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青島佳恩半導(dǎo)體有限公司

文章:45 被閱讀:18.9w 粉絲數(shù):5 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):4

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單極性正弦波脈寬調(diào)制方式

隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,SPWM 控制是在逆變器輸出交流....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-27 09:20 ?244次閱讀
單極性正弦波脈寬調(diào)制方式

單相全橋逆變電路分享

單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路,其電路拓樸結(jié)構(gòu)如圖1所示,由兩個(gè)半橋 圖1單相....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-22 14:31 ?726次閱讀
單相全橋逆變電路分享

如何減小IGBT死區(qū)時(shí)間

通過以上方程,現(xiàn)在可以根據(jù)測量值來計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。使用計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間,需要進(jìn)行最壞情況下的測量....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-16 09:39 ?423次閱讀
如何減小IGBT死區(qū)時(shí)間

IGBT驅(qū)動器要考慮什么因素

各種拓?fù)鋵GBT驅(qū)動器的要求各不相同,比如: 兩電平拓?fù)渫ǔR蠖搪繁Wo(hù)和過壓保護(hù)即可。常用的短路....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-09 09:42 ?226次閱讀
IGBT驅(qū)動器要考慮什么因素

IGBT絕緣特性

IGBT絕緣特性 電子元器件(半導(dǎo)體模塊)中,隔離帶電部分和底板的材料,被稱作絕緣材料。在大功率半導(dǎo)....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 11-29 09:50 ?295次閱讀
IGBT絕緣特性

如何計(jì)算IGBT模塊的死區(qū)時(shí)間

計(jì)算IGBT模塊死區(qū)時(shí)間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中,IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 11-08 10:23 ?845次閱讀
如何計(jì)算IGBT模塊的死區(qū)時(shí)間

IGBT模塊NTC溫度傳感器的測量方法

采用模擬電路方式測量IGBT模塊NTC溫度傳感器溫度:這個(gè)基本的方法是基于一個(gè)分壓器作為熱敏裝置。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 10-25 16:29 ?522次閱讀
IGBT模塊NTC溫度傳感器的測量方法

IGBT模塊的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)

IGBT模塊在三相電機(jī)驅(qū)動逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖,主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動保護(hù)、P....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 10-25 16:25 ?1364次閱讀
IGBT模塊的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)

IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計(jì)

IGBT模塊采用吸收電路時(shí),典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出,初始浪涌電壓△U1之后,隨....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 08-05 14:48 ?989次閱讀
IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計(jì)

IGBT關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析

在光伏逆變器等大功率應(yīng)用場合,主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-26 10:03 ?2811次閱讀
IGBT關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析

IGBT功率器件功耗

IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-19 11:21 ?809次閱讀
IGBT功率器件功耗

IGBT功率器件的散熱方式

功率器件的正常運(yùn)行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風(fēng)冷、水冷和沸騰冷卻四種。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-15 16:31 ?1114次閱讀
IGBT功率器件的散熱方式

逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

以IGBT模塊應(yīng)用三相逆變電路為例。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-15 16:28 ?731次閱讀
逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

IGBT模塊的功率損耗詳解

IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí),I(t)≈0,損耗的功率可忽略。為了便于分析,將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-31 09:06 ?15213次閱讀
IGBT模塊的功率損耗詳解

青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!

5月28日,青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行,參加此次簽約儀式....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-29 14:29 ?646次閱讀
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!

典型IGBT短路保護(hù)電路的工作原理簡析

圖5-14所示是采用IGBT過流時(shí)UCE增大的原理構(gòu)成的保護(hù)電路,該電路采用IGBT專用驅(qū)動器EXB....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-24 09:03 ?21389次閱讀
典型IGBT短路保護(hù)電路的工作原理簡析

淺析IGBT并聯(lián)技術(shù)-并聯(lián)方法分類

IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-17 09:02 ?19898次閱讀
淺析IGBT并聯(lián)技術(shù)-并聯(lián)方法分類

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對均流的影響

并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因此需要盡量對稱;
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-10 11:40 ?1331次閱讀
影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對均流的影響

IGBT驅(qū)動器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

IGBT驅(qū)動器在并聯(lián)的場合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 04-26 11:21 ?1464次閱讀
IGBT驅(qū)動器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

一文詳解IGBT半橋逆變電路

圖1是半橋式逆變電路的原理圖,它是在全橋式逆變電路的基礎(chǔ)上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個(gè)IGB....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 04-19 10:17 ?10356次閱讀
一文詳解IGBT半橋逆變電路

關(guān)于IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)

由于IGBT模塊自身有一定的功耗,IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下,功率器件存在一定的溫....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-22 09:58 ?13709次閱讀
關(guān)于IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)

什么是隔離?電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動為什么需要隔離?

電化隔離:電荷無法由一個(gè)電路移動到另一個(gè)電路,雙方信號通過其他方式交換信息。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-08 10:57 ?14291次閱讀
什么是隔離?電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動為什么需要隔離?

IGBT驅(qū)動電路過流保護(hù)的分類及其檢測方法

IGBT的過流保護(hù)電路可分為兩類:一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過載保護(hù);另一類是高倍數(shù)(可達(dá)8....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-01 09:04 ?15089次閱讀
IGBT驅(qū)動電路過流保護(hù)的分類及其檢測方法

佳恩半導(dǎo)體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目名單!

近日,市民營經(jīng)濟(jì)發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目的名單,我司成功入選,同時(shí)感謝大家....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 02-26 15:38 ?590次閱讀
佳恩半導(dǎo)體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目名單!

IGBT典型過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享

所謂集中過電流保護(hù),就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流,當(dāng)該電流值超過設(shè)定的閾值時(shí),封鎖所有橋臂IG....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 02-23 09:03 ?13005次閱讀
IGBT典型過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享

淺析IGBT元件的并聯(lián)注意事項(xiàng)

由于門極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系,如果在門極驅(qū)動環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩,有可能因?yàn)?...
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-25 09:11 ?733次閱讀
淺析IGBT元件的并聯(lián)注意事項(xiàng)

淺談IGBT模塊使用溫度范圍

IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-19 16:25 ?5648次閱讀
淺談IGBT模塊使用溫度范圍

?IGBT模塊的損耗特性介紹

IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-12 09:07 ?3090次閱讀
?IGBT模塊的損耗特性介紹

IGBT模塊的門極驅(qū)動介紹

額定門極驅(qū)動電壓:門極驅(qū)動電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過此范圍的電壓時(shí),門極-發(fā)射極間的氧化膜(SiO....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-05 09:06 ?3268次閱讀
IGBT模塊的門極驅(qū)動介紹

IGBT模塊電磁兼容性設(shè)計(jì)

變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度隨輸入、輸出母線中通過電流的強(qiáng)弱而變化,同時(shí)IGBT模塊產(chǎn)生的空間交....
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