對應(yīng)于0.5V低輸入電壓的1A高速LDO電壓調(diào)整器

XC6602/XC6603/XC6604系列產(chǎn)品因?yàn)槟軓?.5V的輸入電壓開始工作，且導(dǎo)通電阻低，最適用于需要在低電壓帶高效率地輸出大電流的應(yīng)用目的。

各個系列產(chǎn)品都搭載了軟啟動功能，進(jìn)而XC6603系列產(chǎn)品能用外置的電容調(diào)整軟啟動功能的啟動上升時間。此外，XC6604系列產(chǎn)品搭載了能從外部改變電流的限定電路，用外置電阻調(diào)整電流的限定值。

用N溝道MOS驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)了低輸入電壓，低電壓差，低輸出電壓

既往的LDO如圖1所示，把P溝道MOS晶體管作為驅(qū)動晶體管使用。這種情況下，驅(qū)動晶體管的VGS變得最大成為VIN-VSS之間的電壓，因?yàn)殡SVIN降低VGS也下降，傾向于電壓超低導(dǎo)通電阻也越高。此外，為了使IC工作，不能把VIN降低到所需要的電壓以下。

另一方面，如圖2所示，把N溝道MOS晶體管作為驅(qū)動晶體管使用的情況下，因?yàn)轵?qū)動晶體管的VGS變得最大成為VBIAS-VOUT之間的電壓，從3V系列/5V系列等高電平實(shí)施VBIAS偏置，并且VOUT的電壓越低VGS則增高，能在低導(dǎo)通電阻下工作。

如把N溝道MOS晶體管作為驅(qū)動晶體管，即使在類似VIN=1.2V，VOUT=1.0V的低電壓差的條件下，也能提供大電流。（圖3）

XC6603系列產(chǎn)品，能從外部調(diào)整軟啟動

因?yàn)檐泦与娏髂芊乐笽C啟東時從VIN流入VOUT的沖擊電流，從而可以抑制由于沖擊電流引起的VIN線路上的電壓變動。

此外，在圖3所示的使用電路事例中，不用擔(dān)心由沖擊電流引起前端IC的過電流保護(hù)啟動，還能實(shí)施程序控制。既然是低導(dǎo)通電阻，還能實(shí)現(xiàn)不使沖擊電流給其他IC帶來惡劣影響、電源電壓圓滑地啟動上升。

雖然XC6602，XC6604系列A型產(chǎn)品的軟啟動時間在內(nèi)部設(shè)定為430μs，而XC6603系列產(chǎn)品則能用外置電容（CSS調(diào)整）。由此能實(shí)現(xiàn)相對于沖擊電流的最佳軟啟動時間。

測量條件：VBIAS=3.6V, VIN=1.5V, VOUT=1.2V, VCE=0V-3.6V(tr=5μs), IOUT=100mA, CBIAS=CIN=1.0μF, CL=10μF, Ta=25°C

*在SS引腳成開路時的情況下，軟啟動電路不工作，與不具備軟啟動功能的產(chǎn)品相同地工作。VSS短路時VOUT不啟動上升。

XC6604系列產(chǎn)品，能任意設(shè)定限定電流值

XC6602/XC6603/XC6604系列產(chǎn)品的限定電流電路，當(dāng)超過了最大輸出電流，達(dá)到一定的電流值后限定電流電路（反饋電路）開始工作，逐漸地降低電流值，能防止損壞IC。

各個系列產(chǎn)品的限定電流值由內(nèi)部設(shè)定為1.3A（TYP.），進(jìn)而XC6604系列產(chǎn)品還能配合必須的電流范圍由外置電阻（RLIM）任意地調(diào)整。

測量條件:VBIAS=3.6V, VIN=1.5V, VOUT=1.2V, VCE=VBIAS, CBIAS=CIN=1.0μF, CL=2.2μF, Ta=25°C