在現(xiàn)實(shí)世界里，時(shí)間是恒定的。人們根據(jù)事情的輕重緩急，來(lái)規(guī)劃自己的生活。

在數(shù)據(jù)世界里，時(shí)間同樣是恒定的。人們希望更快的數(shù)據(jù)流動(dòng)和更智能的數(shù)據(jù)策略來(lái)提升數(shù)據(jù)利用價(jià)值。

傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)分層面臨挑戰(zhàn)

針對(duì)于智能數(shù)據(jù)的爆炸式增長(zhǎng)。IDC預(yù)測(cè),全球每年新增數(shù)據(jù)將從2018年的33ZB增至2025年的175ZB。同時(shí)到2021年，75%的商用企業(yè)級(jí)應(yīng)用將使用AI；超過(guò)50%的消費(fèi)者將享受機(jī)器人客服的服務(wù)。

人類正在向一個(gè)萬(wàn)物感知、萬(wàn)物互聯(lián)、萬(wàn)物智能的世界進(jìn)化。一方面海量的數(shù)據(jù)對(duì)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。一方面伴隨著數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)和應(yīng)用的多樣化以及智能化，對(duì)于存儲(chǔ)的需求越來(lái)越高。智能世界的特點(diǎn)是能夠深挖數(shù)據(jù)背后的價(jià)值，這意味著越來(lái)越多的數(shù)據(jù)被視為“熱數(shù)據(jù)”并希望被實(shí)時(shí)處理。這讓數(shù)據(jù)盡可能的靠近計(jì)算變成了目前最迫切的需求。

理論上講，如果將所有的數(shù)據(jù)放在高IO、低延時(shí)的DRAM上，數(shù)據(jù)的利用效率最高。但從TCO角度分析，將數(shù)據(jù)全部保留在DRAM中成本是非常高的，其次DRAM 在容量擴(kuò)展方面也存在明顯的瓶頸。因此今天的存儲(chǔ)基礎(chǔ)設(shè)施通常根據(jù)業(yè)務(wù)需求，將數(shù)據(jù)劃分為三個(gè)分層：

1、熱數(shù)據(jù)，需要即時(shí)訪問(wèn)，由高性能DRAM 進(jìn)行處理；

2、溫?cái)?shù)據(jù)，需要頻繁訪問(wèn)，適合于由固態(tài)盤進(jìn)行處理；

3、冷數(shù)據(jù)或批量數(shù)據(jù)，僅需不頻繁的訪問(wèn)，適合于由機(jī)械硬盤進(jìn)行處理；

盡管分層有助于滿足業(yè)務(wù)要求并能更好地利用現(xiàn)有存儲(chǔ)資源，但當(dāng)前的存儲(chǔ)介質(zhì)還是存在瓶頸：傳統(tǒng)NAND SSD的時(shí)延和DRAM相比存在幾個(gè)數(shù)量級(jí)的差距，使得數(shù)據(jù)在DRAM和SSD之間交互時(shí)速度仍然很慢，不能很好的滿足數(shù)據(jù)被快速讀寫的需求。

傲騰存儲(chǔ)技術(shù)打破現(xiàn)有存儲(chǔ)邊界

作為一家科技創(chuàng)新型公司，英特爾基于存儲(chǔ)層面開(kāi)發(fā)了全新的行業(yè)領(lǐng)先的儲(chǔ)存介質(zhì)3D-XPoint，具備內(nèi)存級(jí)別的時(shí)延特性。基于該介質(zhì)，英特爾推出了傲騰數(shù)據(jù)中心持久內(nèi)存，彌補(bǔ)了系統(tǒng)對(duì)大容量?jī)?nèi)存的迫切需求。與此同時(shí)，該介質(zhì)斷電數(shù)據(jù)不丟失特性和DRAM相比極具優(yōu)勢(shì)。

應(yīng)該說(shuō)，傲騰技術(shù)的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)內(nèi)存和存儲(chǔ)的邊界，實(shí)現(xiàn)冷熱數(shù)據(jù)更平滑的存取，進(jìn)一步提升整個(gè)業(yè)務(wù)系統(tǒng)運(yùn)行的性能。

采用新的方式構(gòu)建內(nèi)存和存儲(chǔ)

