“忻州半導體及新材料產業園”在忻州經濟開發區奠基標志著忻州戰略性產業集群發展揭開序幕，該項目集聚高端半導體基礎新材料的研發、加工及制造;以規?；A材料生產引來相應的集成電路芯片設計、制造及測封等配套產業進駐園區，利用半導體襯底材料強大的制造基礎，通過整合設計、測封及銷售企業，協同發展，逐步形成“協同式IDM”(CIDM，CommuneIntegratedDeviceManufacturer)的發展模式。

目前園區東區建設正在加緊建設，其中16700平方米集單晶體生長及晶片加工制造的砷化鎵車間已基本完成，進入設備安裝及運維調試階段，該車間是目前全球最大的砷化鎵晶片加工制造單體車間。

國家發改委人士在半導體新材料單晶片加工車間考察

2018年5月28日，******出席兩院院士大會并發表重要講話，講話中用“形勢逼人，挑戰逼人，使命逼人”來形容加快科技創新的緊迫感。他強調，中國要強盛、要復興，就一定要大力發展科學技術，努力成為世界主要科學中心和創新高地。而本次會議則為提高關鍵核心技術創新能力這一目標規劃出清晰的路線圖。全球半導體論壇微信：ic2025

十八大以來，******多次在不同場合都強調過科技創新的重要性，他還多次提到核心技術是國之重器，要加速推動信息領域核心技術突破，并指出核心技術受制于人是最大的隱患，而核心技術靠化緣是要不來的，只有自力更生。

2017年11月1日，“忻州半導體及新材料產業園”在忻州經濟開發區奠基標志著忻州戰略性產業集群發展揭開序幕，該項目集聚高端半導體基礎新材料的研發、加工及制造；以規?；A材料生產引來相應的集成電路芯片設計、制造及測封等配套產業進駐園區，利用半導體襯底材料強大的制造基礎，通過整合設計、測封及銷售企業，協同發展，逐步形成“協同式IDM”（CIDM，Commune IntegratedDevice Manufacturer）的發展模式。

目前園區東區建設正在加緊建設，其中16700平方米集單晶體生長及晶片加工制造的砷化鎵車間已基本完成，進入設備安裝及運維調試階段，該車間是目前全球最大的砷化鎵晶片加工制造單體車間。

山西省副省長林武與忻州市長鄭連生一同下在產業園調研

一

忻州驕傲與忻州速度

由戰略性新材料應用及核心技術突破為代表的新興產業發展是新經濟模式的一個重要標志，發展戰略性新材料在國際上發達國家間的競爭十分激烈，隨著我國經濟發展運行中逐漸顯現出的轉型升級的要求，戰略性新興產業集群的規劃及發展越發顯現其迫切性。此次落戶忻州的“半導體及新材料產業園”，其項目建設發起方“中科晶電”集團在十多年的發展中沉淀了雄厚的技術基礎和形成了核心的科研團隊，在市場擁有穩定的客戶，其砷化鎵單晶片的企業標準成為國標的參照體系。忻州經濟開發區此次打造的“半導體及新材料產業園”旨在把“中科晶電”集團位于北京亦莊、張家港廠區及揚州廠區搬遷到忻州經濟開發區，以該集團的技術力量和市場基礎為起點，為半導體及新材料等戰略產業集群落戶忻州經濟開發區打下了堅實的基礎。

“半導體及新材料產業園”園區由忻州市開發區通匯建設發展有限責任公司與中科晶電信息材料（北京）股份有限公司共同出資建設?！拔嗤┬局扌℃偂表椖课挥谛弥蓍_發區七一路以東，開元街以北，新建路以西為西區，正豐街以南及云中路以西圍成的東區；總規劃用地約2242畝（分為東區：202畝，西區：2040畝）。園區包括產業區、學研中心、總部基地、孵化基地、會展商務、國際學校及人才公寓，總建筑面積約119.74萬m（2東區11.36萬m2，西區108.38萬m2）。總投資2.5億元，配套建筑面積約1.7萬平方米，建設有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化鎵襯底材料大規模生產線，規劃年產砷化鎵單晶片折合４英寸200萬片，著力推動砷化鎵襯底材料產業化項目成為忻州科技產業發展的新動力、新引擎、新亮點，努力為產業升級起到積極的示范作用。

