現(xiàn)在半導(dǎo)體制程的提升越來(lái)越困難,Intel因?yàn)楦鞣N原因深陷10nm的泥潭無(wú)法自拔,三星和臺(tái)積電則相對(duì)比較順暢雙雙跨入7nm時(shí)代。
AMD在GF宣布停止制程研發(fā)之后,將顯卡和CPU重新導(dǎo)入臺(tái)積電生產(chǎn),而比較有意思的是AMD居然先于NVIDIA一步,更早拿到了7nm工藝,由此帶來(lái)了第一張7nm的獨(dú)立顯卡產(chǎn)品,Radeon VII。
今天就帶來(lái)Radeon VII的測(cè)試報(bào)告。
產(chǎn)品外觀介紹:
由于拿到的是樣卡,所以沒(méi)有附件,直接開(kāi)始介紹顯卡的本體部分。
顯卡的整體外觀金屬感還是很足的,導(dǎo)風(fēng)罩和背板均為鋁合金材質(zhì)。模具與Vega 64的限量版相同,但是表面處理從拉絲鋁陽(yáng)極改為了磨砂鋁陽(yáng)極。
顯卡為三風(fēng)扇架構(gòu),現(xiàn)在公版與非公幾乎已經(jīng)沒(méi)有差別了。
顯卡頂部有一個(gè)Radeon字樣的LOGO燈。
顯示接口為3*DP+1*HDMI,比較標(biāo)準(zhǔn)的配備。顯卡厚度是標(biāo)準(zhǔn)的雙槽位。
顯卡的長(zhǎng)度約為27厘米,兼容性較好。
顯卡的高度略高于PCI擋板,總體高度在14厘米左右。
顯卡是有保修易碎貼的,沒(méi)有特別的理由最好不要拆解。
產(chǎn)品拆解介紹:
接下來(lái)對(duì)顯卡做一下拆解,顯卡主要由風(fēng)扇導(dǎo)風(fēng)罩、散熱器本體、PCB中框、顯卡PCB、顯卡背板,五個(gè)部分組成。
顯卡的背板沒(méi)有導(dǎo)熱墊,只起到固定作用,可以看到背面有很多絕緣墊避免短路。
顯卡PCB中框背面做了大量導(dǎo)熱墊,不過(guò)只針對(duì)于MOS管,供電PWM芯片沒(méi)有做導(dǎo)熱處理。
整張顯卡螺絲數(shù)量非常多,例如圖中PCB中框上有大量的螺絲,對(duì)應(yīng)PCB中框上的導(dǎo)熱墊保證壓力。拆起來(lái)比較煩,但好在設(shè)計(jì)還比較合理。
接下來(lái)介紹一下散熱器本體。
散熱器底座為一整張的均熱板,與核心接觸的部分沒(méi)有做鏡面處理。
核心的導(dǎo)熱材料是比較特殊的,并非傳統(tǒng)的硅脂,也不是液態(tài)金屬。微距來(lái)看的話可以看到大量的分層結(jié)構(gòu),所以是石墨材料,導(dǎo)熱效率會(huì)高于一般的硅脂。
巨大的底座上可以看到明顯的燒結(jié)端,所以是均熱板無(wú)誤。
離核心較遠(yuǎn)的一半散熱鰭片是靠五根拍扁的8mm熱管來(lái)散熱,可以看到與底座之間明顯的焊接痕跡。這樣做的原因應(yīng)該是避免均熱板做的過(guò)大增加不良率。
顯卡的散熱鰭片間距控制的很好,做工看著舒服。
有一個(gè)細(xì)節(jié)我覺(jué)得做的還是不錯(cuò)的,就是顯卡的散熱鰭片幾乎將風(fēng)扇的空隙都填滿(mǎn),盡可能增加散熱面積。
顯卡的風(fēng)扇FIRSTD,算是現(xiàn)在顯卡散熱器比較主流的代工廠商。
這張卡做的比較二的是顯卡LOGO燈的接線。原本是可以通過(guò)拆掉導(dǎo)風(fēng)罩上的四顆螺絲來(lái)取下整個(gè)導(dǎo)風(fēng)罩,對(duì)顯卡進(jìn)行灰塵清理,但是LOGO燈的接線被卡在散熱器本體下面,導(dǎo)致無(wú)法完全拆下。
產(chǎn)品PCB介紹:
整個(gè)PCB的方案與Vega系列較為近似,但是用料上明顯有了增強(qiáng)。
顯卡核心做的是比較特殊的地方,由于采用HBM2顯存,所以顯存與核心是封裝在一起的。Radeon VII非常兇殘地用到了16G HBM2顯存,所以是目前顯存帶寬最大,容量也最大的游戲顯卡。
