運放輸入失調(diào)電流為 - 運放偏置電壓怎么測量?運放偏置電壓測量方法解說

　　運放輸入失調(diào)電流為

　　Ios=（Ib+）-（Ib-）

　　這種測試方法有幾個缺點，一個是使用了很大的電阻R1和R2，一般會是M歐級，這兩個電阻引入了很大的電壓噪聲。受到電阻R1和R2的阻值的限制，難以測得FET輸入運放的偏置電流。

　　第二種方法測試方法，是讓運放的輸入偏置電流流入電容，具體測試如下圖。從圖中的公式很容易理解測試的原理，這個測試的關(guān)鍵，是選取漏電流極小的電容。

　　運放偏置電壓怎么測量?運放偏置電壓測量方法解說

　　（1）打開S1，IB+流入電容C，用示波器觀察Vo的變化，結(jié)果如下圖，按上圖的方法就可以計算出IB+。

運放偏置電壓怎么測量?運放偏置電壓測量方法解說

　　（2）關(guān)閉S1打開S2，IB-流入電容C，用示波器觀察Vo的變化，結(jié)果如下圖，可以計算出IB-。

運放偏置電壓怎么測量?運放偏置電壓測量方法解說

　　（3）再根據(jù)定義就可以計算出運放的輸入偏置電流和失調(diào)電流。

　　這種測試方法可以測得fA級的失調(diào)電流。測試時需要選用低漏電流的電容，推薦使用極低漏電流的特氟龍電容，聚丙烯（PP）電容或聚苯乙烯電容。

　　再分享一個經(jīng)驗，就是貼片電容在焊接過程中，由于引腳可能殘留焊錫膏等雜質(zhì)，會使FET運放的漏電流大大的增加。曾經(jīng)測試一個偏置電流為小于10pA級的運放，由于沒有對引腳進行清洗，結(jié)果測得結(jié)果出現(xiàn)了很大的誤差，或者叫差錯，達了nA的水平了。

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