截至目前，東區砷化鎵單體車間已進入設備安裝調試階段（4吋、6吋試樣已出品送國外檢測），藍寶石晶體車間準備進入內裝施工、藍寶石晶片車間完成基礎澆筑，科研樓五層頂板施工等；東區完成總工程量55%，西區進入規劃方案待審批階段。前不久，山西省副省長林武和國家發改委的領導先后到園區考察，對忻州能夠引回這樣一個大項目、新項目，感到震驚和滿意。

該項目從2017年10月開始洽談，2017年11月奠基，由于冬季施工的耽誤，到2018年3月才開始破土動工，但到今年8月，砷化鎵單體車間基本完工，藍寶石廠房完成55%，如此速度令人咋舌。前來投資的中科晶電信息材料（北京）股份有限公司陳宏董事長對建設進度非常滿意，認為忻州通匯建設發展有限責任公司承擔的建廠任務，其建設速度真趕上了當年的“深圳速度”，忻州通匯建設發展有限責任公司董事長劉明義自豪地說，這是我們的“忻州速度”。

省人大常委會副主任、市委書記李俊明，市委副書記、市長鄭連生出席中科晶電忻州項目開業運營儀式

二

項目重大，意義重大

隨著我國大力推進“互聯網+”行動計劃，移動智能終端產業作為即時通信的基礎，尤其是我國搭上并引領5G產業發展的快車，芯片制備必將迎來新一輪的蓬勃發展。集成電路不僅是移動終端產業發展的核心，更是關乎國家信息安全的戰略性產業。為此《國民經濟和社會發展第十三個五年規劃綱要》《國家新型城鎮化規劃（2014-2020年）》《國務院關于加快培育和發展戰略性新興產業的決定》等一系列政策的出臺，都將推進新材料等高新科技產業的發展。

當下我國藍寶石晶體、砷化鎵、硅等晶體生長及晶圓片材等半導體基礎材料的產業化生產屬起步階段，目前主要產品為中低檔產品。半導體及新材料產業園項目緊緊抓住國家鼓勵發展半導體新材料的機遇，因地制宜大力推進先進半導體基礎材料。

——該項目的問世，是落實國家“中國制造2025”重要戰略實施的需要。新材料行業是國務院公布《中國制造2025》中提出的十個產業發展重點領域之一。本次半導體及新材料產業園項目的建設的實施，落實了國家戰略重點領域發展部署，將成為新材料行業擴大產能、提升技術的重要載體。

——該項目的問世，是順應我國“十三五”戰略性產業快速發展的需要?！笆濉逼陂g國家將以科學發展為主題，以加快轉變經濟發展方式為主線，進一步推進經濟結構戰略性調整，優化升級產業結構，在這一背景下，戰略性新興產業、現代服務業等成為投資的熱點。本次半導體及新材料產業園項目的建設，符合國家新時期戰略新興產業發展規劃，可有效促進我國半導體基礎材料的快速發展，為我國經濟快速發展作出有力貢獻。

——該項目的問世，是滿足當前半導體基礎材料市場發展的需要。從產業的宏觀來看，目前我國尚處于初級階段。一方面技術人才缺乏，技術壁壘太高，另一方面國內專注于該產品的公司不多。下游應用市場（背光源市場的LED電視、LED電腦顯示屏等）的放量使得上游產品供不應求，藍寶石襯底一路上漲，此時選擇以藍寶石襯底為切入口介入LED行業，無論從盈利來看還是LED行業發展周期來看，時機都甚是恰當。因此，半導體及新材料產業園建設項目，以半導體基礎材料為產業核心，聚合上下游關聯企業建設半導體及新材料產業園，不僅具有巨大的市場，滿足當前半導體基礎材料市場發展的需要，而且將可獲得可觀的經濟效益。

——該項目的問世，是順應我國高新技術產業發展規劃的需要。半導體基礎材料是我國重點發展的戰略性新興產業之一，忻州市半導體及新材料產業園以半導體基礎材料藍寶石晶體、砷化鎵晶圓及砷化鎵單晶片等新型化合物信息功能材料生產為主導主業，項目建設符合國家發改委、科技部、商務部加快培育和發展戰略性新興產業規劃，是我國新時期經濟社會發展的重大戰略任務，屬于國家重點鼓勵、優先發展的高新技術產業。

