簡單的電磁加熱電路圖（一）

1、電磁感應加熱原理

上圖電磁感應加熱的基本過程，可以看出實現電磁感應加熱至少需要整流單元、功率開關管、功率開關管驅動控制單元、加熱線圈單元及鍋具等部件。

另外，為了使形成閉環的功率控制及電磁感應加熱產品化，還需要電流及電壓反饋單元、風扇驅動單元及按鍵顯示等用戶界面單元。

2、幾種電磁感應加熱電路結構

1）半橋方式

（1）單諧振電容（2）雙諧振電容

由于在方式（1）中，電源只在S1導通時對電感充電，而在方式（2）中，電源在兩個開關管導通時都對電感充電，因而在相同參數條件下，方式（2）可以提供更大的功率。

2）單端方式

（1）LC串聯諧振（2）LC并聯諧振

3、典型的電磁爐系統電路框圖

現在的電磁爐基本上采用LC串聯諧振的電路結構，而其功率開關管基本上都用IGBT（insulatedgatebipolartransistor，絕緣柵雙極晶體管。

4、IGBT的基本性能特征

在電磁爐中，IGBT是所有部件中最關鍵的部件，因而在此我們有必要了解一下IGBT的基本性能，由于我們的產品基本上都用infineon公司的IGBT，故以infineon公司IH20T120為例說明IGBT的基本性能。

為保障電磁爐的可靠穩定工作，我們主要為IGBT提供過熱、過流、過壓三種保護：

IGBT不停的開關帶來的開關損耗是造成IGBT過熱的主要原因：

IGBT的導通損耗主要由IGBT可靠導通時C、E極間的電壓VCE（sat）決定，VCE（sat）越小，導通損耗越小，而VCE（sat）與G極的驅動電壓和可靠導通時流過IGBT的電流有關。另外IGBT導通瞬間C、E極間的電壓uCE會產生尖峰電流致使IGBT發熱。

IGBT的關斷損耗主要取決于關斷時的電流大小及關斷速度，由于IGBT的G、E極間存在寄生電容CGE及驅動電路內阻，使得IGBT的驅動電壓在關斷過程中不能很快的下降，因而可能會導致IGBT工作在放大區。

IGBT的過流能力主要由ICpuls及IFpuls決定。

IGBT的過壓能力主要由VCE決定。

簡單的電磁加熱電路圖（二）

（1）當不加熱時，CPU 19腳輸出低電平（同時13腳也停止PWM輸出）， D18導通，將V8拉低，另V9》V8，使IGBT激勵電路停止輸出，IGBT截止，則加熱停止。

（2）開始加熱時， CPU 19腳輸出高電平，D18截止，同時13腳開始間隔輸出PWM試探信號，同時CPU通過分析電流檢測電路和VAC檢測電路反饋的電壓信息、VCE檢測電路反饋的電壓波形變化情況，判斷是否己放入適合的鍋具，如果判斷己放入適合的鍋具，CPU13腳轉為輸出正常的PWM信號，電磁爐進入正常加熱狀態，如果電流檢測電路、VAC及VCE電路反饋的信息，不符合條件，CPU會判定為所放入的鍋具不符或無鍋，則繼續輸出PWM試探信號，同時發出指示無鍋的報知信息（祥見故障代碼表），如1分鐘內仍不符合條件，則關機。

電磁爐加熱開關控制電路：