高性能帶隙基準電壓源的總體電路圖

　　如下圖所示為一款高性能帶隙基準電壓源的總體電路圖。本電路采用Chartered0.35靘CMOS工藝實現，采用3.3V電源電壓，在-40~100℃范圍內，達到低于6ppm/℃的溫度系數，在1kHz和27℃下，電源抑制比達到82dB。

　　需要指出的是，為了避免零電流工作狀態，保證偏置基準源進入正常工作，增加了自啟動電路。啟動電路的工作過程為：在剛啟動時，MP7、MN5導通，對電容C1分別實現充、放電。隨著電源電壓的逐步建立，電容C1上電位逐漸提高，使MP7逐漸脫離飽和趨于截止，直至自啟動電路關閉。在啟動電路中，各MOS管寬長比的選擇要保證啟動過程的順利進行，同時還應注意啟動過程瞬間電流不能過大，啟動之后，啟動電路不對電流基準源電路穩態工作造成任何影響。

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電壓源(31438) 電壓源(31438)
基準電壓源(20477) 基準電壓源(20477)

基準電壓源電路圖

TL431是一個性能優良的基準電壓集成電路。應用于穩壓、儀表、可調電源和開關電源中，特點是：可調輸出電壓范圍大，為2.5～ 36V；輸出阻抗較小，約為0.2Ω，吸收電流1～100mA，溫度系數30ppm/℃。器件的圖形符號見圖（a）。其內部有一個2.5V的精密參考電壓源。

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為什么要用基準電壓源？如何選擇基準電壓源？基準電壓源怎么選型號？

電壓源，而是使用何種基準電壓源。基準電壓源只是一個電路或電路元件，只要電路需要，它就能提供已知電位。基準電壓源主要有兩類：分流和串聯。基準電壓源只是一個電路或電路元件，只要電路需要，它就能提供已知電位。這可能是幾分鐘、幾小時或幾年。

2023-07-17 11:40:00

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用于基準電壓產生的啟動電路設計

下拉晶體管源極輸出端即為啟動電路的啟動節點，該啟動節點連接帶隙基準電路的PMOS電流鏡柵極，啟動電路工作時將帶隙基準電路中的PMOS電流鏡柵極電平拉低，為三極管充電。用于啟動帶隙基準電路，使帶隙基準電路脫離錯誤工作狀態。

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帶隙基準電路集成有源器件仿真設計

帶隙基準廣泛應用于模擬集成電路中。帶隙基準電路輸出的基準電壓可以為模擬集成電路提供穩定的參考電壓或參考電流

2023-07-06 10:45:02

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帶隙基準電路設計原理

帶隙基準廣泛應用于模擬集成電路中。帶隙基準電路輸出的基準電壓可以為模擬集成電路提供穩定的參考電壓或參考電流，

2023-07-06 10:42:01

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隨著準確性的提高，其他誤差源變得更加明顯。長期漂移（LTD）就是這樣一個誤差源;這在更高性能的系統中尤其重要。LTD由上電時給定基準電壓源的輸出電壓偏移來標記，該偏移量隨時間以選定的時間間隔測量。1

2023-06-29 09:18:44

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精密逐次逼近型ADC設計基準電壓源電路的研究

ADC片上集成基準電壓源和基準電壓源緩沖器，但這類器件在功耗或性能方面可能并非最佳--通常使用外部基準電壓源電路才可達到最佳性能。本文探討基準電壓源電路設計中遇到的挑戰和要求。　　1基準電壓輸入　　逐次

2018-09-27 10:29:41

高精度基準電壓源工作原理介紹

好壞就是整個電路性能的好壞。主要有以下4種:隱埋齊納二極管基準電壓源、帶隙基準電壓源、XFET基準電壓源和E/DNMOS基準電壓源。

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如何針對精密逐次逼近型ADC設計基準電壓源電路

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如何設計一個LDO帶隙基準的電壓源

本論文設計的帶隙基準電壓源電路是LDO電源管理芯片的一個核心電路之一，蒂隙基準電路在DC-DC，A/D（模/數），D/A（數/模）等集成電路中都有廣泛的應用。LDO穩壓器因其超低壓差，以及成熟

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電壓基準：性能和特點

在混合信號電路中要實現較高性能就需要更好的電壓基準。但是，以往最高性能的基準是不適合的，因為它們通常是幾乎沒有額外特點的簡單產品。隨著高性能帶隙基準的發展，加上工藝技術的改進，我們能夠

