兩周前美國商務(wù)部、司法部接連出手，先是制裁中國福建晉華集團(tuán)，接著是起訴晉華及合作伙伴聯(lián)華電子（簡稱聯(lián)電），指控二者涉嫌盜竊美光的DRAM內(nèi)存專利，給美光公司造成了高達(dá)90億美元的損失。此后聯(lián)電及晉華集團(tuán)分別發(fā)表聲明，否認(rèn)盜竊美光商業(yè)機(jī)密。聯(lián)電公司日前又發(fā)布了新的聲明，詳細(xì)解釋了聯(lián)電在DRAM技術(shù)上的積累，強(qiáng)調(diào)聯(lián)電已經(jīng)有超過15年的DRAM技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，聯(lián)電開發(fā)的DRAM技術(shù)與美光公司的DRAM設(shè)計(jì)完全不同。此外，聯(lián)電還指出美光的25nm DRAM技術(shù)并不是自己開發(fā)的，而是購買了***瑞晶及日本爾必達(dá)公司的25nm DRAM技術(shù)。

聯(lián)電本月初發(fā)布的聲明強(qiáng)調(diào)會(huì)嚴(yán)肅對(duì)待美方指控，全力應(yīng)對(duì)這場訴訟。日前發(fā)布的第二份官方聲明則更像是一個(gè)科普，因?yàn)槁?lián)電要讓不了解情況的外界明白一件事——外界存在錯(cuò)誤的印象，認(rèn)為聯(lián)電沒有DRAM技術(shù)，而美光是全球知名的DRAM技術(shù)公司，所以爆出專利侵權(quán)訴訟時(shí)很多人一邊倒地相信沒有DRAM技術(shù)的聯(lián)電盜竊美光技術(shù)是成立的，而聯(lián)電這個(gè)聲明的目的就是向外界說明自己是有DRAM技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)的。

聯(lián)電公司詳細(xì)聲明如下：

聯(lián)華電子是國際公認(rèn)、***起家的半導(dǎo)體公司。38年來，在全球的供應(yīng)鏈上，已經(jīng)成為不可或缺的一員，先進(jìn)量產(chǎn)技術(shù)達(dá)14奈米。對(duì)比之下，美光公司爭執(zhí)所涉及的DRAM技術(shù)，是32奈米，在聯(lián)華電子的計(jì)畫啟動(dòng)當(dāng)時(shí)，已經(jīng)是落后幾個(gè)世代的技術(shù)。

社會(huì)上有一個(gè)錯(cuò)誤的印象，認(rèn)為聯(lián)華電子沒有任何DRAM的知識(shí)或經(jīng)驗(yàn)，這不是事實(shí)，而且是極端的不實(shí)。從1996年到2010年，聯(lián)華電子積累了近15年制造DRAM產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)。甚至在某個(gè)時(shí)間點(diǎn)上，聯(lián)華電子內(nèi)部DRAM團(tuán)隊(duì)人數(shù)，超過150人。

聯(lián)華電子是一個(gè)有組織的企業(yè)機(jī)構(gòu)，藉由堅(jiān)實(shí)而穩(wěn)定的團(tuán)隊(duì)，掌握并保存了豐富的DRAM知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)。舉個(gè)例子來說，現(xiàn)任聯(lián)華電子共同總經(jīng)理之一的簡山杰，是1996年時(shí)開發(fā)DRAM產(chǎn)品的RAM制程開發(fā)經(jīng)理。

另一個(gè)實(shí)例則是: Alliance公司是1996年第一個(gè)獲得聯(lián)華電子公司授權(quán)合作DRAM伙伴之一，該公司是一家總部位于美國的DRAM晶片設(shè)計(jì)公司，藉由聯(lián)華電子的技術(shù)進(jìn)行DRAM制造。除了傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)外，2009年聯(lián)華電子更成功開發(fā)了屬于自己的嵌入式DRAM制程技術(shù)，這比制造標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的過程要復(fù)雜得多。

聯(lián)華電子同意與晉華公司聯(lián)合開發(fā)DRAM制程，這是一個(gè)與聯(lián)華電子晶圓專工服務(wù)完全分開的單獨(dú)項(xiàng)目，在做成決策當(dāng)時(shí)，只是一個(gè)符合所有合理商業(yè)考量的單純商業(yè)交易，已經(jīng)向***政府正式提出申請(qǐng)，主管機(jī)關(guān)亦已于2016年4月核準(zhǔn)整個(gè)項(xiàng)目。值得一提的是，那時(shí)還未聽說有中美貿(mào)易戰(zhàn)。

自從聯(lián)華電子開始為晉華公司開發(fā)DRAM制程技術(shù)，履行合約義務(wù)，聯(lián)華電子已經(jīng)花費(fèi)了數(shù)億新臺(tái)幣。盡管這個(gè)專案的研發(fā)團(tuán)隊(duì)成員接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作過。

相反于美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象，聯(lián)華電子的DRAM技術(shù)基礎(chǔ)里的元件設(shè)計(jì)，是完全不同于美光公司的設(shè)計(jì)。簡而言之，聯(lián)華電子開發(fā)的記憶胞架構(gòu)是3x2布局的儲(chǔ)存單元，這與美光公司的2x3布局的儲(chǔ)存單元是完全不同的。

另一個(gè)錯(cuò)誤的印象是美光公司在美國開發(fā)了25奈米的DRAM技術(shù)。事實(shí)是，美光公司在2010年初，購買了***的瑞晶公司和日本的爾必達(dá)公司的25奈米DRAM技術(shù)。

聯(lián)華電子不要「在報(bào)刊上」進(jìn)行這場訴訟，但聯(lián)華電子要向我們的客戶和投資人保證，聯(lián)華電子對(duì)于任何子虛烏有的控訴和誤認(rèn)事實(shí)的指責(zé)，將全力并積極地自我防衛(wèi)。