動態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-11-05 08:02
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會聯(lián)系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。功率半導(dǎo)體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-11-01 08:06
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發(fā)布了文章 2024-10-31 08:04
英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效
?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司；?通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進而將功率損耗減少15%以上；?新技術(shù)可用于各種應(yīng)用，包括英飛凌的AI賦能路線圖；?超薄晶圓技術(shù)已獲認可并向客戶發(fā)布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌300瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-10-29 08:02
功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。第一講《功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）----功率半導(dǎo)體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會 -
發(fā)布了文章 2024-10-25 08:04
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發(fā)布了文章 2024-10-24 08:03
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發(fā)布了文章 2024-10-22 08:01
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開通和關(guān)斷過程中和導(dǎo)通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-10-17 08:03
新品 | 3300W無橋圖騰柱PFC參考設(shè)計
新品3300W無橋圖騰柱PFC參考設(shè)計REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W無橋圖騰柱PFC參考設(shè)計是采用英飛凌功率半導(dǎo)體、驅(qū)動器和微控制器的系統(tǒng)解決方案。它采用無橋圖騰柱拓撲結(jié)構(gòu)，非常適合要求卓越的效率和功率密度的高端應(yīng)用。圖騰柱設(shè)計簡便易行，減少了元件數(shù)量，并充分利用了PFC電感器和功率開關(guān)，從而以有限的系統(tǒng)成本實現(xiàn)高功率密度。相關(guān)器件：RE516瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-10-15 08:04
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發(fā)布了文章 2024-10-13 08:04
