續上回晶圓制程，我們簡單了解單晶硅片基本的加工過程：

主要分為：切斷→外徑滾圓→切片→倒角→研磨→腐蝕、清洗→刻蝕→拋光等。

硅片制備

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率、含氧量。

整形處理

外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。

硅片標識定位

激光刻印

切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。

切片

倒角：指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生。

研磨：指通過研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。

磨片和倒角

腐蝕、清洗：切片后，硅片表面有機械損傷層，近表面晶體的晶格不完整，而且硅片表面有金屬粒子等雜質污染。因此，一般切片后，在制備太陽能電池前，需要對硅片進行化學腐蝕。 在單晶硅片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是腐蝕后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。常見清洗的方式主要是傳統的RCA濕式化學清洗技術。

刻蝕

拋光

質量測量

改進要求

平整度

外延層

外延層

外延層結構