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本文根據基準源的精度必須好于DAC設計精度指標。利用負反饋和基本電流鏡等原理，合理設計電路的情況下得到了穩定的PTAT電流，并根據帶隙基準電壓源的設計原理得到一個高精度和快速啟動的CMOS帶隙基準

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帶隙基準電路_cmos無運放帶隙基準源

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cmos帶隙基準電壓源設計

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基于CMOS工藝設計低溫漂高PSRR帶隙基準源

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帶隙基準電壓源及過溫保護電路

　介紹了一種低溫漂的BiCMOS帶隙基準電壓源及過溫保護電路。采用Brokaw帶隙基準核結構，通過二階曲率補償技術，設計的熱滯回差很好地防止了熱振蕩現象。

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低功耗帶隙基準電壓源電路設計_蔣本福

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一種改進型低溫度系數帶隙基準源電路_范建功

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一種低溫漂超低功耗帶隙基準電壓源_李連輝

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低溫漂系數共源共柵CMOS帶隙基準電壓源_鄧玉斌

2017-01-08 10:24:07

一種發動機高溫差環境下的基準電壓源電路

根據汽車發動機控制芯片的工作環境，針對常見的溫度失效問題，提出了一種應用在發動機控制芯片中的帶隙基準電壓源電路。該電路采用0.18 m CMOS工藝，采用電流型帶隙基準電壓源結構

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一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計

介紹一種基于CSMC0.5 m工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的

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用于音頻AD轉換器的CMOS帶隙電壓基準源

在傳統帶隙基準電壓源電路結構的基礎上，通過在運放中引入增益提高級，實現了一種用于音頻-A/D轉換器的CMOS帶隙電壓基準源。在一階溫度補償下實現了較高的電源抑制比（PSRR）和較

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本文介紹了基準源的發展和基本工作原理以及目前較為常用的帶隙基準源電路結構。設計了一種基于Banba結構的基準源電路，重點對自啟動電路及放大電路部分進行了分析...

2012-05-24 15:18:29

低溫漂CMOS帶隙基準電壓源分析

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低功耗CMOS電壓基準源的設計

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CMOS帶隙基準電壓源中的曲率校正方法

基準電壓源是集成電路系統中一個非常重要的構成單元。結合近年來的設計經驗,首先給出了帶隙基準源曲率產生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準電壓源中所廣泛采用的幾種

2011-09-27 14:30:52

一種高PSR帶隙基準源的實現

文針對傳統基準電壓的低PSR以及低輸出電壓的問題，通過采用LDO與帶隙基準的混合設計，并且采用BCD工藝，得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準。

2011-08-23 10:28:08

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一種帶隙基準電壓源的設計與仿真

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全CMOS基準電壓源的分析與仿真

基準電壓源電路作為模擬集成電路不可缺少的模塊，對其進行分析和研究具有重要意義。本文通過Hspice對四種MOS管基準電壓源電路進行仿真，給出了電路圖、電路參數和仿真結果。

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CMOS帶隙基準電壓源曲率校正方法

2011-05-25 14:52:44

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基準源電路結構圖

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在對傳統典型CMOS帶隙電壓基準源電路分析基礎上提出了一種高精度，高電源抑制帶隙電壓基準源。電路運用帶隙溫度補償技術,采用共源共柵電流鏡,兩級運放輸出用于自身偏置電路

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在模擬電路和混合模擬電路中,帶隙基準電路作為一個很重要的單元,隨著集成電路的發展和SOC系統的復雜化,已經越來越受到國內外學者的重視。本文簡單介紹了傳統的帶隙基準源的

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低壓CM0S帶隙基準電壓源設計

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低溫漂低功耗的帶隙基準源技術設計摘要：設計一種低溫漂低功耗的帶隙基準結構，在傳統帶隙基準核心電路結構上增加一對PNP管，兩個雙極型晶

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基于BiCMOS工藝的帶隙基準電壓源設計

電壓基準是模擬集成電路的重要單元模塊，本文在0.35um BiCMOS 工藝下設計了一個帶隙基準電壓源。仿真結果表明，該基準源電路在典型情況下輸出電壓為1.16302V，在-45℃～105℃范圍

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選擇最佳的電壓基準源摘要：電壓基準源簡單、穩定的基準電壓，作為電路設計的一個關鍵因素，電壓基準源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了

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集成基準電壓源典型應用電路 1. LM399 典型應用電路圖18-18 是LM399 集成基準電壓源的典型應用電路。在實際使用中，可以把基準電壓部分看作是一個穩壓管，因此在

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基準電壓電路圖2

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基準電壓電路圖1

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高穩定基準電壓源電路圖

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