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富士康濟(jì)南項目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件

xPRC_icunion ? 來源:lq ? 2019-05-06 16:40 ? 次閱讀

新聞稿中指出,該項目是濟(jì)南市引進(jìn)的富士康高科技產(chǎn)業(yè)項目,主要為年產(chǎn)36萬片8寸硅基功率器件和12萬片6寸SiC功率器件的工業(yè)廠房。項目總占地630.6畝,一期占地318畝,一期總投資50億元,建筑面積24萬平米。

據(jù)介紹,中鐵14局主要負(fù)責(zé)項目的基礎(chǔ)工程、主體工程、裝飾裝修、場區(qū)市政以及安裝工程等,目前項目進(jìn)場道路已經(jīng)打通,正在進(jìn)行灰土和面層混凝土施工;降水工程基本完成,強(qiáng)夯工程正在施工;臨建板房、場區(qū)圍擋正在搭設(shè);cub動力廠房樁基正式開始施工。

此外,3月15日濟(jì)南高新區(qū)管委會亦發(fā)布新聞稿稱,濟(jì)南臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)組織舉行富能高功率芯片生產(chǎn)項目樁基開工儀式。文中消息顯示,該項目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件(主要生產(chǎn)MOSFET、CoolMos、IGBT器件)和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地,項目一期用地317.92畝,建筑面積約24.5萬平方米,投資50.53億元。

富士康濟(jì)南項目(富能高功率芯片生產(chǎn)項目)將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件(主要生產(chǎn)MOSFET(金氧半場效晶體管)、CoolMos、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)器件)和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地,項目一期用地317.92畝,建筑面積約24.5萬平方米,投資50.53億元。

十月底將完成部分主體施工,明年一季度全部建成使用。項目投產(chǎn)后可實現(xiàn)65億元以上的營收。該項目是中國大陸地區(qū)功率器件技術(shù)起點最高的項目,具備全球行業(yè)前五的技術(shù)實力,產(chǎn)品應(yīng)用將基于智能手機(jī)、8K電視、5G 通信、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等,重點面向各種消費類和車載應(yīng)用等主流市場。本項目的落地也徹底打破了我市乃至我省半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)缺乏龍頭項目的局面。

近日,郭臺銘抱著媽祖像走下飛機(jī),媽祖與關(guān)公神尊請到威斯康星州科學(xué)園區(qū)坐鎮(zhèn)

郭臺銘近日表示,他會告訴告訴員工他即將交棒“退出江湖”。

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原文標(biāo)題:50億!富士康,濟(jì)南悄悄開工了!做高功率芯片!

文章出處:【微信號:icunion,微信公眾號:半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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