英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• MPPT常用拓?fù)湓砼c英飛凌實(shí)現(xiàn)方法2024-03-29 08:13

  

  MPPT（MaximumPowerPointTracking）是光伏逆變器系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大程度利用太陽能的關(guān)鍵部分，不同的MPPT拓?fù)溆懈髯缘奶攸c(diǎn)。本文將對(duì)比常見的三種MPPT電路，并對(duì)雙boost(DualBoost)的開關(guān)模式限制做了原理性分析，直觀解釋了DualBoost在MPPT中無法交錯(cuò)開關(guān)。針對(duì)不同的電壓與電流等級(jí)，本文提供了英飛凌針對(duì)各種拓?fù)涞膮⒖?

  MPPT 光伏逆變器 英飛凌 3354瀏覽量

• 英飛凌推出新型固態(tài)隔離器，切換速度更快，功耗降低高達(dá)70%2024-03-27 08:13

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）在美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)（APEC）上推出全新固態(tài)隔離器產(chǎn)品系列。該系列可實(shí)現(xiàn)更快速、可靠的電路交換，并擁有廣電固態(tài)所不具備的保護(hù)功能。這些隔離器采用無磁芯變壓器技術(shù)，支持高20倍的能量傳輸?shù)耐瑫r(shí)，還具備了電流和溫度保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和更低的成本。這款方案，與目前使用的傳統(tǒng)的固態(tài)

  MOS 英飛凌 隔離器 424瀏覽量

• 英飛凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級(jí)聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究2024-03-26 08:13

  

  本文提及的相關(guān)產(chǎn)品，均會(huì)在直播中出現(xiàn)掃描上方二維碼即可報(bào)名摘要：EconoDUAL3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級(jí)聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器（SVG）和風(fēng)電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場對(duì)高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700VIGBT7技術(shù)開發(fā)

  IGBT 變頻器 英飛凌 1093瀏覽量

• 英飛凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度2024-03-20 08:13

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiCMOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上

  MOSFET 英飛凌 逆變器 514瀏覽量

• IGBT并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)綜述2024-03-15 08:13

  

  Zhang Gang

  IGBT 變流器 晶體管 電流 2508瀏覽量

• 160V半橋SOI半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100V MOSFET評(píng)估套件2024-03-13 08:13

  

  新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100VMOSFET評(píng)估套件用于電池供電應(yīng)用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變器功率板，該功率板帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G（3x310引腳DFN封裝）半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，可驅(qū)動(dòng)12個(gè)額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N

  MOSFET SOI 半橋驅(qū)動(dòng)器 英飛凌 783瀏覽量

• 英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC™ MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)2024-03-12 08:13

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，不僅提升了整體能效

  MOSFET 碳化硅 英飛凌 586瀏覽量

• 如何測量功率回路中的雜散電感2024-03-07 08:13

  

  本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內(nèi)部寄生

  MOSFET 功率電路 雜散電感 991瀏覽量

• 最新IGBT7系列分立器件常見問題2024-03-05 08:17

  

  英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對(duì)該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過多項(xiàng)可靠性測試以保證其長期使用穩(wěn)定性，與電性能相關(guān)的主要有HTGS，HTRB，H3TRB，HV-H3TRB等。高溫高濕測試H3TRB的測試條件是溫度Ta=85℃,濕度R

  IGBT 分立器件 測試 559瀏覽量

• 零碳故事 | “2024年，以戰(zhàn)略的確定性迎接未來的挑戰(zhàn)”2024-02-27 08:13

  

  “英家零碳故事”2024年系列第一期正式上線，零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝先生就產(chǎn)業(yè)機(jī)遇和挑戰(zhàn)分享專業(yè)洞見，并深度解析零碳工業(yè)功率事業(yè)部業(yè)務(wù)增長制勝策略。(本文因篇幅有限，只能提煉專家的部分金句）更多精彩觀點(diǎn)，請(qǐng)點(diǎn)擊觀看完整視頻zzzzzZzzz12023年半導(dǎo)體市場整體盤點(diǎn)“全球半導(dǎo)體市場整體放緩

  功率半導(dǎo)體 英飛凌 252瀏覽量