近日在山東省發改委公布的新舊動能轉換重大項目庫第二批優選項目名單中包含多個半導體功率項目。

如濟南富元電子高功率芯片產業園項目（年產8寸硅基功率器件36萬片、6寸碳化硅功率器件12萬片），韓國iA集團—大唐電信投資有限公司車規級功率半導體模塊項目（實現復合全控型電壓驅動式功率半導體器件IGBT年產值10億元）等。

最新消息是，總投資50億的山東興華半導體項目已經開工。

據日照高新消息，6月15日，山東興華半導體項目開工儀在日照高新區舉行開工儀式。消息指出，該項目由東南亞最早的半導體制造公司——香港興華半導體工業有限公司開工建設。

項目計劃總投資50億元，主要建設5寸/6寸和8寸半導體集成電路生產線各一條，主要設計制造市場前景廣闊的半導體集成電路芯片，將建成國內主要的功率器件和集成電路供應商。量產后，5年內可實現產值7.2億元，年稅收1.4億元。

目前，該項目已完成立項和工商注冊手續，一期項目廠房建設已奠基開工。

事實上，近年來，有多個功率半導體項目都已經落戶山東。其中富士康濟南項目（富能高功率芯片生產項目）已于3月15日開工。

根據濟南高新區管委會此前發布的新聞稿稱，富能高功率芯片生產項目將建設8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生產MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發、生產基地，項目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬平方米，投資50.53億元。