相對(duì)來(lái)說(shuō)核心反而顯得比較小了。由于Radeon VII的核心是Vega 64的改進(jìn)型,并沒(méi)有暴力擴(kuò)大規(guī)模,采用7nm制程之后核心面積就明顯縮小,對(duì)比這代RTX 20系列的核心可以說(shuō)顯得頗為迷你。
顯卡的供電接口后方有兩顆R56差模電感和四顆聚合物電容,不過(guò)沒(méi)看到傳統(tǒng)上會(huì)放的保險(xiǎn)絲。
由于顯卡的核心與顯存是共同封裝的,所以供電也是擺在了一起,整個(gè)核心+顯存一共是14相。
顯卡的供電PWM芯片為兩顆IR 35217,結(jié)合PCB來(lái)看,顯卡的供電應(yīng)為10+4相,核心為10相,顯存為2+2相合計(jì)4相。
供電是兩兩為一組。核心供電部分,輸入電容為每相1顆100微法加一顆150微法的聚合物電容,MOS為1顆IR的TDA21472,電感感值為R19,輸出電容為每相1顆470微法的聚合物電容。
顯存供電部分,輸入電容為每相1顆150微法的聚合物電容,MOS為1顆IR的TDA21472,電感感值為R19,輸出電容為每相2顆470微法的聚合物電容。
整體的供電用料是相當(dāng)?shù)脛牛€是下了本錢(qián)的。
針對(duì)核心控制器部分的供電,AMD居然也搞得很刺激。控制器的供電共3相,分為兩種方案。
單相供電的方案,輸入電容為每相1顆150微法的聚合物電容,MOS為1顆IR的35401M,電感感值為R82,輸出電容為每相1顆470微法的聚合物電容。
2相供電的方案,輸入電容為每相1顆100微法的聚合物電容,MOS為1顆MPJD8633,電感感值為R82,輸出電容為每相1顆470微法的聚合物電容。
真的是很舍得堆供電。
PCI-E的輔助供電也放了2顆150微法的聚合物電容,一顆R47感值的電感。
顯卡顯示接口的低通部分做的比較簡(jiǎn)單,畢竟是全數(shù)字接口了。
產(chǎn)品測(cè)試平臺(tái):
由于這次拿到的比較晚,所以沒(méi)有時(shí)間對(duì)顯卡去拍照,我們直接開(kāi)始測(cè)試。以下為測(cè)試平臺(tái)的詳細(xì)配置表。
主板是Z370-GAMING 5。
內(nèi)存是金士頓的DDR4 8G*4。實(shí)際運(yùn)行頻率是2666C15。
SSD是三塊INTEL,系統(tǒng)盤(pán)用的是比較主流的535,以保證測(cè)試更接近一般用戶(hù)。240G用作系統(tǒng)盤(pán),480G*2主要是拿來(lái)放測(cè)試游戲。
散熱器是酷冷的冰神G360RGB。
電源是酷冷至尊的V1000。
測(cè)試平臺(tái)是Streacom的BC1。
性能測(cè)試項(xiàng)目介紹:
對(duì)于有興趣進(jìn)一步了解對(duì)比性能的童鞋,這邊會(huì)提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。測(cè)試大致會(huì)分為以下一些部分:GPU理論性能、GPU基準(zhǔn)測(cè)試、游戲性能測(cè)試、硬件加速測(cè)試、功耗測(cè)試。老規(guī)矩,數(shù)據(jù)量會(huì)比較大。
顯卡性能測(cè)試與分析:
GPU理論性能測(cè)試,是用AIDA64的內(nèi)置工具進(jìn)行的。可以看到Radeon VII整體的算力對(duì)比Vega也并非是等比例提升。在雙精度浮點(diǎn)和整數(shù)運(yùn)算上有明顯提高,解碼等測(cè)試項(xiàng)目提升也很大。
所以AMD官方宣稱(chēng)的Radeon VII相對(duì)Vega有額外的計(jì)算單元引入、并非是馬甲核心是真實(shí)的。
3D基準(zhǔn)測(cè)試,主要是跑一些基準(zhǔn)測(cè)試軟件。
3D游戲測(cè)試,表格中將DX9~DX12不同世代的游戲進(jìn)行了分類(lèi),這樣會(huì)更加清晰一些。由于性能測(cè)試時(shí)間上有先后,所以測(cè)試項(xiàng)目上會(huì)有所不同。
