三洋推出面向專業音響設備的可充電式電源Eneloop music booster
三洋公司近日發布了一款面向專業音響設備的供電產品Eneloop music booster,這款獨特的產品內部集成了9V鋰電
2009-12-30 10:54:35947 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器,其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 英飛凌科技股份公司(FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY)進一步壯大其高壓產品組合,推出采用全新650V超結MOSFET技術的CoolMOSTM C7。全新的C7產品家族針對所有標準封裝實現了一流的通態電阻RDS(on)。另外,得益于低開關損耗,還可在任何負載條件下實現能效改進。
2013-05-20 11:31:282572 【 2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361028 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術,據官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術,相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181494 7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET (一種表面貼裝器件)。它將三個應用整合在一起,在一個尺寸僅為425 x 865 x 160 mm3的緊湊封裝中實現了三個一系統的設計,具有重要
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET,根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr),以及出色的品質因數(RDS(on) x Qg),能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
S7 1200 與Labview TCP/IP通訊測試labview監控I輸入和控制輸出。
2017-05-31 22:53:26
通過以太網與S7-300系列PLC通信,不需要適配器。該示例提供了一個API,用于讀取/寫入PLC上的寄存器。[tr]據我所知,西門子從未公布過S7協議的細節。在S7上公開提供的大部分內容都是
2019-02-15 23:51:31
我們來介紹下S7-200 Smart PLC的S7單邊通信指令。
2021-01-06 06:12:42
S7通信是S7系列PLC基于MPI、PROFIBUS、ETHERNET網絡的一種優化的通信協議,主要用于S7-300/400PLC之間的通信。經過測試發現S7-1200與S7-200 SMART
2020-12-22 16:00:28
這是S7-1200與S7-200 Smart系列PLC的S7通信教程的第1篇文章。本章我們打算和大家聊聊西門子的S7通信協議。
2020-12-30 07:47:04
需謹慎在比較額定值為600V的器件時,IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測,并在指明最差情況下的工作結溫下進行的。例如
2019-03-06 06:30:00
,從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是,能夠最終避免采用插件封裝的器件(比如TO220、TO247)。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET,如今可滿足設計工
2018-12-06 09:46:29
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
、LED照明及許多未知恒流領域。新的恒流器件能在寬輸入電壓范圍(最高耐壓100V)內工作而無需任何輔助元件,為各領域工程師提供適合他們應用的簡單、高性價比恒流方案,且不須放棄性能。 S系列恒流二極管提供
2011-06-02 12:08:22
20世紀60年代末就提出了IGBT的構想,但直到20世紀80年代中期才推出商用化的IGBT器件。第一代IGBT采用“穿通”(PT)工藝,開關頻率可以達到15 kHz,但當多個這樣的器件并聯時,集電極
2018-12-03 13:47:00
,如圖5和圖6所示。圖5和圖6將新一代基于C6技術的650V CFD2器件與英飛凌前代基于C3技術的600V CFD進行對比。 圖5Qrr 與通態電阻關系,測量條件為25°C 。將80 m?、310 m
2018-12-03 13:43:55
你好,我正在測試可升級的堆棧的OTA固件更新功能。固件更新過程使用Moto G4 Android設備正常工作,但在Android 7的三星Galaxy S7邊緣,該過程陷入了輸入Bootloader
2018-12-24 16:14:53
GTO一般最高只能做到幾百Hz,但功率較大,已達到3000A、4500V的容量。GTR目前其額定值已達1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz
2012-10-24 08:02:09
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz(1000KHz
2012-07-04 17:14:51
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz(1000KHz
2012-07-06 15:56:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】:功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
LED12-85V輸入降壓恒流無需防反接二極管無續流二極管外圍超簡單!超高性價比LED驅動方案!12-85V降壓恒流驅動芯片車燈IC高精度1%產品描述 特點應用領域 應用原理圖 AP2918 是一
2020-09-11 21:35:43
Labview 的S7 200 modbu程序s 協議
2015-12-17 08:56:58
散熱性能。結論通過推出適用于200 V和250 V電壓級的OptiMOS 3器件,如今,英飛凌科技的產品已經覆蓋從25V至250V的整個電壓范圍。無論任何電壓等級,OptiMOS 3都具備一流的靜態
2018-12-07 10:21:41
SIMATIC是什么?SIMATIC包括哪些?SIMATIC S7 PLC是什么?SIMATIC S7 PLC分為哪幾類?
2021-09-27 08:16:19
renesas touchgfx demo on synergy s7 pe-himi1 源代碼,請問誰有?可發送一下給我,郵箱sm2669@163.com,謝謝!