——該項目的實施，有利于促進區域產城融合發展。項目挖掘了原來分散在全國各地小廠的半導體新材料生產技術優勢，同時挖掘利用了忻州的自然資源優勢，體現IT芯片產業的特色，挖掘產業的內容及活力，用產業的活力帶動整個產業鏈的發展，形成良好的供需關系，創造園區的發展動力和可持續的基礎。同時有利于改善城鎮發展面貌，提高人民群眾生活質量；有利于挖掘優勢資源，發展壯大特色產業，從而促進區域產城融合發展。

——該項目的問世，是實現忻州市產業結構轉型升級的必然選擇。忻州市現有的主導產業結構單一、類型落后，缺乏可持續性和發展前景。受產業結構的局限，地方經濟無法得到健康長遠的發展，選擇新型戰略行業、高新技術產業，走科技含量高、經濟效益好、資源消耗低、環境污染少、安全有保障、人力資源優勢得到充分發揮的發展道路，發展先進制造業，是忻州市產業結構轉型升級的必然選擇。

三

誘人的剛玉——藍寶石

這里說的藍寶石，不是人們常用作首飾的天然礦物質藍寶石（天然藍寶石主要成分也是Al2O3），是用化工級別高純度氧化鋁多晶經過加熱到熔融狀態再結出的單晶體，再根據晶體的方向性進行切磨拋等加工工序。

藍寶石（Al2O3）晶體是一種集有優良光學性能、物理性能和化學性能的獨特結合體，作為一種重要的技術晶體，已被廣泛地應用于科學技術、國防與民用工業、電子技術的各種要求苛刻的領域。具有高強度、高硬度，耐高溫、耐磨擦、耐腐蝕、透光性能好、電絕緣性能優良等一系列優良的理化特性，是精密儀表機械軸承的理想材料。近年來，在電子產品生產中主要應用于兩個方面，一方面是GaN基LED，另一方面是移動電話的射頻轉換器件。也使用在表面聲波組件、手術用尖端對象、內視鏡鏡頭、飛彈彈頭罩、透紅外窗口材料、微電子領域的襯底基片、激光基質、光學元件等其它用途。除此之外，藍寶石材料電絕緣性能優良，六方對稱結構，化學性能穩定，是極好的半導體、超導襯底材料（漏電容和寄生電容小）。由于高強度、耐腐蝕、高熱導率、高透光特性及寬透光波段（從近紫外到7um中紅外波段），是理想的窗口材料和光學元件材料，在中小尺寸的電子器件中的應用應該越來越廣泛，如手機、平板電腦等。隨著科學技術的迅猛發展，藍寶石晶體已經成為現代工業，尤其是微電子及光電子產業極為重要的基礎材料。由于透光性能優良，也是高級手表首選的表蓋材料。

半導體照明是一個年輕的行業，由于前景看好，各地LED廠商均積極擴產，據統計，僅2012年全球新增加的MOCVD設備數量就達到2000臺，將會出現持續增長的趨勢?；馃岬耐顿Y，帶動了上游材料的需求量。而高質量的藍寶石晶體材料將伴隨著LED的新興應用水漲船高，比如在普通照明和電視、電腦等LCD背光應用中，對基于藍寶石襯底的LED呼聲很高。此外，電信市場中的RFIC器件采用藍寶石襯底材料，也是藍寶石應用的另一項增值點。

目前，藍寶石晶體材料產品長期被國外公司壟斷，主要是美國、日本和俄羅斯的幾家大型企業，現階段國產顯示、通訊、照明等器材上使用的LED藍寶石晶片完全依賴進口。同時，亞洲也是藍寶石最大的消費地，僅臺灣企業和日本企業就分別用去了銷售總量的58%和19%。根據消費電子需求中不同種類的需求，以及智能手機和智能手表的出貨量預測，到2020年，全球藍寶石材料消費電子市場營收將從2015年的70.5億人民幣增長到341.5億人民幣，年均復合增長速度達到37.1%。