游戲性能總體上來(lái)看,Radeon VII與NV 20系列顯卡的游戲性能差異非常不平均,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是游戲越新A卡越強(qiáng)。
在DX9和DX10的老游戲上RTX 2070甚至可以反超Radeon VII,在DX11中Radeon VII比RTX 2070高5%,在DX12下Radeon VII的優(yōu)勢(shì)則一下子拉到近21%已經(jīng)達(dá)到RTX 2080的水平。所以N卡20系列對(duì)DX12的優(yōu)化似乎只局限于3D MARK。
按照分辨率來(lái)看,1080P下,Radeon VII的表現(xiàn)還是不夠理想,從降壓測(cè)試的結(jié)果來(lái)看,AMD并沒(méi)有讓Radeon VII在較低分辨率下保持最優(yōu)秀的狀態(tài)。
4K下,Radeon VII的優(yōu)勢(shì)則明顯展露出來(lái),對(duì)RTX 2070的整體優(yōu)勢(shì)超過(guò)了20%,DX12游戲中甚至超過(guò)了30%,已經(jīng)高于RTX 2080的表現(xiàn)了。
硬件加速的性能測(cè)試簡(jiǎn)單看一下就好了。這次Radeon VII最終還是沒(méi)有獲得專(zhuān)業(yè)卡驅(qū)動(dòng)解鎖,不過(guò)依靠顯卡自身架構(gòu),在硬件加速方面依然會(huì)比Vega有很大的優(yōu)勢(shì)。
實(shí)際運(yùn)行參數(shù):
這邊裸機(jī)運(yùn)行下,頻率穩(wěn)定在1780MHz,顯存頻率等效為999MHz。顯然還是受限于GCN的架構(gòu),核心頻率沒(méi)有辦法做的特別高。
顯卡功耗測(cè)試:
功耗上來(lái)看Radeon VII的能耗比表現(xiàn)不錯(cuò),但是驅(qū)動(dòng)似乎對(duì)FURMARK沒(méi)有做出限制,所以這張卡沒(méi)有特別必要不建議多跑 FURMARK。
無(wú)論是其他人的測(cè)試還是我自己的實(shí)測(cè)都發(fā)現(xiàn),Radeon VII存在比較明顯的限流,主要是因?yàn)楹诵陌l(fā)熱比較集中(核心與顯存堆在一起)和默認(rèn)電壓設(shè)置過(guò)于保守。默認(rèn)電壓在1.08V左右,在降低到0.95V的時(shí)候依然可以正常運(yùn)行。
所以這邊做了一個(gè)迷你測(cè)試。
從測(cè)試結(jié)果來(lái)看,還是比較有意思的,整體性能幾乎維持一致。
具體來(lái)看1080P游戲的功耗下降幅度是最明顯的,下降了55W之多,而性能反而略微提升1%左右。而4K游戲下游戲性能有所降低,大部分在1%以?xún)?nèi),《殺出重圍:人類(lèi)分裂》應(yīng)該是有一點(diǎn)問(wèn)題,性能掉了20%。
所以結(jié)論也比較明顯了,Radeon VII默認(rèn)的BIOS設(shè)置還是有一定的問(wèn)題的,AMD對(duì)游戲功耗的限制比較嚴(yán)苛(整機(jī)355W),但是在FURMARK上限制則更為寬松(整機(jī)426W),而在電壓降低后顯卡功耗下降比較明顯,所以AMD是對(duì)電流做了限制,來(lái)控制整張卡的功耗與散熱器的溫度墻相匹配,以默認(rèn)的BIOS設(shè)置來(lái)運(yùn)行,會(huì)導(dǎo)致游戲性能略受限制。
那對(duì)于AMD來(lái)說(shuō)實(shí)際的解法應(yīng)該有兩種,一是適當(dāng)降低電壓在同等功耗下可以通過(guò)更多電流去壓榨核心;二是放棄對(duì)雙槽卡的執(zhí)念加厚散熱器,這樣可以進(jìn)一步提高散熱器的效率,提高功耗限制。
