晶體管的設計是要注意設計的特點的，根據電路設計的原理和理論知識來進行設計。晶體管的電路合計方法比較多，但是都是要注意按照電路設計的理論知識來進行。所以對于電路設計專業的人士來講，一定要學好專業的知識，對于自己日后的工作和生活都是有很大的幫助的。下面我們來詳細的了解一下三極晶體管電路設計的特性和特點有哪些。

三極晶體管電路設計輸出特性曲線（共發射極），晶體三極管是由形成二個PN結的三部分半導體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。我國生產的鍺三極管多為PNP型，硅三極管多為NPN型，它們的結構原理是相同的。

三極管有三個區、三個電極。其中基區（三極管中間的一層薄半導體）引出基極b;兩側有發射區引出發射極e及集電區引出集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。在電路符號上PNP型管發射極箭頭向里，NPN型管發射極箭頭向外，表示電流方向。

基極電流Ib一定時，晶體三極管的Ic和Uce之間的關系曲線叫做輸出特性曲線。曲線以Ic（mA）為縱坐標，以Uce（V）為橫坐標給出，圖上的點表示了晶體管工作時Ib、Uce、Ic三者的關系，即決定了晶體三極管的工作狀態。從曲線上可以看出，晶體管的工作狀態可分成三個區域。飽和區：Uce很小，Ic很大。集電極和發射極飽和導通，好像被短路了一樣。這時的Uce稱作飽和壓降。此時晶體管的發射結、集電結都處于正向偏置。放大區：在此區域中Ib的很小變化就可引起Ic的較大變化，晶體管工作在這一區域才有放大作用。在此區域Ic幾乎不受Uce控制，曲線也較為平直，此時管子的發射結處于正向偏置，集電結處于反向偏置。截止區：Ib=0，Ic極小，集電極和發射極好像斷路（稱截止），管子的發射結、集電結都處于反向偏置。

現在大家對于三極晶體管電路設計的特性和特點有了基本的了解，電路的設計是要注意科學的進行設計的。