動態

• 發布了文章 2022-05-13 01:25

  IGBT門極驅動到底要不要負壓

  

  先說結論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG

  IGBT

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• 發布了文章 2022-05-10 01:25

  英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022：盡享非凡功率

  

  PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡，是全球電力電子行業的頂級展會及研討會，已有40年多年歷史。在這一行業盛會上，全球從業者齊聚一堂，展示與交流電力電子技術和應用。來自學術界和工業界的專家在這里發布最新的研究成果和新產品，內容從器件、驅動控制、封裝技術到最終系統，涵蓋整個生態鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國紐倫堡），展示功率半導體

  英飛凌

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• 發布了文章 2022-05-08 01:46

  如何拓展IGBT驅動器電流

  

  功率半導體驅動電路是集成電路的一個重要子類，功能強大，用于IGBT的驅動IC除了提供驅動電平和電流，往往帶有驅動的保護功能，包括退飽和短路保護、欠壓關斷、米勒鉗位、兩級關斷、軟關斷、SRC(slewratecontrol)等，產品還具有不同等級的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅動IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿足大電流IGB

  電流 驅動器

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• 發布了文章 2022-04-30 01:57

  當.XT技術遇上SiC單管

  

  英飛凌于2020年發布了基于.XT技術的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產品，導通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產品也許您已選用測試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個啥？不妨讀完此文，撥云見日，三站地鐵，十分鐘足

  SiC

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• 發布了文章 2022-04-28 01:33

  怎么理解驅動芯片的驅動電流能力

  

  使用功率開關器件的工程師們肯定都有選擇驅動芯片的經歷。面對標稱各種電流能力的驅動產品時，往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個剛好夠用的產品。以下內容或許能給到些啟發。首先來看一下這個驅動峰值電流的定義方式。這個很重要，不同公司的產品往往宣傳說法不一樣，所以要參考規格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產品的電流表。比如1EDI60I12A

  驅動器

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• 發布了文章 2022-04-26 01:23

  新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊

  

  新品1500V光伏雙面組件MPPT模塊該功率模塊是為1500V直流電壓的太陽能應用而開發的，與雙面光伏組件兼容，功率為500W+。每個模塊都配備了3路MPPT，每路MPPT的輸入電流可達到30A。產品規格：FS3L200R10W3S7F_B94200A950VFS3L200R10W3S7F_B94是采用200A950VIGBT7S7和SiC二極管的Dual-

  芯片 模塊

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• 發布了文章 2022-04-23 01:42

  新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM

  

  新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達1.5HP的逆變器產品規格：IM323系列的新成員是專門為家用空調和家用電器應用設計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達1

  IGBT IPM

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• 發布了文章 2022-04-20 01:27

  新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產品

  

  新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品，采用TO247封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12

  MOSFET

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• 發布了文章 2022-04-19 01:24

  無磁芯變壓器(CT)隔離驅動芯片技術優勢及產品系列

  

  在之前的技術文章中，介紹了驅動芯片的概覽，PN結隔離(JI)技術，SOI驅動芯片技術等非隔離的驅動技術，本文會繼續介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅動芯片技術。在隔離器件的技術上，有三種主流的隔離技術，分別是光隔離，電容隔離和變壓器隔離。顧名思義，其隔離的介質分別是光，電場信號和磁信號，隔離器件的使用及其廣泛，從輸入輸出接口，通訊端口，到功率器件的柵極驅

  芯片

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• 發布了文章 2022-04-16 01:38

  IGBT驅動電流行為綜述

  

  IGBT驅動需要電流：IGBT是一種電壓驅動的電子開關，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通，實際器件的驅動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。驅動的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅動電壓和驅動電阻決定：但在小阻值驅動回路中，實際測得驅動電流一般比上述公式計算

  IGBT

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