來忻州落戶的企業項目的生產技術來源于烏克蘭全球領先的高質量藍寶石晶體生產技術，包括全套的生產技術及生產設備，采取了引進消化吸收的合作模式，技術團隊來自中科院的技術骨干，曾遠赴烏克蘭長時間培訓（資深藍寶石專家——李托維諾夫院士親自培訓），公司產品技術成熟可靠，得到了用戶的認可，訂單數量不斷增加。隨著半導體產業市場的不斷擴大，公司現有產能已不能滿足客戶需求，因此，公司借機提出藍寶石晶體材料產業化項目，提高公司藍寶石晶體的生產能力，努力實現使企業成為藍寶石晶體行業的領導者。團隊率先研發了改良型高質量藍寶石襯底生長技術（AKY長晶法）、X2單晶生長技術系統、創新型光刻工藝及創新型ICP刻蝕技術，其中X2單晶生長技術屬業內首創，而其他幾項技術也均屬行業重大突破或重大改進。項目立足4英寸藍寶石襯底（平片及PSS）的產業化，能夠兼容2英寸產品。依托項目技術試產的樣品，成本更低、良品率更高；試產樣品同時也通過了美國蘋果公司和韓國三星公司攝像頭供應商藍思科技的認證。技術團隊在擁有以上先進技術的同時，也開展了粗化PSS（Rough-PSS）、納米結構PSS（Nano-PSS）等前瞻性技術儲備工作，確保競爭優勢。近年來，對結構類和功能類藍寶石的興趣已擴展到更大的范圍。甚至有學者認為藍寶石的“復興”是現代材料科學中意義最重大的趨勢之一。專家們一致判斷在不久的將來，藍寶石將成為材料科學的一種基礎材料，市場價值巨大。

藍寶石晶體及晶片項目總建設用地為311畝，將購置各種機生產設備，完善相關配套條件，建成年產藍寶石晶棒4吋計共2066萬毫米，年產藍寶石晶片4吋計共2066萬片的生產線，投資總額39.48億元，營業收入21.69億元，上繳稅收4.22億元，新增就業人數520人。

砷化鎵車間室外液氮罐

四

半導體新族——砷化鎵

砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體，砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱。

砷化鎵是當代國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性，是光電子和微電子工業最重要的支撐材料之一。以砷化鎵為代表的第二代半導體，廣泛應用于制造高頻、高速、大功率、低噪聲、耐高溫、抗輻照等集成電路領域，已經發展成為現代“電子信息產品”和“信息高速公路”關鍵技術，5G芯片市場非常好，產品供不應求。

來忻落戶的企業項目團隊技術優勢非常雄厚，集團公司下設經北京市科委審核認定的省級獨立研發中心，由擁有中國科學院半導體研究所專業研究背景，具備25年砷化鎵研發和產業化生產管理經驗，曾組織和參與實施多項國家級國防科研項目的砷化鎵行業國內著名專家及擁有砷化鎵世界龍頭企業豐富研發及管理經驗的大直徑砷化鎵單晶制備法發明者共同主管。中心配備數十名研發人員，并聘請多名行業資深專家作為顧問，研發人員素質高、專業精、創新能力強、穩定性優。

該項目擁有多臺經自有技術改造的業內先進研發設備，自成立以來，不斷創新，成功研發了具備國際先進、國內領先水平的核心技術，并先后獲得多項國家級發明專利和實用新型專利授權。集團公司近幾年累計投入研發資金超過6億元。

該項目擁有多條完整生產線，可在最短時間內響應研發成果產業化推廣需求。自成立以來，累積銷售砷化鎵襯底1100余萬片（以折算2英寸計）。

砷化鎵作為優勢材料的一種，依托強大的研發團隊支持，集團公司與北京工業大學光電子技術實驗室在光電子工業用砷化鎵材料技術升級與改進方面開展了合作，還與北京工業大學固體微結構與性能研究所開展關于“微結構光電功能材料、先進電子材料與微結構器件、微結構設計與性能預測”等相關內容的共同研究，獲得北工大相關發明專利全球獨占許可授權，是產學研的突出表現。還承擔了產業鏈下游知名上市公司——利亞德光電股份有限公司北京地鐵14號線數十座車站乘客信息顯示系統顯示屏（LED領域）建設，負責采用新型砷化鎵晶體生長方式研制4英寸砷化鎵晶體及晶片，是帶動下游產業輻射帶動的突出表現。

落戶忻州的砷化鎵項目的建設內容為：總建設用地195畝，建成年產砷化鎵晶棒共371.5萬毫米（按4吋計），年加工砷化鎵晶片4吋計共592.2萬片的生產線。年產晶片600萬片（按4吋計），投資總額9.88億元，營業收入10.36億元，上繳稅收2.78億元，新增就業人數510人。據調查，如此生產規模是目前世界最大的生產基地，項目達產后忻州產砷化鎵晶片將占全球60%的出貨量。

