注冊資金2.5億美元 總投資7.5億美元 IGBT簽約落戶嘉善縣開發(fā)區(qū)
7月16日，IGBT功率半導體項目簽約落戶嘉善縣開發(fā)區(qū)。嘉善縣領導徐鳴陽、鄭明、何全根、陸春浩參加簽約儀式。
據了解，IGBT功率半導體項目注冊資金2.5億美元，總投資7.5億美元，主要從事高端絕緣柵雙極型晶體管的自主研發(fā)和制造，一期用地34畝，二期預留用地46畝，一期達產后預計年產值將超過20億元。項目畝均投資超過6400萬元，畝均產值預計超5800萬元，畝均稅收預計將超過440萬元。項目還將在縣開發(fā)區(qū)設立IGBT技術研發(fā)中心，全面支持企業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。
據悉，IGBT功率半導體項目的主要投資方為賽晶電力電子集團。這是繼華瑞賽晶電氣設備科技有限公司后，該企業(yè)在我縣投資的第二個高科技項目。經過十五年發(fā)展，華瑞賽晶目前已經成為全國乃至全球最有影響力的電力系統(tǒng)解決方案供應商，其自主研發(fā)的陽極飽和電抗器和柔性直流輸電用大功率電力電子電容器都打破了國外技術的壟斷。“華瑞賽晶的發(fā)展，堅定了IGBT功率半導體項目落戶嘉善的信心。”賽晶電力電子集團董事長項頡表示，新項目要在五年內成為IGBT行業(yè)世界前十，十年內成為世界前五。
來源：嘉善日報
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原文標題：總投資7.5億美元，IGBT功率半導體項目落戶嘉善
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