聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電路
+關注
關注
172文章
5938瀏覽量
172508 -
ti
+關注
關注
112文章
7985瀏覽量
212618 -
MOSEFT
+關注
關注
0文章
35瀏覽量
4423
發布評論請先 登錄
相關推薦
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
發表于 01-04 12:37
Diode的反向恢復特性的機理和模型原理
MOSFET、同步 Buck 變換器的續流開關管、以及次級同步整流開關管,其體內寄生的二極管都會經歷反向電流恢復的過程。功率 MOSFET 的體二極管的反向恢復的
功率MOSFET故障分析
控制、轉換和調節。然而,由于其工作環境復雜且多變,功率MOSFET在使用過程中可能會遇到各種故障。本文將對功率MOSFET的常見故障進行分析,并探討其故障機制和預防措施。
影響MOSFET開關損耗的因素
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的開關損耗是電子工程中一個關鍵的性能參數,它直接影響到電路的效率、熱設計和可靠性。下面將詳細闡述
碳化硅MOSFET的開關尖峰問題與TVS保護方案
在電力電子領域,碳化硅(SiC)MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而,即使性能卓越,SiC MOSFET在開關過程中也可能面臨電壓尖峰的問題。本文將從專業硬件工程師的角度,探討
MOSFET的基本結構與工作原理
的反向阻斷和導通特性有明顯的影響。
為分析和表述方便,定義柵極到源極(就是柵極到體端)的電壓為UGS,漏極到源極的電壓為UDS,流經MOSFET的電流,即流入漏極的電流為ID。
MOSFET
發表于 06-13 10:07
功率 MOSFET、其電氣特性定義
本應用筆記介紹了功率 MOSFET、其電氣特性定義和使用說明。介紹了功率MOSFET的破壞機制和對策及其應用和電機驅動應用。電氣特性定義及使用說明
功率
發表于 06-11 15:19
開關MOSFET為什么會有振鈴和電壓尖峰
開關MOSFET中產生振鈴和電壓尖峰的現象是電力電子轉換過程中常見的問題,尤其是在高頻開關應用中更是如此。這接下來,我們將詳細探討這些現象的起因。 振鈴的成因 寄生電感:在MOSFET
MOSFET的結構和工作特性
集成電路、功率電子、模擬電路等領域扮演著至關重要的角色。本文將詳細闡述MOSFET的結構和工作特性,并通過數字和信息進行具體說明。
IGBT的基本工作原理、開關特性及其輸入特性
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導體開關器件,它結合了MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)的低導通壓降特性,因此在高電壓、大電流的電力電子領域中得到了廣泛的應用。
如何使用MosFET開啟特性來抑制浪涌電流?
是否有白皮書明確規定了如何使用 MosFET 開啟特性來抑制浪涌電流?
設計類似于 TLE9853 評估板,H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過模擬感性負載,我們 CAN 控制電流
發表于 01-29 07:41
評論