2020-02-20 11:45:31
vivo手機s7是5g手機嗎,8月3日,vivo發布了最新的5G旗艦機型S7。S7 170g的整機重量和7.39mm的機身厚度,瞬間讓其成為年輕用戶追捧的熱點。一、厚重的5G手機眾所周知,5G手機
2021-07-27 07:29:15
高壓。額定電壓每增加一倍,維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET,超過95%的電阻來自外延層。顯然,要想顯著減小RDS(on)的值,就需要找到一
2017-08-09 17:45:55
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動器
2018-09-01 09:53:17
低內阻超結MOS NCE08N608A 600V內阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
大聯大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飛凌汽車LED大燈驅動解決方案,不同于傳統白熾燈需要恒定直流電源供電,而且需要一系列保護功能和狀態回饋,LED將讓汽車照明更有效率且具有更多優勢
2018-12-12 09:50:04
國內第一顆量產超結MOS(可替代英飛凌coolmos)大家好!我司是國內專業設計大功率MOS器件的公司。現我司已經實現了SJ-MOS的量產,可替代英飛凌的coolmos。這是我公司的網址
2011-01-05 09:49:53
和高性能的碳化硅 MOSFET之間,在某些場合性價比更優于超結MOSFET和碳化硅MOSFET,可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡,具有重要的應用價值,特別適用于對功率密度提升有需求,同時更強調性價比
2023-02-28 16:48:24
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結MOSFET: 3/5 A、600V 內置快速恢復二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術
2018-11-20 10:52:44
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法,以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
如何去搭建一種基于S7-PLCSIMAdvanced的S7通信仿真環境?在搭建好仿真環境后需注意哪幾個地方?
2021-08-09 07:23:49
介紹下如何在S7-1200和S7-200 Smart之間進行S7單邊通信。
2021-01-15 06:00:38
。 特別是,封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中,英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑;一個用于
2018-10-08 15:19:33
`常年高價回收西門子CPU(S7-200/S7-300/s7???-400-s7500)模塊,大量高價收購西門子S7-300、400、6GK、6DD、6SL、6FC、6SN、6SE、6EP、6SX
2020-06-09 08:23:08
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:31
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:47
創客的創意及技術并沒有好到這個程度,要么有了一個能顛覆全球的創意,但被技術實力捆手捆腳,回饋你的只有無數個“臣妾做不到”。那么,一個團隊到底是三流的還是一流的?從我后期創業成功的經驗來看,早期的評判我
2015-09-21 13:25:10
從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
增加,外延層需要更厚和更輕摻雜,以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍,維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET,超過95%的電阻來自外延層。顯然,要想顯著
2018-10-17 16:43:26
負載供電。 值得一提的是, CoolMOS? E6——作為英飛凌推出的第六代市場領先的高壓超級結功率MOSFET,可以視作英飛凌不斷創新的工匠精神和數年沉淀的行業經驗的集大成之作。作為業內領先的超結
2017-04-12 18:43:19
本文概述了與低頻MOSFET工作相關的各種特性和規格。相關信息了解MOSFET導通狀態的漏源電阻MOSFET溝道長度調制假設您正在設計一個電動機控制電路,一個繼電器驅動器,一個反極性保護電路或一個
2019-10-25 09:40:30
PN結轉化為掩埋PN結,在相同的N-摻雜濃度時,阻斷電壓還可進一步提高。 內建橫向電場MOSFET的主要特性 1、 導通電阻的降低 INFINEON的內建橫向電場的MOSFET,耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位,以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)的概要
2018-12-03 14:27:05
供應600V20A高壓超結mos管SVS20N60P7D2 ,提供SVS20N60P7D2參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 15:16:15
供應600V20A超結MOS士蘭微SVS20N60FJD2,提供士蘭微超結MOS SVS20N60FJD2關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:51:08
供應700V超結MOS管SVS70R600DE3,提供士蘭微cool mos SVS70R600DE3關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 16:02:17
基本說明:MPI-131用于西門子 SIMATIC S7 系列 PLC(包括 S7-200、 S7-300、 S7-400)、西門子數控機床(840D,840DSL等)的以太網通訊,支持以太網編程下載、數據監控等功能。
2023-02-27 13:23:43
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢,可降低設
2009-06-23 21:17:44594 CX92735 科勝訊推出面向網絡數碼相框和互動顯示設備
科勝訊系統公司宣布按計劃推出面向日益增長的“網絡”數碼相框和互動顯示設備(IDA)市場的
2009-07-20 10:54:26743 凌力爾特推出面向能量收集應用的超低電壓升壓型轉換器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高度集成的升壓型 DC/DC 轉換器 LTC3108,該器件專為在采用極低輸入
2009-12-03 08:39:34631 Magma推出面向大型SoC的增強版層次化設計規劃解決方案
微捷碼(Magma)日前發布了面向大型片上系統(SoC)的增強版層次化設計規劃解決方案Hydra 1.1。新版產品提供了通道
2009-12-09 08:31:53888 Altera推出面向Stratix IV FPGA的最新開發套件
