聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
開(kāi)關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3142瀏覽量
93769 -
ADI
+關(guān)注
關(guān)注
146文章
45857瀏覽量
250963
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
ADRF5024單極雙擲開(kāi)關(guān)ADI
ADRF5024單極雙擲開(kāi)關(guān)ADIADRF5024是種使用硅工藝技術(shù)的反射式單極雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)。頻率范圍為100 MHz至44 GHz,插入損耗高于1.7 dB,隔離度為35 dB
發(fā)表于 01-07 08:58
METRISO 5024 帶電壓測(cè)量量程的絕緣電阻和電阻測(cè)試儀器
METRISO 5024 是一款集絕緣電阻、低電阻和電壓測(cè)量于一體的多功能測(cè)試儀器。其絕緣電阻測(cè)量范圍為0.1至400 MΩ,低電阻測(cè)量范圍為0至4 Ω,電壓測(cè)量范圍為0至500 V。儀器配備LED
SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
PROM器件的特點(diǎn)和應(yīng)用 如何選擇合適的PROM器件
PROM(可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,用戶(hù)可以通過(guò)特定的編程過(guò)程將數(shù)據(jù)寫(xiě)入,一旦寫(xiě)入后,這些數(shù)據(jù)在正常操作下是不可更改的。以下是關(guān)于PROM器件的特點(diǎn)、應(yīng)用以及如何選擇合適PROM器件
請(qǐng)問(wèn)TAS5720L TDM模式如何應(yīng)用?
手冊(cè)上面寫(xiě)TDM接口支持多達(dá)8個(gè)器件共用一條總線(xiàn),這8個(gè)器件可以同時(shí)播放不同的音頻,并且聲音無(wú)停頓嗎?想不明白原理,求解釋。
TDM的時(shí)序圖也看不明白,LRCLK波形是怎么樣的呢?
發(fā)表于 10-28 07:53
TAS5720L磁珠怎么選型?
TAS5720L電路圖中,推薦 Z1/Z2 選型為NFZ2MSM181SN10L,現(xiàn)在我想重新選擇一款比較通用的,更容易采購(gòu)的磁珠,麻煩能不能推薦下新的磁珠選型和與其匹配的電容大小。
另外,請(qǐng)教下這個(gè)磁珠的選型方法,多謝多謝。
發(fā)表于 10-28 06:08
TAS5720MEVM Z1/Z2/C11/C12是如何計(jì)算得出的?
TAS5720MEVM,Z1/Z2/C11/C12是如何計(jì)算得出的?不同的揚(yáng)聲器,改如何匹配LC參數(shù)?
發(fā)表于 10-14 07:50
請(qǐng)問(wèn)TAS5720功率放大器寄存器如何配置
目前在調(diào)試一款TI的功率放大器,用做音頻輸出。(主控是3798c,通過(guò)iis接口將音頻數(shù)據(jù)傳輸給TAS5720,然后轉(zhuǎn)換成音頻輸出到喇叭)
目前測(cè)試發(fā)現(xiàn)主控這邊的IIS對(duì)應(yīng)的BCLK,DOUT
發(fā)表于 08-15 07:22
求助:功放電路設(shè)計(jì)
嘗試設(shè)計(jì)了個(gè)功放功分的電路,從左到右分別是TRF37B75 (15dB功放)、QCN-45+(3dB功分)、HMC594(10dB功放).ADRF5160(單刀雙擲),用矢網(wǎng)分析儀測(cè)S參數(shù)發(fā)現(xiàn)S11
發(fā)表于 07-26 14:22
OC5720-規(guī)格書(shū)
概述OC5720 是一款內(nèi)置 100V 功率 MOS高效率、高精度的開(kāi)關(guān)降壓型大功率 LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。OC5720 采用固定頻率的 PWM 工作模式,典型工作頻率為 140KHz。OC5720
發(fā)表于 07-24 16:35
?0次下載
開(kāi)關(guān)器件的分類(lèi)和應(yīng)用
開(kāi)關(guān)器件在電子和電氣領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色,它們用于控制電路的通斷、調(diào)節(jié)電流或信號(hào)的大小,以及實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能。以下將詳細(xì)介紹幾種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件,包括它們的特點(diǎn)、區(qū)別以及應(yīng)用場(chǎng)景。
SiC器件工作原理與優(yōu)勢(shì)
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具備高電子遷移率、高熱導(dǎo)率以及高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作,同時(shí)比傳統(tǒng)硅基器件體積更小,效率更高,耗能更低。
發(fā)表于 04-18 11:02
?860次閱讀
碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性,正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件,引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率
半控和全控電路的特點(diǎn) 二極管是半控型器件嗎
半控和全控電路的特點(diǎn) 二極管是半控型器件嗎? 半控和全控電路的特點(diǎn): 半控電路是指電路中的電子元件(如晶閘管或場(chǎng)效應(yīng)管)僅僅對(duì)電流的一部分進(jìn)行控制,而不對(duì)電流的全部進(jìn)行控制。它具有以下特點(diǎn)
浪涌保護(hù)器常見(jiàn)的幾種抑制器件特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域
浪涌保護(hù)器常見(jiàn)的幾種抑制器件特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域? 浪涌保護(hù)器是一種用于保護(hù)電器設(shè)備免受過(guò)電壓和過(guò)電流的損害的裝置。而抑制器件是浪涌保護(hù)器的重要組成部分,用于抑制電壓和電流的浪涌。 下面將詳細(xì)介紹幾種常見(jiàn)
評(píng)論