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Power Integrations推新款SIC MOSFET門極驅(qū)動器

西西 ? 來源:Power Integrations ? 作者:廠商供稿 ? 2019-02-27 12:46 ? 次閱讀

最大的峰值輸出門極電流;快速關斷;最佳絕緣。

美國加利福尼亞州圣何塞,近日訊:深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓,來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動器、電焊機和電源。

SIC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8 A驅(qū)動,因此可在不使用推動級的情況下支持輸出功率在數(shù)百千瓦以內(nèi)的SiC-MOSFET逆變器設計。這樣將提高系統(tǒng)效率,客戶只需完成一個設計即可覆蓋整個產(chǎn)品陣容中不同額定功率的逆變器。開關頻率高達150 kHz,可支持多種應用。

SCALE-iDriver SIC1182K SiC門極驅(qū)動器采用Power Integrations的高速FluxLink?通信技術,可大幅增強絕緣性能。FluxLink是一項革新性的信號傳輸技術,它可取代光耦器和電容性或硅基方案,顯著提高可靠性并提供1200 V加強絕緣。SCALE-iDriver器件還集成了多項對系統(tǒng)至關重要的保護特性,例如退飽和監(jiān)控和電流檢測讀出、原方和副方欠壓保護(UVLO)以及高級有源鉗位(AAC)。此外,保護電路還可以在5微秒內(nèi)提供安全關斷,滿足SiC器件的快速保護需求。SIC1182K SiC門極驅(qū)動器還具有較強的外部磁場抗擾性能,其封裝可提供≥9.5 mm的爬電距離和電氣間隙,并且所采用的材料達到了IEC60112標準的最高CTI級 —— CTI600。

Power Integrations門極驅(qū)動器產(chǎn)品高級市場總監(jiān)Michael Hornkamp表示:“碳化硅MOSFET技術開啟了減小尺寸和重量的大門,并且還可以降低電源系統(tǒng)的損耗。SCALE-iDriver產(chǎn)品系列采用FluxLink?技術,可設計出外圍元件數(shù)非常少且性能安全的高性價比逆變器,確保功能安全、封裝尺寸更小和效率更高。”

SCALE-iDriver技術可大幅減少所需的外圍元件數(shù),并降低BOM成本;不需要使用鉭電容電解電容,只需要一個副方繞組即可。可以使用雙層PCB來進一步簡化設計、減少元件數(shù)和簡化供應鏈管理。

Power Integrations的SCALE-iDriver SIC1182K SiC門極驅(qū)動器符合1000 V以下低壓設備IEC60664-1絕緣配合標準以及IEC61800-5-1電機驅(qū)動變頻器標準。新器件即將進行UL 1577安全標準的1分鐘內(nèi)5 kVAC瞬間絕緣耐電壓等級認證,VDE0884-10認證正在進行中。

該器件現(xiàn)已開始供貨,以10,000片為單位訂貨,單價為4.65美元。

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