聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
恩智浦
+關注
關注
14文章
5864瀏覽量
107734 -
GaN
+關注
關注
19文章
1947瀏覽量
73685 -
蜂窩
+關注
關注
0文章
122瀏覽量
25179
發布評論請先 登錄
相關推薦
CERNEX寬帶高功率放大器(GaN)
CERNEX寬帶高功率放大器(GaN)CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各種類型通用性技術應用,如實驗測試設備、儀表設備和其他需
發表于 01-08 09:31
在航空航天應用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射頻功率放大器
電子發燒友網站提供《在航空航天應用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射頻功率放大器.pdf》資料免費下載
發表于 09-04 09:34
?0次下載
1.2-1.3GHZ頻段的的VTX 射頻芯片方案
想整個1.2-1.3GHZ頻段的的VTX 應用,diy下,不知哪位大俠有相關頻段的射頻芯片+PA介紹,是1.2--1.3Ghz,不是5.8GHZ (RTC6705+RTC6659E方案),跪求~
發表于 06-18 09:00
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰
中產生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時存在一些挑戰。在本文中,我們將重點介紹其中的一些,同時總結它們在GaN功率器件中的一些潛在應用。01有幾個因素決
氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發的優勢與挑戰
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中,GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優勢也推動了它在多樣化應用中的電源轉換使用
GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法
氮化鎵具有許多內在材料優勢,如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時,這些特性可用于獲得功率轉換性能優勢,因為其無反向恢復損失且電容相對較小。隨著這項技術
AM08012041WN-XX-R GaN MMIC 功率放大器
AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款寬帶GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
發表于 03-15 09:36
功率GaN的多種技術路線簡析
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)功率GaN的大規模應用,其實也只有六七年的歷史,從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前,從晶體管來看,功率GaN主要的產品是HEMT(
功率GaN,炙手可熱的并購賽道?
? 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)繼去年英飛凌收購GaN Systems之后,2024年1月,另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022年
評論