清洗EUV掩膜版面臨哪些挑戰(zhàn)
本文簡(jiǎn)單介紹了極紫外光(EUV)掩膜版的相關(guān)知識(shí),包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。
硅的晶體缺陷測(cè)量方法
半導(dǎo)體晶體在生長(zhǎng)和加工過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生多種結(jié)構(gòu)缺陷,這些缺陷對(duì)集成電路(IC)器件的性能和合格率有著重要....
多晶硅的存儲(chǔ)條件是什么
在全球積極推動(dòng)清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下,太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料,....
邊緣芯片詳解
本文介紹了什么是邊緣芯片(edge die)。 邊緣芯片(edge die)是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯....
芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試
本文介紹了芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。 本文將介紹芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試,分述如....
鋁在芯片制造中的作用
????在半導(dǎo)體集成電路(IC)制造過(guò)程中,鋁(Aluminum)是廣泛使用的一種金屬材料,特別是在....
SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中,....
自蔓延法合成碳化硅的關(guān)鍵控制點(diǎn)
本文主要介紹??????自蔓延法合成碳化硅的關(guān)鍵控制點(diǎn)。?? ???? 合成溫度:調(diào)控晶型、純度與粒....
描述晶圓薄膜厚度的單位:埃介紹
???? 埃(?)作為一個(gè)長(zhǎng)度單位,在集成電路制造中無(wú)處不在。從材料厚度的精確控制到器件尺寸的微縮優(yōu)....
射頻電源的功率與頻率對(duì)刻蝕結(jié)果的影響
? 本文介紹了射頻電源的功率與頻率對(duì)刻蝕結(jié)果的影響。 干法刻蝕中,射頻電源的功率與頻率對(duì)刻蝕結(jié)果都有....
共封裝光學(xué)器件的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)
本文簡(jiǎn)單介紹了共封裝光學(xué)器件的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)。 ? 1、Device fabrication/設(shè)備制造。....
FIB機(jī)臺(tái)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
簡(jiǎn)單介紹FIB機(jī)臺(tái)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。?? 首先,讓我們看一下FIB機(jī)臺(tái)的外觀圖 接下來(lái),我們將FIB從中線....
DRAM的基本構(gòu)造與工作原理
本文介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理,以及其在器件縮小過(guò)程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的....
電子成像中的耦合介紹
本文介紹了直接耦合、間接耦合、反射耦合和光學(xué)耦合這幾種電子成像中的耦合方式,并介紹了它們各自的適用場(chǎng)....
高純碳化硅粉體合成方法
? 本文介紹了半導(dǎo)體材料碳化硅的性能、碳化硅單晶生長(zhǎng)以及高純碳化硅粉體的合成方式。 在科技飛速發(fā)展的....
FAB中PIE的的工作內(nèi)容與技能要求
本文介紹了工藝整合工程師(Process Integration Engineer,PIE) 的工作....
晶圓制造中的T/R的概念、意義及優(yōu)化
在晶圓制造領(lǐng)域中,T/R(Turn Ratio)指在制品的周轉(zhuǎn)率。它是衡量生產(chǎn)線效率、工藝設(shè)計(jì)合理性....
7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案
本文介紹了7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案。 一、什么是7納米工藝? 在談?wù)?納米工藝之前,我們先....