日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1439 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導體。具體產品是有超結（Super Junction）構造的功率MOSFET“CoolMOS系列產品”，由奧地利菲拉赫工廠生產。
2013-02-25 08:53:001733 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:005406 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯作業進行了優化。
2020-11-04 11:20:371482 【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361028 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431207 
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導體產品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中
2023-12-12 18:04:37494 
7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET （一種表面貼裝器件）。它將三個應用整合在一起，在一個尺寸僅為425 x 865 x 160 mm3的緊湊封裝中實現了三個一系統的設計，具有重要
2022-08-09 15:17:41
、攝像連接及其他的對 ESD 敏感的電路所需的靜電放電保護。ESD3.3V88D-LA特性：0402 小封裝 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm單向單路防護低的容值、低漏流及低箝位電壓IEC
2017-07-25 16:15:41
描述PMP6753 參考設計可通過寬范圍 18V-60V 電信輸入提供 3.3V 25A 的電源，效率達 94% 以上。該設計采用 UCC2897A 有源鉗位控制器和德州儀器 (TI) 的 NexFET 功率 MOSFET 進行同步整流。
2018-12-10 11:25:25
24V轉3.3V穩壓芯片24V轉3.3V穩壓芯片24V轉3.3V穩壓芯片24V轉3.3V穩壓芯片PW2312是一個高頻，同步，整流，降壓，開關模式轉換器內部功率MOSFET。它提供了一個非常緊湊
2021-01-22 09:35:12
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
3.6V轉3.3V，想加個二極管求指教什么型號的鍺管，什么封裝，最好是0603的封裝。謝謝了
2019-04-23 04:18:08
3.9*3.3mm Elliptical Wide Angle LED封裝尺寸及參數說明產品說明：ChipMaterial:GaNEmitted Color:Whiteλσ（nm）:Lens
2008-09-28 17:53:44
@ 1MHz工作溫度-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼0402（1006 公制）供應商器件封裝X1-DFN1006-2 3.3 V 1 Channel?ESD?抑制器
2020-05-06 10:56:03
，希望能夠幫助客戶更安全合理的使用3.3kV系列模塊產品。英飛凌作為全球最大的功率半導體廠商，總部位于德國慕尼黑，可以提供從發電、輸電到用電整個鏈條所需的功率半導體和功率模塊。英飛凌科技（中國）有限公司
2018-12-06 10:06:18
單片機是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3節充電電池接上后MOS管一直導通,不受單片機控制,燈珠是3.3V 3W的大功率燈珠
2019-09-18 03:45:09
的MOSFET設計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統
2018-12-07 10:21:41
時，從結點到PCB的熱阻僅為1.8°C/W。圖1 PQFN底側裸熱焊盤改善電氣和熱性能 在封裝內，兩種可能的技術都可以被用來創建從裸片到封裝端子之間的MOSFET源連接。利用標準后端冷卻方式來連接
2018-09-12 15:14:20
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封裝不等。MOSFET額定電壓范圍從12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便攜式設備如手機和平板電腦。它們也用于計算機、服務器、電動工具和汽車。選擇合適
2018-10-18 09:13:03
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
`功率Mosfet參數介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設計工
2018-12-06 09:46:29
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
DN331 - 25μV 微功率雙路運算放大器安裝在 3mm x 3mm 的封裝中
2019-07-08 09:49:29
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
Hittite推出集成VCO的新型3.3V寬帶PLL
2019-06-03 09:29:18
技術,是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可實現業界領先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為<br/&
2010-05-06 08:55:20
LC03- 3.3低電容3.3V高速接口電壓TVSLC03- 6低電容TVS用于高速數據接口大功率低容值瞬變二極管陣列瞬態電壓抑制元件LC03-3.3，LC03-6LC Series 18 V
2020-04-24 14:00:17
