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• 發布了文章 2025-01-08 17:39

  可編程晶振的鎖相環原理

  

  鎖相環(Phase-LockedLoop，PLL)是一個能夠比較輸出與輸)入相位差的反饋系統，利用外部輸入的參考信號控制環路內部振蕩信號的頻率和相位，使振蕩信號同步至參考信號。而鎖相環（Phase-LockedLoop，PLL）技術在可編程晶振中扮演著關鍵角色，以下是對可編程晶振中鎖相環技術的詳細講解：一、鎖相環技術的基本原理1、鎖相環是一種利用相位同步產生

  可編程 晶振 鎖相環

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• 上傳了資料 2025-01-08 13:54

  緊湊小巧的可編程晶體振蕩器

  振蕩器 晶體

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• 上傳了資料 2025-01-07 16:44

  可編程晶體振蕩器：SG-8101CG、CE、CB、CA

  可編程 振蕩器 晶體振蕩器

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• 發布了文章 2025-01-07 15:01

  具有更窄頻率誤差的低功耗可編程晶體振蕩器

  

  愛普生在其主打的可編程晶體振蕩器系列產品SG-8101系列和SG-9101系列。與愛普生原先的產品相比，SG-8101系列和SG-9101系列具有更大的工作溫度范圍與更廣泛的應用空間，其功耗更是降低了50%，同時SG-8101系列的頻率穩定性也提升了66%。通過使用SG-WriterII編程軟件，用戶可以對SG-8101系列和SG-9101系列的擴頻振蕩器進

  可編程 振蕩器 晶體 晶體振蕩器

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• 發布了文章 2025-01-07 11:48

  可編程晶體振蕩器SG-8002CA,CMOS和TTL兼容

  

  EPSON推出的SG-8002CA系列為可編程晶體振蕩器，具有較低的電流消耗和較高的穩定性，可兼容CMOS和TTL，非常適用于通信設備、工業電子、汽車電子和消費電子領域。SG-8002CA系列可編程晶體振蕩器，最大的優勢是在電源電壓、輸出頻率范圍、輸出模式及儲存、工作溫度范圍方面均具有多種選擇性。電源電壓具有3.3V和5.0V可選。電源電壓為5.0V時可提供

  可編程 振蕩器 晶體

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• 發布了文章 2025-01-06 15:42

  解析愛普生RTC芯片選型的五大關鍵

  

  當你的電子設備突然斷電重新開機后，時間又變回了初始值；鬧鐘沒響重要事件記錄不見了，甚至還得重新設置備忘提醒。那么，怎么解決這個問題呢？讓你不再為時間的飛逝而困擾！EPSON將向你介紹RTC芯片選型的五個關鍵部分。RTC選型的五個關鍵部分：1、首先，我們將探索周期性MCU喚醒功能，讓你的設備在特定時間或事件發生時自動喚醒，如醒來時鐘的獨角獸！2、其次，我們將深

  RTC 愛普生 芯片

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• 發布了文章 2025-01-06 14:04

  愛普生可編程晶振SG-8018系列適用于智能光伏接線盒PLC通信

  

  隨著人們對清潔環境追求日益提高以及各國新能源政策大力支持，光伏發電，正迅猛在全球發展開來，這其中，作為重要組件的智能光伏接線盒，需求量非常巨大。如下圖1，在智能光伏接線盒中，多數廠家會選用成本低、可靠性高的PLC通信，而根據PLC通信速率需求，則需要一個9.9MHz的晶振。圖1智能光伏接線盒內部結構框圖根據光伏行業產品及智能光伏接線盒的特點，PLC通信所需的

  接線盒 晶振 智能光伏

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• 發布了文章 2025-01-03 11:13

  頻率范圍0.67MHz~170MHz的可編程晶振SG-8101/9101（帶展頻功能）

  

  隨著市場小型化、多功能、高信賴度的電子儀器/產品需求量大增，市場變化時時更新，產品開發周期時間要求越來越短，因此工程師對產品BOM的各個器件需求變化也在不斷變化，同樣作為多個產品時鐘源的晶振需求變化也非常迅速，常常一個項目開始啟動后，到項目完成，晶振的頻點、頻偏或者其它參數都要改變好幾次。傳統的石英晶振性能優異，但是大部分采用切割方式配合必要的電路制成，因此

  emi 可編程 晶振

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• 發布了文章 2025-01-02 16:11

  全球聲學濾波器技術發展趨勢

  

  一、TC-SAW對于聲表面波器件來說，對溫度非常敏感。在較高溫度下，襯底材料的硬度易于下降，聲波速度也因此下降。由于保護頻帶越來越窄，并且消費設備的指定工作溫度范圍較大（通常為-20℃至85℃），因此這種局限性的影響越來越嚴重。一種替代方法是使用溫度補償（TC-SAW）濾波器，它是在IDT的結構上另涂覆一層在溫度升高時剛度會加強的涂層。溫度未補償SAW器件的

  IDT 封裝 濾波器

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• 發布了文章 2024-12-31 16:40

  射頻知識基礎：三種接收機的介紹

  

  關于接收機結構我們從最傳統的超外差結構開始介紹。超外差結構能提供非常好的性能，但這種結構需要大量分離元件，像濾波器等。這種結構無法單芯片集成實現，因此出現了零中頻，低中頻接收機結構。超外差接收機超外差接收機自從1917首次出現以來一直作為接收機設計的主要結構。直到2000，出現了零中頻接收機，這種接收機結構適合完全集成實現。圖1一級混頻的超外差結構圖1所示為

  射頻 接收機 混頻器 芯片

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