需要注意的是,顯卡核心的體質(zhì)會(huì)對(duì)降壓操作產(chǎn)生很大的影響,所以不建議手動(dòng)去操作。
測(cè)試結(jié)論:
- 本次測(cè)試主要用到5張顯卡,對(duì)比組是微星RTX 2070、迪蘭Vega 64、技嘉RTX 2060、索泰GTX 1070 Ti。
- 理論性能測(cè)試,由于Radeon VII是沒(méi)有閹割的專(zhuān)業(yè)卡核心,所以即使相比Vega在雙精度的浮點(diǎn)和整數(shù)運(yùn)算上。
- 跑分性能,跑分性能Radeon VII整體高于RTX 2070 3%左右,主要是因?yàn)?0系列N卡重點(diǎn)優(yōu)化了VR和3DMARK TS系列的跑分,導(dǎo)致跑分會(huì)偏高。
- 游戲性能,Radeon VII會(huì)高于RTX 2070 9%左右,目前Radeon VII的驅(qū)動(dòng)還是有一些問(wèn)題,如果全部解決的話還能再改善一些。
- 硬件加速性能測(cè)試,這個(gè)環(huán)節(jié)N卡歷來(lái)不占優(yōu),Radeon VII甚至?xí)哂赗TX 2080 Ti 11%。
- 功耗測(cè)試,Radeon VII的能耗比表現(xiàn)其實(shí)不錯(cuò),能耗比已經(jīng)優(yōu)于GTX 1070 Ti。而功耗的絕對(duì)值上看游戲功耗與1080 Ti相當(dāng),但是FURMARK烤機(jī)功耗特別大。
歷史測(cè)試對(duì)比:
這邊對(duì)比一下我這段時(shí)間以來(lái)測(cè)試過(guò)的顯卡,圖中不包含功耗測(cè)試的測(cè)試都是之前用6700K測(cè)試的。
簡(jiǎn)單總結(jié):
關(guān)于顯卡的性能:
Radeon VII的性能與游戲和分辨率有比較大的關(guān)系。從游戲上來(lái)看游戲越新則Radeon VII表現(xiàn)越好,從分辨率來(lái)看分辨率越高Radeon VII表現(xiàn)越好。
所以,Radeon VII比較適合2K分辨率,對(duì)單機(jī)游戲需求較大的用戶(hù)。
由于顯存容量上的優(yōu)勢(shì),后續(xù)新游戲進(jìn)一步提高紋理細(xì)節(jié),Radeon VII的性能下降幅度必然會(huì)比RTX系列更少。
關(guān)于顯卡的功耗:
Radeon VII的功耗控制的還算比較好,大致相當(dāng)于1080 Ti的水平,還能低于上一代Vega 64。
關(guān)于顯卡的散熱:
由于采用了比較特殊的石墨導(dǎo)熱材料,Radeon VII的散熱處于一個(gè)相對(duì)較好的范圍,裸機(jī)下游戲滿(mǎn)載不會(huì)超過(guò)75度。結(jié)合功耗來(lái)看,Radeon VII的散熱器性能要明顯優(yōu)于RTX 2080 Ti。
總體來(lái)說(shuō),Radeon VII算是一次比較傳統(tǒng)的升級(jí),對(duì)比上一代產(chǎn)品可以降低一點(diǎn)功耗的同時(shí),提升20%左右的性能,對(duì)于2K或4K分辨率的單機(jī)游戲用戶(hù)來(lái)說(shuō)會(huì)有一定的購(gòu)買(mǎi)價(jià)值。
由于現(xiàn)在整張卡的調(diào)教還是有些問(wèn)題,有些游戲甚至?xí)霈F(xiàn)負(fù)載不足的現(xiàn)象,隨著B(niǎo)IOS和驅(qū)動(dòng)的更新Radeon VII的提升空間會(huì)相對(duì)N卡大一些。
但是還是希望AMD能夠盡快更換顯卡架構(gòu),讓顯卡市場(chǎng)重新回到過(guò)去的升級(jí)節(jié)奏中來(lái)。
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