紫光在四川建設3D NAND Flash廠 總投資將超過2000億元
近日，根據(jù)紫光官方消息，紫光集團聯(lián)席總裁王慧軒在接受采訪時表示，紫光在四川布局宏大，總投資將超過2000億元，主要包括服務器芯片、安全芯片、存儲芯片和移動通訊相關芯片的研發(fā)，建設周期將長達3-5年。
目前正在建設的存儲3D NAND Flash廠，一期建設完畢后會有一個月10萬片產能，三期全部完工后每月產能30萬片。
紫光成都存儲芯片項目于2018年10月中旬動工，預計2020年12月主體完工，該項目占地面積約1200畝，總投資達240億美元，將建設12寸3D NAND存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯(lián)產品的研發(fā)、制造和銷售。
與此同時，紫光集團旗下的長江存儲將在今年下半年正式推出自研的Xtacking 2.0技術，并在年底前量產64層3D NAND，規(guī)劃在2020年跳過96層3D NAND技術進入128層3D NAND階段，進一步縮小和世界存儲大廠的差距。
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原文標題：2000億！成都建3D NAND Flash廠！
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工商網監(jiān)
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