擊穿電壓范圍：20V~30V；Id-連續漏極電流范圍：3A~30A；功率耗散：1W~20W封裝形式：DFN1006-3，HSMT8（3.3x3.3），DFN2020-8S，DFN2020-8D，SOT-346T，SOT-363T，SOT-457T和TSMT8應用：電機應用；電動牙刷；電動剃須刀`
2021-02-02 09:55:16
`優恩半導體目前推出低電壓、小封裝、超低容值的ESD靜電二極管ESD3.3V88D-LA。該款器件主要用來保護敏感的電子產品（汽車電子、消費類電子），使其免于受到ESD 高達 IEC
2017-03-30 15:05:15
系列 3.3 V 500 mW 表面貼裝 硅 齊納 二極管 - SOD-123規格電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)3.3V容差±5%功率 - 最大值500mW不同 Vr 時電流 - 反向泄漏7.5
2020-12-16 14:54:38
`SOD323 大功率保護TVS二極管TVS二極管，適用于浪涌和ESD保護應用，采用SOD323封裝。單向TVS二極管非常適合用于保護數據線路和直流電源。這款500W、5V、符合用于需要
2020-03-23 14:06:26
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關帶來的優勢?！ ?2 從數據的角度去分析共源雜散電感對開關損耗的影響 ?。?）雙脈沖測試時的重要注意事項---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
/DC開關電源的設計開發。2009年加入英飛凌科技（中國）有限公司。任系統應用工程師，負責英飛凌功率半導體器件的應用和方案推廣。演講內容介紹：英飛凌新的OptiMOS產品為MOSFET分離器件設立了一個
2012-07-13 10:50:22
全球知名的半導體廠商羅姆(ROHM)公司推出了一款內部集成高額定電壓的功率MOSFET的電流模式同步降壓轉換器——BD9V101MUF-LB，它可以保證在工業市場長期支持。該芯片通過納米脈沖控制技術
2019-04-01 06:20:06
的封裝內采用更高性能的MOSFET，業內的一個趨勢是從SO-8等標準引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功率封裝轉變。對于大電流應用，常用的是功率6mmx 5mm封裝，例如PowerPAK? SO-8。但對
2013-12-23 11:55:35
3.3V 應用，所選 MOSFET 的額定導通電阻應針對 3V 或更小的柵極驅動電壓。例如，對于具有 3.3V 驅動的100 mA負載，額定漏極電流為250 μA的FET在柵極 - 源極施加 1V 電壓
2019-09-10 16:38:10
的能力。對于 3.3V 應用，所選 MOSFET 的額定導通電阻應針對 3V 或更小的柵極驅動電壓。例如，對于具有 3.3V 驅動的100 mA負載，額定漏極電流為250 μA的FET在柵極 - 源極施加
2021-05-09 06:30:00
5V，因此想通過IO口的高低電平設置來控制那個器件電壓的供給。有什么好的解決方案？下面是實現方式之一，不過存在問題：如何外接三極管來控制 ，下圖中，P1.0為什么不能置低？當P1.0為3.3V時，Vic電壓是多少？
2023-04-18 10:27:07
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
：3.3V →5V直接連接技巧六：3.3V→5V使用MOSFET轉換器技巧七：3.3V→5V使用二極管補償技巧八：3.3V→5V使用電壓比較器技巧九：5V→3.3V直接連接技巧十：5V→3.3V使用二極
2019-09-03 10:47:49
進一步提升效率。BSZ0909ND是英飛凌針對無線充電應用而推出的產品，把2個N-MOS集成在一個3.3*3.3mm的封裝里，可以有助于小型化設計，以及降低整體BOM成本。電路示意圖： 實物圖片
2018-05-17 20:05:42
求大神推薦幾個LDO，輸入5v輸出3.3v 500mA 封裝SOT-25/SOT23-5
2017-05-22 14:42:20
`海飛樂技術現貨替換IXFH150N25X3場效應管制造商: IXYS 產品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體
2020-03-09 15:32:12
`海飛樂技術現貨替換IXFN170N25X3場效應管制造商: IXYS 產品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 技術: Si 安裝風格: Chassis Mount 封裝 / 箱體
2020-03-19 16:29:21
`海飛樂技術現貨替換IXFP60N25X3場效應管制造商: IXYS 產品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體
2020-03-20 17:12:51
. 由于其體積小和雙向設計, 因此非常適用于需要音頻線路保護的手機, MP3播放器和便攜式應用.DC3321D5的參數：封裝：SOD-523 電壓：3.3V鉗位電壓：6.5V容值：12.5pF 功率
2020-05-29 14:23:13
，就可以將效率提高0.4%。這種消耗的降低，來源于更低的封裝電阻和低至約1nH的極低封裝電感。對應于40V、60V和80V的電壓等級，OptiMOS 3的漏極-源極通態電阻RDS(on)分別為1.8m
2018-12-07 10:23:12
ST25R3911B-disco板使用5V VDD。你能用3.3V的VDD，使用3.3V有什么缺點嗎？ ＃st25r3911b-VDD以上來自于谷歌翻譯以下為原文
2019-07-29 16:53:07
使用三極管或者二極管實現裝著藍牙模塊的小板子能夠和3.3v或者5v的MCU進行通訊。哪個大神可以給一個可以用的電路圖，最好有圖紙和三極管器件型號。
2018-06-10 19:39:48
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統
2010-01-26 09:22:57827 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示