Altera公司近日宣布推出其面向 Stratix IV FPGA 的最新開發套件。Stratix IV E FPGA 開發套件具有業界最高密度、最高性能的 FPGA。該套
2009-12-09 08:45:26792 TI推出面向高電流DC/DC 應用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
采用創新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標準封裝尺寸
2010-01-14 08:16:52403 TI 推出面向高電流 DC/DC 應用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標準封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31388 德州儀器推出面向高電流DC/DC應用的功率MOSFET,可以顯著降低上表面熱阻
采用創新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標準封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05727 Atmel推出面向便攜設備的全新單鍵式觸摸控制器系列AT42QT101X
愛特梅爾公司(Atmel Corporation)宣布推出面向便攜設備市場的全新單鍵式觸摸控制器產品系列。新產品可使下一
2010-02-25 08:41:44753 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示
2010-03-01 11:20:47731 漢王CeBIT上推出面向歐洲市場3G電紙書
網易科技訊 3月3日消息,2010德國漢諾威CeBIT展會近日開幕。漢王科
2010-03-04 08:44:04638 周四推出面向 Verizon Wireless 的 Skype mobile
Verizon Wireless 和 Skype 攜手在美國最可靠的無線網絡上提供龐大的全球通信社區和免費 Skype 對 Skype 通話服務
&
2010-03-24 16:59:05537 周四推出面向 Verizon Wireless 的 Skype mobile Verizon Wireless 和 Skype 攜手在美國最可靠的無線網絡上提供龐大的全
2010-03-26 08:50:35696 TI推出面向便攜式應用的集成 HDMI 配套芯片
德州儀器 (TI) 宣布推出面向便攜式應用核心 HDMI 控制器的業界首款集成型 HDMI 接口配套芯片,該 TPD12S015
2010-03-27 10:41:15744 TI推出面向便攜式應用的集成HDMI配套芯片TPD12S015
德州儀器 (TI) 宣布推出面向便攜式應用核心 HDMI 控制器的業界首款集成型 HDMI 接口配套芯片,該 TPD12S015 高度整合了 HDMI
2010-03-29 10:14:451146 ADI推出面向微波點對點和專有移動無線電應用、內置高壓電荷泵的新型PLL頻率
-- 新型 ADF4150HV PLL 頻率合成器集成30V 電荷泵 ,最高工
2010-05-22 08:52:02506 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出面向 3.3V 和 5V 系統的多協議收發器 LTC2870 和 LTC2871,這兩款器件具集成的
2010-12-10 09:25:28882 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票代碼:CY)日前推出面向較低成本手機的 TMA140 TrueTouch? 控制器。
2012-03-05 09:11:20580 泰克3月19日在北京宣布,推出面向大學本科生基礎實驗室的TDS1000C-EDU系列數字示波器(見圖1)。分為40MHz、60MHz和100MHz三種型號。起價7830元人民幣。
2012-03-27 09:45:11697 2015年3月9日,德國慕尼黑訊——今日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出面向中低功率汽車外部照明應用的LITIX? Basic 系列LED驅動器。
2015-03-10 14:12:51989 2016年5月10日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技術,使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性,可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164 英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發布資料)。新產品在IGBT上集成續流用體二極管
2016-11-14 14:51:361390 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 的發布,華為也正式推出面向全球的應用商店——AppGallery。目前華為P20系列已經預裝這個應用,其他的華為手機用戶也可自行下載。
2018-04-29 09:30:009095 這是一個應用說明,專用于英飛凌的2500瓦圖騰桿全橋功率因數校正(PFC)演示板,包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器,以及1EDI高壓MOSFET驅動程序。
2019-03-08 08:00:0010 英飛凌聯合Schweizer電子股份公司成功開發出面向輕度混合動力汽車的新技術:芯片嵌入式功率MOSFET。
2019-05-14 16:58:301298 1月10日消息,據外媒報道,微軟公司將推出面向零售客戶的新的云工具,希望成為客戶在亞馬遜、Slack、Salesforce之外的另一種選擇。
2020-01-10 08:37:0021239 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 11月11日,聯發科宣布推出面向下一代Chromebook筆記本的兩款芯片組產品——MT8195、MT8192。
2020-11-11 09:50:461292 據外媒報道,三星目前已經推出面向筆記本電腦的OLED屏幕,并可提供出色的圖像質量。
2021-01-06 15:03:022935 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 新思科技(Synopsys)近日推出面向臺積公司N6RF工藝的全新射頻設計流程,以滿足日益復雜的射頻集成電路設計需求。
2022-06-24 14:30:13868 ? 2022 年 11 月 29 日 – 提供超豐富半導體和電子元器件的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 ?(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET
2022-12-01 14:40:38324 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 3月3日,聯合電子官微發布,推出面向跨域融合的新一代整車運動域控制器VCU8.6平臺。
2024-03-04 09:52:04414
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