此外，英特爾也利用了傲騰技術(shù)研發(fā)出了傲騰固態(tài)盤，與基于3D NAND的技術(shù)相比，在耐久性和低延遲方面有著幾個(gè)數(shù)量級(jí)的優(yōu)勢(shì)。使用它們可將內(nèi)存和存儲(chǔ)的最佳特性相結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)基于服務(wù)器的存儲(chǔ)架構(gòu)。這樣基于傲騰數(shù)據(jù)中心級(jí)持久內(nèi)存可提供更高的 I/O 性能和更低的延遲，可以擴(kuò)充內(nèi)存容量，提高內(nèi)存型應(yīng)用性能；Optane 固態(tài)盤則能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)加速，提高存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能；而英特爾3D NAND 固態(tài)盤則能夠提供更大的存儲(chǔ)容量，以明顯高于硬盤的性能存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)。

這樣在數(shù)據(jù)中心中，結(jié)合英特爾持久內(nèi)存和傲騰固態(tài)盤，能夠有效的消除數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過(guò)程中的傳輸瓶頸，實(shí)現(xiàn)更快、更方便地訪問(wèn)大型數(shù)據(jù)集。

基于傲騰系列產(chǎn)品的智能數(shù)據(jù)策略

在存儲(chǔ)基礎(chǔ)設(shè)施中，結(jié)合英特爾傲騰技術(shù)的持久內(nèi)存和傲騰固態(tài)盤可以發(fā)揮兩大優(yōu)勢(shì)：創(chuàng)建更快的存儲(chǔ)以及更經(jīng)濟(jì)的擴(kuò)展內(nèi)存。

英特爾傲騰固態(tài)盤可提供令人驚嘆的快速存儲(chǔ)，從而提升性能、降低延遲并提高在負(fù)載下（即使是 OLTP 和高性能系統(tǒng)）的響應(yīng)能力。它們可使用直接連接的存儲(chǔ)來(lái)加速嚴(yán)苛應(yīng)用的運(yùn)行，并能輕松擴(kuò)展。這樣，英特爾傲騰固態(tài)盤就變成一個(gè)更耐久、更快速的存儲(chǔ)層，讓服務(wù)器實(shí)現(xiàn)更高的工作效率且不會(huì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)孤島。

更經(jīng)濟(jì)的擴(kuò)展內(nèi)存

傲騰數(shù)據(jù)中心級(jí)持久內(nèi)存還可以配合DRAM來(lái)使用，因?yàn)樗軌蛞怨虘B(tài)盤價(jià)格提供近似于 DRAM 的速度，并通過(guò)聚合共享內(nèi)存池來(lái)經(jīng)濟(jì)地提高容量。這種更大的容量池可支持更大的內(nèi)存中工作數(shù)據(jù)集。在某些情況下，它甚至可以替代 DRAM，進(jìn)一步降低基礎(chǔ)設(shè)施成本。有了更大的內(nèi)存池為分析和機(jī)器學(xué)習(xí)過(guò)程提供數(shù)據(jù)，企業(yè)可以更快地挖掘出更多洞察信息。通過(guò)這種方式，英特爾傲騰存儲(chǔ)變成了一個(gè)更易擴(kuò)展、更加實(shí)用的內(nèi)存層。

傲騰出現(xiàn)模糊了內(nèi)存和存儲(chǔ)的界限

英特爾長(zhǎng)期以來(lái)一直致力于通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng)新，來(lái)幫助用戶處理和存儲(chǔ)虛擬化。基于傲騰技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)持久內(nèi)存和傲騰固態(tài)盤與英特爾3D NAND 固態(tài)盤配合使用，可以打造更強(qiáng)大的存儲(chǔ)基礎(chǔ)設(shè)施組合。英特爾傲騰技術(shù)可以提供業(yè)界一流的吞吐量和低延遲的內(nèi)存和固態(tài)盤產(chǎn)品，而英特爾3D NAND 技術(shù)可以低成本的提供高密度固態(tài)盤。這兩種技術(shù)配合使用，可加快存儲(chǔ)緩存速度并提高批量存儲(chǔ)的容量和處理能力，實(shí)現(xiàn)整個(gè)存儲(chǔ)基礎(chǔ)設(shè)施性能提升。