非常簡單但高度復雜的修正正弦波逆變器電路。PWM IC TL494 的使用不僅使設計的部件數量極其經濟，而且高效且準確。

使用 TL494 進行設計

IC TL494 是一款專用 PWM IC，其設計非常適合需要基于 PWM 的精確輸出的所有類型的電路。

該芯片內置了生成精確 PWM 所需的所有功能，這些功能可根據用戶應用規范進行定制。

在這里，我們討論一種基于通用 PWM 的修正正弦波逆變器電路，該電路集成了 IC TL494，用于所需的高級 PWM 處理。

參考上圖，可以通過以下幾點來了解實現 PWM 逆變器操作的 IC 的各種引腳功能：

IC TL494 的引腳排列功能

引腳 #10 和引腳 #9 是 IC 的兩個輸出，它們被布置為串聯或圖騰柱配置工作，這意味著兩個引腳永遠不會一起變為正電壓，而是會從正電壓交替振蕩到零電壓，即當引腳#10 為正極，引腳#9 將讀取零伏，反之亦然。

通過將引腳 #13 與引腳 #14 連接，使 IC 能夠產生上述圖騰柱輸出，引腳 #14 是 IC 設置為 +5V 的參考電壓輸出引腳。

因此，只要 13 號引腳配備了 +5V 基準，它就允許 IC 產生交替開關輸出，但如果 13 號引腳接地，則 IC 的輸出被迫以并行模式（單端模式）切換，這意味著兩個輸出引腳 10/9 將開始一起切換，而不是交替切換。

IC 的引腳 12 是 IC 的電源引腳，可以看到它通過一個 10 歐姆電阻器連接到電池，該電阻器可以濾除 IC 任何可能的尖峰或開關浪涌。

引腳 #7 是 IC 的主接地，而引腳 #4 和引腳 #16 出于某些特定目的而接地。

Pin#4 是 IC 的 DTC 或死區時間控制引腳，它決定 IC 兩個輸出的死區時間或開關 ON 周期之間的間隙。

默認情況下，它必須接地，以便 IC 生成“死區時間”的最小周期，但是為了實現更高的死區時間周期，可以為該引腳提供 0 至 3.3V 的外部變化電壓，從而允許線性死區時間從 0% 到 100% 可控。

Pin#5 和 pin#6 是 IC 的頻率引腳，必須與外部 Rt、Ct（電阻器、電容器）網絡連接，以設置 IC 輸出引腳的所需頻率。

可以改變兩者中的任何一個來調整所需的頻率，在所提出的 PWM 改進逆變器電路中，我們采用可變電阻器來實現相同的功能。用戶可以根據要求在 IC 的引腳 9/10 上進行調整，以實現 50Hz 或 60Hz 頻率。

IC TL 494 具有內部設置為誤差放大器的雙運算放大器網絡，其定位是根據應用規范來校正和調整輸出開關占空比或 PWM，以便輸出產生準確的 PWM 并確保完美的 RMS 定制輸出級。

誤差放大器功能

誤差放大器的輸入配置為一個誤差放大器的引腳 15 和引腳 16，以及第二個誤差放大器的引腳 1 和引腳 2。

通常，只有一個誤差放大器用于自動 PWM 設置，而另一個誤差放大器保持休眠狀態。

從圖中可以看出，通過將同相引腳 16 接地并通過引腳 14 將反相引腳 15 連接到 +5V，可以使引腳 15 和引腳 16 輸入的誤差放大器處于非活動狀態。

因此，在內部，與上述引腳相關的誤差放大器保持不活動狀態。

然而，以引腳 1 和引腳 2 作為輸入的誤差放大器在這里有效地用于 PWM 校正實現。

該圖顯示，誤差放大器的同相輸入引腳 1 通過使用電位器的可調分壓器連接到 5V 參考引腳 #14。

反相輸入與IC的引腳3（反饋引腳）連接，該引腳實際上是誤差放大器的輸出，并使IC的引腳1形成反饋環路。

上述 pin1/2/3 配置允許通過調整 pin#1 電位器來準確設置輸出 PWM。

這就是所討論的使用 IC TL494 的改進正弦波逆變器的主要引腳排列實施指南。

逆變器的輸出功率級

現在，對于輸出功率級，我們可以想象正在使用的幾個 MOSFET，由緩沖器 BJT 推挽級驅動。

BJT 級通過為 MOSFET 提供最小的雜散電感問題以及 FET 內部電容的快速放電，確保為 MOSFET 提供理想的開關平臺。串聯柵極電阻器可防止任何試圖進入 FET 的瞬變，從而確保操作完全安全且高效。

MOSFET 漏極與電源變壓器連接，如果逆變器電池額定電壓為 12V，電源變壓器可以是普通鐵芯變壓器，初級配置為 9-0-9V，次級可以根據用戶國家規格為 220V 或 120V 。

逆變器的功率基本上由變壓器瓦數和電池AH容量決定，可以根據個人選擇改變這些參數。

使用鐵氧體變壓器

為了制作緊湊型 PWM 正弦波逆變器，可以用鐵氧體磁芯變壓器代替鐵芯變壓器。其纏繞細節如下：

采用超級漆包銅線：

主要：纏繞 5 x 5 匝中心抽頭，使用 4 毫米（兩根 2 毫米線平行纏繞）

次級：纏繞 200 至 300 圈 0.5 毫米

磁芯：任何能夠舒適地容納這些繞組的合適的 EE 磁芯。

TL494全橋逆變電路

以下設計可用于使用 IC TL 494 制作全橋或 H 橋逆變器電路。

可以看出，p溝道和n溝道MOSFET的組合用于創建全橋網絡，這使得事情變得相當簡單，并且避免了復雜的自舉電容器網絡，而復雜的自舉電容器網絡通常對于僅具有n溝道MOSFET的全橋逆變器來說是必需的。

然而，在高側采用 p 溝道 MOSFET，在低側采用 n 溝道 MOSFET，使得設計容易出現擊穿問題。

為了避免擊穿，必須使用 IC TL 494 確保足夠的死區時間，從而防止出現這種情況的任何可能性。

IC 4093 門用于保證全橋導通兩側的完美隔離，以及變壓器初級的正確切換。仿真結果

TL494 帶反饋逆變器

下圖顯示了使用 IC TL494 的非常簡單但準確且穩定的逆變器電路。

該逆變器包括一個用于自動輸出電壓校正的反饋控制系統，應用于 IC 的誤差放大器引腳 1。

可以適當調整 100k 預設值，以設置所需的恒定輸出電壓限制。

所示變壓器是鐵氧體磁芯變壓器，因此 IC 將頻率設置為非常高的水平。不過，您可以輕松使用基于鐵芯的變壓器，并將頻率降低至 50 Hz 或 60 Hz，以實現 120 V 輸出。

　　審核編輯：湯梓紅