課程介紹
我們已經得到D的值了,輸入的一個平均電流也已經知道了,這時我們就可以來計算對于初級線圈來說其ILin為多少。用Iin=0.4安培除以D=0.55,得到ILin=0.73安培。再接著就可以將Io的平均電流算出來。對于次級線圈上的ILo1為Io1除以1-D得到4安培左右。所以我們可以根據該電流值得到該路上的二極管最大導通電流要能夠達到4安培。
這樣的話我們此處的二極管就不能選擇4148二極管了,我們可以將其替換為ES1D二極管。ES1D二極管的額定電流值為1安培,但是最大導通電流是可以達到4安培的。
學習獲得:
學習隔離式反激開關電源設計
1、反激開關電源的設計思路,拓撲結構及原理框圖講解
2、驅動電路設計
3、經典驅動芯片UC3842 內部結構講解
4、頻率設計講解
5、吸收電路設計及作用講解
6、功率開關管MOSFET的開關速度,發熱因素及選型講解
7、輸出電路設計
8、MOSFET選型,吸收電路器件選型,輸出二極管選型,輸入輸出電容等重要器件參數計算。
9、電流環設計
10、電壓環設計
11、經典基準電壓源TL431 內部結構講解
12、光耦的應用講解
13、TL431、光耦組合電路參數計算。
14、EMI設計簡單介紹
適宜學習人群:
1、如果你還是學生,正厭倦于枯燥的課堂理論課程,想得到電子技術研發的實戰經驗;
2、如果你即將畢業或已經畢業,想積累一些設計研發經驗憑此在激烈競爭的就業大軍中脫穎而出,找到一份屬于自己理想的高薪工作;
3、如果你已經工作,卻苦惱于技能提升緩慢,在公司得不到加薪和快速升遷;
4、如果你厭倦于當前所從事的工作,想快速成為一名電子研發工程師從事令人羨慕的研發類工作。
專欄課程25個課時(點擊教程即可觀看)
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