本文為大家介紹rcd吸收電路原理及設計。

rcd吸收電路原理

若開關斷開，蓄積在寄生電感中能量通過開關的寄生電容充電，開關電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時，吸收二極管導通，開關電壓被吸收二極管所嵌位，約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對吸收電容充電。開關接通期間，吸收電容通過電阻放電。

rcd吸收電路參數

rcd吸收電路設計

1、測量主變壓器的初級漏感電感量Lr

這兩種鉗位電路均是為了吸收漏感的能量以降低主開關管的電壓應力，既然是吸收漏感的能量，顯然我們要知道變壓器的漏感能量有多大。然而，需要知道漏感能量有多大，需要知道漏感多大，因此第一步我們就要測量變壓器的漏感Lr。

2、計算漏感能量E

E=1/2*Lr*Ipk2

3、確定Vcmax或Vtvs

一般我們至少要給MOS電壓應力留有10%的裕量，保守情況留有20%的裕量，尤其是沒有軟啟動切功率相對較大的電源里，這里我們取20%的裕量。所以就有Vcmax（Vtvs）=80%*Vdsmax-√2*Vinmax。

4、確定△Vc，Vcavg，Vcmin（TVS方案無此步驟）

RCD電路中C1兩端電壓是變化的，主開關關斷時漏感能量迅速將其充電至Vcmax，然后通過R慢慢放電到Vcmin。這個△Vc一般我們會設計在10%-15%Vcmax左右。有了△Vc即可得到Vcavg，Vcmin。

5、確定R2大小

在第二步中我們已經計算出了漏感能量，假設我們的漏感能量全部被轉移到C1（或被TVS消耗掉）中，那么R2上必然消耗掉這些能量。當然，漏感的能量不會全部轉移到C1中或被TVS消耗掉，但是作為一個理論設計指導，此假設是合理的（假設誤差由實際測試結果來調整）。

所以，Vcavg2/R=E*f

由此式即可計算出R2的大小，亦可得出R2的功率要求，一般要保證R2的功率要大于此功率（E*f）的1.5-2.5倍。若為TVS則，TVS的功率也要和電阻的功率要求一樣，要大于1.5-2.5*E*f。

6、確定C1的大小

由第五步中的假設，可知：E=1/2*C1*（Vcmax2-Vcmin2）所以C1大小可求出。至此我們分析了R2，C1，ZD1（TVS）的設計流程，還有R1和D1的要求了。

7、R1可以改善EMI，同時限制D1的反向恢復電流，小功率電源中常用。

一般我們會選取幾十Ω左右，當然功率越大，Ipk越大，此電阻的損耗越大，所以要取的越小，大功率此電阻取幾Ω即可，甚至不要此電阻。大功率電源中慎用此電阻。

功耗要大于Ipk2*R1

8、D1一般用快恢復或超快恢復二極管

二極管電流電壓按一般裕量原則1.5Ipk，1.5Vcmax即可，功耗要求大于1/2*Ipk*Vf（DCM模式），CCM模式1/2*Ipk替換為初級平均電流即可，主要還是看此二極管的發熱量。關于D1用慢管的運用，一定要配合好R1且在小功率場合。