五

射頻核心——MMIC

微波射頻集成電路是無線通訊領域的核心技術，是國際芯片設計領域公認的最難設計的集成電路品種。在所有的手機中，大約一半的芯片成本來源于微波射頻芯片，射頻芯片主要芯片的襯底材料就是我們忻州半導體新材料產業園所生產的砷化鎵單晶片（及其生長出的圖形化外延片）。

在移動通信功率器件和光電器件市場需求推動下，全球GaAs芯片市場以30%的年增長率迅速形成數十億美元的大市場，根據Needham公司預測，未來20年砷化鎵集成電路市場都具有高增長性。隨著移動通信市場的快速增長，2014年手機與基站的功率放大器的市場需求占據GaAs集成電路需求的85%左右。特別是由于4G移動通訊網絡的高速發展，市場對GaAs集成電路產品需求迅速增長。目前，全球超過90%的智能手機和移動終端都采用砷化鎵集成電路制作功率放大器，以提供更長的手機通話時間與待機時間。2014年砷化鎵功率放大器市場規模超過40億美元，砷化鎵集成電路市場規模約為50億美元，預計砷化鎵功率放大器市場規模的年增長率超過15%。近年來，高數據速率的WiFi市場保持20%的年復合增長率，砷化鎵WiFi數據傳輸芯片已發展成為GaAs集成電路的第二大市場。

來忻落戶的該項目企業的技術優勢十分強大，微波芯片MMIC的團隊有NEC資深技術專家，技術團隊從事pHEMT與HBT生產技術研發工作，具有20年半導體技術研發經驗，在IEEE MTT-S上發表過多篇技術論文，并獲得過多項技術專利，其中來自日本的尾藤先生在微波芯片項目中擔任總經理兼技術總監，負責產品的技術及研發工作。他的主要成果有：2000年世界最高功率的砷化鎵增強型pHME開發與IC芯片量產化成功，主要客戶美國摩托羅拉；2006年世界上第一個低電壓工作射頻pHEMT放大器芯片開發與量產化成功，主要客戶日本索尼；2016年，0.25um pHEMT放大器芯片開發成功，和世界第一的美國Skyworks產品相比功率增加了4%。移動終端射頻前端芯片濾波器技術：聯手國內學者推出產品RDA6231，獲得“中國2012年度電子成就獎年度最佳IC獎”，系列專利凸顯在GaAs pHEMT獨特的制造工藝和一些專有的電路設計技巧。

忻州產業園的建廠思路是以革新的射頻前端架構和電路技術，結合產業鏈的完整布局，致力于向市場提供具有高性能、高性價比的射頻前端集成電路產品，包括2G/3G/4G/MMMB射頻功率放大器（PA）及射頻前端芯片，射頻開關芯片（Switch），低噪聲放大器芯片（LNA），WiFi射頻前端芯片以及射頻電源芯片（Power management）等。已有3個型號Filter/Duplexer產品EWLAP:Etra Wafer-Level Acoustic-device Package擁有完全知識產權的晶圓級封裝方案，技術比肩歐美濾波器巨頭（Avago，Qorvo，EPCOS）。

微波功率芯片項目總建設用地為176畝，本項目完成后可生產6英寸高品質的微波功率芯片產品。年產晶片60萬片（按6吋計），投資總額30.25億元，營業收入47.84億元，上繳稅收7.42億元，新增就業人數540人。

砷化鎵車間外景

六

建設規模與投資環境

來忻落戶的半導體及新材料產業園目前正在申報特色小鎮——“梧桐芯洲小鎮”，寓意梧桐引來金鳳凰、產業園區是芯片之洲（芯洲還與忻州諧音）。項目根據國內發展狀況，以發展半導體及新材料工業產業為主，輔以產業研發、職業培訓、技術應用孵化配套支持，在2242畝土地上，建成建筑面積119.74萬㎡，將是忻州最大的產業園區，也是山西省集群化產業發展的示范園區。這是在“中國制造2025”國家發展戰略大環境下，在山西全面深化改革、促進資源型地區轉型發展的大背景下，抓住忻州得天獨厚的區位、便利的資源成本和較低的勞動用工成本優勢，在省市各級政府的持續重點關注和大力支持下設立的新型半導體材料砷化鎵晶體及晶片制造加工項目。