2010-03-01 11:20:47731 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅動應用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向（EPS）系統和汽車啟停系統的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網絡通信和高端臺式機及筆記本電
2010-11-24 09:14:351506 用改進的PQFN器件一對一替換標準SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現更高的功率密度。在以并聯方式使用的傳統MOSFET應用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯的組件對。
2011-03-09 09:13:025987 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術
2011-06-16 09:35:042537 IR擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅動IC采用該封裝，為家用電器、工業自動化、電動工具和替代能源等一系列應用提供了超緊湊、高密度和高效率的解決方案
2011-06-29 09:07:191134 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41648 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22807 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381390 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 MCP87130 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先進的封裝和硅片
2018-06-29 11:23:00
2 MCP87090 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先進的封裝和硅片
2018-07-02 10:23:0010 MCP87055 器件是采用常見的 PDFN 3.3 mm x 3.3 mm
封裝的 N 溝道功率 MOSFET。先進的封裝和硅片加工技
術使 MCP87055 可以在給定 RDS
2018-06-29 10:24:005 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅動IC采用
2018-11-13 16:26:191658 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380 電子發燒友網為你提供ADI(ti)LTC1517-3.3相關產品參數、數據手冊，更有LTC1517-3.3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LTC1517-3.3真值表，LTC1517-3.3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 13:42:34
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 LTC1517-3.3：5針SOT-23封裝中的微功耗、調節3.3V電荷泵數據表
2021-05-20 10:24:395 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 V條件下最大導通電阻降至4 mW，采用熱增強型3.3 mm * 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。SiSS22DN專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，...
2021-12-05 10:21:115 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:161651 
OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優化電源設計
2022-12-29 10:02:53785 
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、3.3 mOhm、180 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R3-100SSF
2023-02-08 19:25:250 未來電力電子系統的設計將持續推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發布的PCIM Europe 2023 -產品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
低電壓TVS瞬變抑制二極管在實際應用中，很常用，比如3.3V、5V、6V、6.5V、7V、7.5V、8V、8.5V、9V等等。關于3.3V的TVS二極管，之前TVS廠家東沃電子（DOWOSEMI
2022-09-29 17:40:501689 
DFN82x3x0.4mm封裝的3.3V64MbitSPINORFlash產品XT25F64FDTIGT，滿足物聯網、智能穿戴、小型便攜設備等應用對產品高度集成化、小型化
2022-11-22 14:40:34704 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 MOS場效應管DFN3.3X3.3-8L30V25A
2022-09-23 17:59:370 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
2024年1月4日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01227 
MOSFET集成在緊湊的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中，為工業和通信應用的功率轉換帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:32:0294
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