聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
ti
+關(guān)注
關(guān)注
112文章
7986瀏覽量
212741 -
電壓
+關(guān)注
關(guān)注
45文章
5632瀏覽量
116085 -
MOSEFT
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
35瀏覽量
4426
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
柵極驅(qū)動ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動ic選型看哪些參數(shù)
一、柵極驅(qū)動IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色,它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 : 柵極
柵極驅(qū)動芯片怎么提高電流
柵極驅(qū)動芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量,可以線性地增加電流能力。這是因
柵極驅(qū)動芯片選型低功耗原因
柵極驅(qū)動芯片選型時(shí)考慮低功耗的原因主要有以下幾點(diǎn): 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動芯片能夠顯著降低整個(gè)系統(tǒng)的待機(jī)功耗,這對于需要長時(shí)間
簡述自激振蕩產(chǎn)生的原因
自激振蕩是指在沒有外部驅(qū)動信號的情況下,系統(tǒng)內(nèi)部由于某種機(jī)制自發(fā)產(chǎn)生的振蕩現(xiàn)象。這種現(xiàn)象在電子、機(jī)械、聲學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域中廣泛存在,其產(chǎn)生的
igbt驅(qū)動波形振蕩原因及解決方法
振蕩的原因 寄生參數(shù)的影響 寄生電容 :IGBT的寄生電容包括柵極-發(fā)射極電容(C_{GE})、柵極-集電極電容(C_{GC})和發(fā)射極-集電極電容(C_{EC})。這些電容在開關(guān)過程
mos驅(qū)動芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因
的作用 MOS驅(qū)動芯片的主要作用是為MOSFET提供合適的柵極驅(qū)動電壓和電流,以實(shí)現(xiàn)對MOSFET的快速、
柵極驅(qū)動器芯片的原理是什么
柵極驅(qū)動器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動器芯片是一種用于控制功率電子器件(如IGBT、MOSFET等)柵極
變壓器自激振蕩的產(chǎn)生原因
,深入理解和分析變壓器自激振蕩的原理,對于預(yù)防和控制這一現(xiàn)象具有重要意義。本文將從變壓器自激振蕩的定義、產(chǎn)生條件、產(chǎn)生原因以及影響因素等多個(gè)
Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器
近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
STM32F103VET6產(chǎn)生的PWM信號存在振蕩的原因?如何解決?
大家好,我使用STM32F103VET6 產(chǎn)生的PWM 信號,PWM信號在上升沿和下降沿產(chǎn)生振蕩現(xiàn)象,見圖中紅色區(qū)域,之前使用stm8S 產(chǎn)生的PWM信號D:1,并無
發(fā)表于 05-10 06:31
MOSFET柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)方案
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流,以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET,當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。
發(fā)表于 04-22 15:07
?2880次閱讀
MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的?柵源振蕩的危害什么?如何抑制
的自激振蕩現(xiàn)象。這種振蕩一般是由于MOSFET內(nèi)部參數(shù)和外部電路條件導(dǎo)致的,并可能對電路性能產(chǎn)生負(fù)面影響。 柵源振蕩的主要
評論