課程介紹

接下來我們講的內容為MOSFET。我們之前說到MOSFET前級電路是一個高壓電路，220V整流之后變成的一個310V的電壓。對于這樣的電來說，原本OFF的狀態下，電壓應該是310V，MOS管導通的那一下，那么MOSFET上面的電壓就接近一個0V，而且這個跳變的時間非常快。如果開關管開得越快，它從310V降到0V的時間就越短。

我們可以將這樣的時間稱之為壓擺率，也可以說是dv/dT，這就代表了它的斜率。當斜率越陡即dv/dT越大的時候，對于這個系統來說就有可能發生一定的震蕩。因為當電壓發生急劇變化的時候，MOSFET的漏極和柵極也是有電容的，這種現象我們稱之為米勒現象。米勒現象會在MOSFET的GS和DS上產生一個振蕩，這樣的振蕩可能就會損壞該管。

學習獲得：

學習隔離式反激開關電源設計

1、反激開關電源的設計思路，拓撲結構及原理框圖講解

2、驅動電路設計

3、經典驅動芯片UC3842 內部結構講解

4、頻率設計講解

5、吸收電路設計及作用講解

6、功率開關管MOSFET的開關速度，發熱因素及選型講解

7、輸出電路設計

8、MOSFET選型，吸收電路器件選型，輸出二極管選型，輸入輸出電容等重要器件參數計算。

9、電流環設計

10、電壓環設計

11、經典基準電壓源TL431 內部結構講解

12、光耦的應用講解

13、TL431、光耦組合電路參數計算。

14、EMI設計簡單介紹

適宜學習人群：

1、如果你還是學生，正厭倦于枯燥的課堂理論課程，想得到電子技術研發的實戰經驗；

2、如果你即將畢業或已經畢業，想積累一些設計研發經驗憑此在激烈競爭的就業大軍中脫穎而出，找到一份屬于自己理想的高薪工作；

3、如果你已經工作，卻苦惱于技能提升緩慢，在公司得不到加薪和快速升遷；

4、如果你厭倦于當前所從事的工作，想快速成為一名電子研發工程師從事令人羨慕的研發類工作。