采用氮化鎵材料的電子器件介紹
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
ti
+關注
關注
112文章
7986瀏覽量
212676 -
電子器件
+關注
關注
2文章
592瀏覽量
32126 -
氮化鎵
+關注
關注
59文章
1643瀏覽量
116478
發布評論請先 登錄
相關推薦
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別？
，引入了“氮化鎵（GaN）”的充電器和傳統的普通充電器有什么不一樣呢？今天我們就來聊聊。材質不一樣是所有不同的根本
傳統的普通充電器，它的基礎材料是硅，硅也是電子行業內非常重要的
發表于 01-15 16:41
羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰略合作伙伴關系
12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當地時間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發和量產事宜建立戰略合作伙伴關系。 羅姆此前已于 2023 年采用
合作案例 | 一文解開遠山氮化鎵功率器件耐高壓的秘密
引言氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，近年來在電子領域大放異彩，其制成的氮化
分立器件在45W氮化鎵快充產品中的應用
如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體新材料得到廣泛應用，它們具有更高的導熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點。氮化
氮化鎵和砷化鎵哪個先進
景和技術需求。 氮化鎵（GaN）的優勢 高頻與高效率 ：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應用中表現出色。例如，在5G通
氮化鎵和碳化硅哪個有優勢
的電子遷移率和較低的損耗，使其在高頻應用方面表現出色。這使得氮化鎵成為制造微波器件、功率放大器以及射頻IC等高頻電子設備的理想
碳化硅與氮化鎵哪種材料更好
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿場強等優異的物理化學性質，被廣泛應用于高溫、高頻、高功率等極端環
華燦光電在氮化鎵領域的進展概述
7月31日，是世界氮化鎵日。在這個充滿探索與突破的時代，氮化鎵憑借其卓越的特質和廣袤的應用維度，化作科技領域的一顆冉冉升起的新星。氮化
高功率電子器件的散熱方案
高功率密度電力電子器件是電動汽車、風力發電機、高鐵、電網等應用的核心部件。當前大功率電力電子器件正朝著高功率水平、高集成度的方向發展，因此散熱問題不可避免的受到關注。 一、新興散熱材料 金剛石增強
Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導體行業的領軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統級封裝氮化
Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
（偉詮電子，TWSE：2436）今日宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦
鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術平臺
珠海鎵未來科技有限公司是行業領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業，致力于第三代半導體硅基氮化鎵
AI的盡頭或是氮化鎵？2024年多家廠商氮化鎵產品亮相，1200V高壓沖進市場
電子發燒友網報道（文/劉靜）氮化鎵是最新的第三代半導體材料，最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成，2019年開啟在快充領域大規模商用。經過五六年的培育，
工商網監
評論