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三星電子宣布將在2030年之前投資約1157億美元 增強在晶圓代工上的競爭實力

半導體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-04-25 14:48 ? 次閱讀

4月24日,三星電子官方宣布,將在2030年之前投資133萬億韓元(約1157億美元),以增強公司在系統(tǒng)大規(guī)模集成(System LSI)與晶圓代工上的競爭實力。

其中,73萬億韓元將用于技術研發(fā),60萬億韓元用于建設晶圓廠等基礎設施。三星表示,這一決定也將創(chuàng)造1.5萬個就業(yè)機會。

三星計劃,每年投資約11萬億韓元,以助力公司在2030年成為全球領先的存儲器與邏輯芯片廠商

三星業(yè)務中,半導體業(yè)務占比很高,可分為存儲器與邏輯芯片兩大市場。

其中,三星在存儲器領域保持領先優(yōu)勢。集邦咨詢半導體研究中心DRAMeXchange)指出,2018年第四季度,三星DRAM業(yè)務在全球市占率為41.3%,NAND Flash在全球市占率為30.4%。

邏輯芯片方面,三星除了自產(chǎn)的Exynos處理器及其他專用領域芯片,還有幫其他半導體廠商代工。

集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告顯示,在全球芯片代工領域,三星擁有19.1%的市場份額,僅次于臺積電,排名第二。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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