Anaflash(加利福尼亞州圣何塞)是一家初創公司,它開發了一種測試芯片,用于演示在邏輯兼容的嵌入式閃存中進行的模擬神經網絡計算。
該公司由Suvolta的前模擬設計副總裁Sang-Soo Lee于2017年成立。明尼蘇達大學的研究人員在舊金山舉行的國際電子器件會議上發表了一篇關于其方法的論文。該論文的標題為:“A 68 parallel row access neuromorphic core with 22K multi-level aynapses based on logic-compatible embedded flash memory technology”
該論文討論了一種利用邏輯兼容的嵌入式閃存技術的尖峰神經形態核心,用于存儲多級突觸權重,用65nm的標準CMOS工藝流片。這種存儲器支持5級的讀操作,相當于2.3位(5=2^2.3)。
該芯片具有多級非易失性權重存儲,單周期因子聚合和尖峰生成,可包含320個神經元。使用程序驗證序列調整權重,允許同時對68個單獨的單元因子求和。作者說,據他們所知,這是迄今為止報道的最高之一。
68個并排設計支持22,000個多級突觸,這些基于電子閃存的突觸是非易失性的,因此待機功率為0且支持即時的開/關操作。
該測試芯片用于手寫數字識別時,其準確度達到了91.8%。該論文指出,最大吞吐量為1.28G像素/秒,單個神經元電路的平均功耗為15.9微瓦。
該公司宣布已在美國和其他國家提交專利申請。
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原文標題:支持機器學習的嵌入式閃存研發成功
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