本項目擬建的內容包括：一是與半導體及新材料產業相關的半導體材料生產基地，有藍寶石晶體及晶片項目、砷化鎵晶片項目、微波芯片項目；二是與半導體及新材料產業相關的產經服務配套建筑；三是學研中心和產業孵化基地；四是建設半導體及新材料產業總部辦公區；五是產業人才培訓學院及國際學校；六是專家宿舍；七是園區配套基礎設施，包括園區道路、供配電、給排水、供暖、燃氣、通訊等……

規模是宏大的，功能是齊全的。當我們目睹這世界最大單體車間的飛快建設速度的時候，當我們佇立園區大門遙望忻州這充滿生機的城市的時候，不由自主地會思索：這些企業為何從江南、首都、晉南、晉中等地遷來，決定投資以后，又能如此快捷順暢地辦好土地、環保、城建、電業、供水等種種手續，個中原因肯定很多，但我們可以自豪地下一個結論，忻州已經成為全國宜業宜居的城市，忻州招才引智、以商招商的良好投資環境肯定是誘人的！

這些疑問，筆者在忻州市開發區通匯建設發展有限責任公司得到了解答，董事長劉明義告訴筆者：忻州的投資環境肯定很好，這個半導體園區項目就可管中窺豹。這個園區項目在前期策劃、項目規劃、組織立項及前期建設過程中，市級及開發區各職能部門間的密切配合、一事一議精準服務等方面的感人事例不必詳述，就領導重視方面也是非常感人的，省人大常委會副主任、忻州市委書記李俊明來過，分管工業和引資上項的副省長來過，忻州市長鄭連生來過，常務副市長趙志堅來過，許多領導不止來一回，有的甚至十來八回，來了都是直接了當問有什么困難，需要怎么解決，你一告訴，馬上會得到解決。有這么多的領導過問和支持，項目豈有不成功之理？

在本文成稿之后的2018年11月3日，中共山西省委書記駱惠寧來到這個半導體新材料單晶片加工車間調研，當了解到中科晶電信息材料公司生產的5G芯片產品已部分下線，整個微波芯片及集成電路項目將在明年上半年全部建成，駱惠寧鼓勵企業堅持國際一流標準，把握住國產高端芯片及集成電路發展的歷史機遇，成為山西信息技術產業的領跑者。

緊接著，在11月5日，中科晶電忻州半導體產業基地砷化鎵項目正式開業運營。省人大常委會副主任、市委書記李俊明到會祝賀并致辭。市委副書記、市長鄭連生，中科晶電集團聯合創始人陳宏，中科晶電集團公司董事長張杰，晶元光電股份有限公司董事長李秉杰，項目的長期客戶、供應商、合作伙伴，以及來自半導體芯片產業各環節企業的眾多嘉賓同慶共賀項目正式運營。

李俊明代表市委、市政府歡迎各位企業家的到來，感謝大家長期對忻州的關心，向中科晶電忻州砷化鎵襯底材料產業化項目正式開業運營表示熱烈祝賀。他說，發展是第一要務，人才是第一資源，創新是第一動力，轉型是第一任務。在忻州構建新型產業發展體系、加快轉型發展步伐的重要時期，中科晶電忻州砷化鎵項目正式運營具有重要意義。忻州具有良好的人文環境、人居環境、政務環境、法治環境、社會環境、投資環境，齊備的資源稟賦具備打造從鋁礬土開始到氧化鋁、高純鋁、砷化鎵、半導體及芯片產品的全產業鏈體系，對于發展以砷化鎵襯底材料為基礎的第二代半導體材料，打造芯片之都，具有獨特優勢。忻州正在著力打造一產的“中國雜糧之都”和二產的“中國法蘭鍛造之都”，來忻的半導體產業各環節的企業界嘉賓將發展芯片產業的所有要素集聚到忻州，更加堅定了我們打造“中國第二代半導體芯片之都”的信心，讓我們一起從“芯”起點，走向“芯”跨越，迎來“芯”時代，共同揭開忻州半導體產業新篇章，實現忻州轉型發展新跨越。

省委書記的調研也好，市委書記、市長參加開業儀式也好，特別是市委書記李俊明那激動人心的講話，進一步證明了山西乃至忻州這個肥沃的宜業土壤，正在生長著傲立世界之林的參天大樹！（文／楊峻峰 攝影／楊峻峰、范濤、楊怡）

全球最大的半導體新材料單晶片生產園區規劃圖