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• 發布了文章 2024-06-06 08:14

  英飛凌攜手上能電氣，共繪儲能新篇章

  

  2024年6月，中國上海訊——近日，英飛凌宣布與上能電氣股份有限公司達成合作，為上能電氣提供業界領先的1200VEconoDUAL3功率模塊，用于2MW集中式儲能應用。得益于英飛凌最新的TRENCHSTOPIGBT7技術，1200VEconoDUAL3功率模塊可助力上能電氣提升功率密度，簡化系統設計，進一步提升產品的市場競爭力。由英飛凌開發的EconoDUA

  IGBT 電氣 英飛凌

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• 發布了文章 2024-06-01 08:14

  單相光伏并網系統的拓撲結構簡介

  

  在單相小功率光伏并網系統中，有隔離型和非隔離型兩種拓撲結構。隔離型有成本高、體積大等諸多缺點，因此非隔離型成為目前主流的拓撲結構，本文主要介紹非隔離型的全橋以及HERIC兩種較為常用的拓撲結構。在非隔離型光伏系統中，電網和光伏陣列之間存在直接的電氣連接。由于光伏陣列和接地外殼之間存在對地雜散電容，當并網逆變器功率器件動作時存在共模電壓，進而可能會有共模電流流

  單相光伏 并網系統 電氣連接

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• 發布了文章 2024-05-31 08:14

  英飛凌攜手海鵬科技，技術創新引領分布式能源未來

  

  2024年5月，中國上海訊——近日，英飛凌宣布與海鵬科技達成合作，在海鵬科技全系列產品中全面使用英飛凌功率半導體器件以及EiceDRIVER柵極驅動。英飛凌將為海鵬科技最近發布的全新一代HPTPro3~15kW三相并網逆變器系列產品提供1200VTRENCHSTOPIGBT7系列，業內領先的1200VCoolSiCMOSFET功率器件，以及配套使用的Eice

  功率器件 英飛凌 逆變器

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• 發布了文章 2024-05-28 08:14

  新品 | Prime Block 50mm——專為實現最高性能而設計

  

  新品PrimeBlock50mm——專為實現最高性能而設計50mmPrimeBlock模塊優化了熱阻，在更高的溫度條件下，它們的性能超越了目前的極限。因此，在相同的尺寸下，功率密度最高，眾所周知的可靠性，使用壽命更長。我們的壓接式模塊一般具有同類最佳的耐壓穩定性和抗H2S穩定性。產品型號：TT340N22KOFTD340N22KOFTT370N18KOFTD

  功率密度 電機驅動

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• 發布了文章 2024-05-22 08:14

  新品 | 1600V平板型相控晶閘管T2200N16H100

  

  新品1600V平板型相控晶閘管T2200N16H100T2200N16H100是一款采用現代壓接技術的100毫米平板型晶閘管，電壓為1600V。這種Eco系列平板型晶閘管在生產效率和壓接力方面進行了優化，可以使用更小的壓裝系統實現相同的導通損耗。因此，在相同的尺寸，我們提供了經濟高效的替代產品，而且我們的產品具有眾所周知的可靠性，因而具有卓越的性能，使用壽命

  晶閘管 電壓

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• 發布了文章 2024-05-17 08:14

  SiC MOSFET實現高頻大功率變換——固態變壓器應用案例剖析

  

  在傳統的配電網結構中，工頻變壓器是實現電能分配和電壓等級變換的主要電氣設備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組，常采用油浸式或者干式，具有可靠性高，效率高，成本低廉等優點。但是隨著新能源的發展，智能電網概念的大范圍推廣，傳統變壓器的缺點也逐漸顯現。除了變壓器本身笨重，絕緣油對環境造成污染之外，傳統變壓器在電網發生故障或者需要支撐的情況下，不能提供合適的功能

  MOSFET SiC 變壓器

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• 發布了文章 2024-05-16 08:14

  一文講透英飛凌碳化硅Easy模塊

  

  迄今為止，英飛凌1200VCoolSiCMOSFETM1HEasy模塊系列的很多產品已經正式推出。錯過了IPAC碳化硅Easy模塊直播間的小伙伴們有福啦！我們貼心地為您整理了直播的精華以及筆記重點~~掃描二維碼填寫信息，獲取視頻CoolSiCMOSFETM1H增強型技術，“強”在哪里？CoolSiCMOSFETM1H增強型技術，可大大改善漏源導通電阻，擴大柵

  easy 碳化硅 英飛凌

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• 發布了文章 2024-05-12 08:14

  一個籬笆三個樁——記晶體三極管的發明

  

  一個籬笆三個樁——記晶體三極管的發明

  三極管 半導體 晶體三極管

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• 發布了文章 2024-05-10 08:14

  如何更好的驅動SiC MOSFET？——試用X3系列加強型半橋驅動評估板

  

  認真學習本文，回答三個問題，即有機會獲取評估板，自己上手做測試，體驗數字化驅動器的美妙和強大功能！得益于寬禁帶半導體的材料優勢，SiCMOSFET在電力電子行業中的應用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統Si基器件不同，對驅動設計也提出了更高的要求。為了最大化利用SiCMOSFET的性能優勢，驅動芯片的選擇需要著重考慮如下幾個方面：01更高的軌到軌電

  MOSFET SiC 半導體

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• 發布了文章 2024-05-09 08:13

  新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數字驅動評估板

  

  新品用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數字驅動評估板評估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動基于2kV碳化硅MOSFET樣機的特性測試。評估板使用EiceDRIVER1ED38x0Mc12M數字驅動電路，參數可以通過I2C-BUS靈活設置。電路板可以在不改變硬件設計的前提下針對不同用于優化設計。電路有27個配置寄存器，通過I2C接口設置

  MOSFET 數字驅動器 碳化硅

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