的存儲廠商來說是不是一個不太好的信號？

羅挺表示，現在整個存儲芯片市場開始下跌，國內廠商加大投資，未必是一件壞事。假如，海外廠商在存儲市場下跌時不愿去投資，國內廠商加大投資，那么未來中國將有更多存儲芯片產能，真正存儲芯片市場決勝的時間也將在下一個周期。

事實上，內存市場和閃存市場有一定的關聯性，不管是存儲介質或是存儲主控芯片也好，它的成敗不在一年兩年，而是一個長期的過程，一個企業要好這個事情，不可能是做好一款爆品之后，就沒有后顧之憂。

這從行業轉移的過程中就能看出一些端倪。原本DRAM就不是三星發明的，最早是由英特爾發明的，英特爾做的也最早，但現在三星做的最大，三星之所以能做大，恰恰是因為三星在行業下跌是最敢去投資。

在行業逆周期時敢于投資，未來國內存儲廠商就有可能會像三星一樣，一年就賺回了過去十年的投資；如果在行情下跌的時候不愿投資，那么在存儲周期回轉的時候，又怎么能獲得產能，怎么有機會實現超越領跑。所以，在這一輪存儲芯片市場周期調整時，正是國內廠商投資布局的機會，下一個周期回轉，將是國內存儲芯片廠商決勝的機會。