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中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機獲臺積電驗證

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2018-12-18 15:10 ? 次閱讀

在臺積電宣布明年將進行5納米制程試產(chǎn)、預(yù)計2020年量產(chǎn)的同時,國產(chǎn)設(shè)備亦傳來好消息。日前上觀新聞報道,中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機經(jīng)臺積電驗證,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。

據(jù)了解,在晶圓制造眾多環(huán)節(jié)中,薄膜沉積、光刻和刻蝕是三個核心環(huán)節(jié),三種設(shè)備合計可占晶圓制造生產(chǎn)線設(shè)備投資總額的50%~70%,其中刻蝕技術(shù)高低直接決定了芯片制程的大小,并且在成本上僅次于光刻。而5納米相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑(約為0.1毫米)的二萬分之一,方寸間近乎極限的操作對刻蝕機的控制精度提出超高要求。

雖然我國集成電路產(chǎn)業(yè)在設(shè)備領(lǐng)域整體落后,但刻蝕機方面已在國際取得一席之地,中微半導(dǎo)體成績尤為突出。

中微半導(dǎo)體是中國大陸首屈一指的集成電路設(shè)備廠商,2004年由尹志堯博士與杜志游博士、倪圖強博士、麥仕義博士等40多位半導(dǎo)體設(shè)備專家創(chuàng)辦,主要深耕集成刻蝕機領(lǐng)域,研制出中國大陸第一臺電介質(zhì)刻蝕機。

目前,中微半導(dǎo)體的介質(zhì)刻蝕設(shè)備、硅通孔刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備等均已成功進入海內(nèi)外重要客戶供應(yīng)體系。截至2017年底,已有620多個中微半導(dǎo)體生產(chǎn)的刻蝕反應(yīng)臺運行在海內(nèi)外39條先進生產(chǎn)線上。

在目前全球可量產(chǎn)的最先進晶圓制造7納米生產(chǎn)線上,中微半導(dǎo)體是被驗證合格、實現(xiàn)銷售的全球五大刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一,與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)為7納米芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機。

作為臺積電長期穩(wěn)定的設(shè)備供應(yīng)商,據(jù)悉中微半導(dǎo)體在臺積電量產(chǎn)28納米制程時兩者就已開始合作并一直延續(xù)至如今,這次5納米生產(chǎn)線將再次采用中微半導(dǎo)體的刻蝕設(shè)備,足見臺積電對中微半導(dǎo)體技術(shù)的認可,可謂突破了“卡脖子”技術(shù),讓國產(chǎn)刻蝕機躋身國際第一梯隊。

中微半導(dǎo)體首席專家、副總裁倪圖強博士向媒體表示,刻蝕機曾是一些發(fā)達國家的出口管制產(chǎn)品,但近年來已在出口管制名單上消失,這說明如果中國突破了“卡脖子”技術(shù),出口限制就會不復(fù)存在。

目前看來,臺積電將于明年率先進入5納米制程,中微半導(dǎo)體5納米刻蝕機現(xiàn)已通過驗證,預(yù)計可獲得比7納米生產(chǎn)線更大的市場份額。數(shù)據(jù)顯示,第三季度中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額首次超越韓國,預(yù)計明年將成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場,中微半導(dǎo)體也有望迎來更大的發(fā)展。

但整體而言,大陸刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化率仍非常低,存在巨大的成長空間,對于設(shè)備廠商來說,“革命尚未成功,同志仍需努力”。

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